摘要综述了基于Si IGBT/SiC MOSFET的混合开关器件，总结了相关的门极驱动时序、门极驱动硬件设计、电流分配优化、功率模块设计、变频器设计和成本分析等要素。该类混合开关器件可以实现Si IGBT的零电压开通和零电压关断，大幅缩短Si IGBT的拖尾电流时间，降低开关损耗，并可实现高频运行。该类混合开关器件还利用了Si IGBT的导通特性优势，与同规格纯SiC器件相比成本大幅降低。部分文献的仿真与实验结果验证了该类器件的优异特性，所开发的示范性样机具有较高使用价值，一定程度上可满足同时需求高频开关和中、大功率的应用。
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基于Si IGBT/SiC MOSFET的混合开关器件综述
本站小编 Free考研考试/2022-01-02
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