1(北京大学工学院 北京 100871);2(清华大学计算机系 北京 100084);3(北京信息科学与技术国家研究中心(清华大学) 北京 100084) (gaopeng1982@pku.edu.cn)
出版日期: 2019-12-01基金资助:国家重点研发计划项目(2016YFB1000303);广东省重点研发计划项目(2018B010115002)Extending PCM Lifetime by Redirecting Writes from the Most Modified Byte
Gao Peng1, Wang Dongsheng2, Wang Haixia31(College of Engineering, Peking University, Beijing 100871);2(Department of Computer Science and Technology, Tsinghua University, Beijing 100084);3(National Research Center for Information Science and Technology (Tsinghua University), Beijing 100084)
Online: 2019-12-01摘要/Abstract
摘要： 现代存储系统一般是由多个存储芯片通过并列数据线、共享地址线的方式构成的.因此，在多片相变存储芯片并联构成的内存系统中，如果多个芯片间的磨损存在较大差异，那么该系统的寿命将会因短板效应而受到影响.模拟实验和数据分析均确认了这一问题在实际系统中的存在.在此基础上，提出了一种混合内存设计，用于延长相变内存的寿命.该方法引入了一种动态识别机制，可以在每次写入时识别遭受最多磨损的相变存储芯片，并将该芯片未来的写入转移到另一个长寿命的存储芯片中.这一措施可以减少对相变存储芯片的总写入量，并缩小相变存储芯片间的写入量差别.实验表明：使用RMB设计的内存系统的寿命最多可达无任何寿命延长方法时的7.9倍，可达使用经典方法PRES的5.14倍.
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