摘要提出了一种1200V 4HSiC CIMOSFET优化结构。该结构在JFET区引入P型注入，以降低栅氧化层电场，提高器件的可靠性；在积累区引入N型注入，以降低器件的比导通电阻，提高器件的电流能力。通过Silvaco软件进行仿真，对器件各项参数优化，并对器件性能进行简要说明与分析，与传统1200V 4HSiC MOSFET相比，其比导通电阻增加059mΩ·cm2，VDS=1200V时，栅氧化层电场强度下降152MV/cm。
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基于1200V 4H-SiC CIMOSFET结构的优化研究
本站小编 Free考研考试/2022-01-02
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