1(北京大学工学院 北京 100871);2(清华大学计算机系 北京 100084);3(北京信息科学与技术国家研究中心(清华大学) 北京 100084) (gaopeng1982@pku.edu.cn)
出版日期:
2019-12-01基金资助:
国家重点研发计划项目(2016YFB1000303);广东省重点研发计划项目(2018B010115002)Extending PCM Lifetime by Redirecting Writes from the Most Modified Byte
Gao Peng1, Wang Dongsheng2, Wang Haixia31(College of Engineering, Peking University, Beijing 100871);2(Department of Computer Science and Technology, Tsinghua University, Beijing 100084);3(National Research Center for Information Science and Technology (Tsinghua University), Beijing 100084)
Online:
2019-12-01摘要/Abstract
摘要: 现代存储系统一般是由多个存储芯片通过并列数据线、共享地址线的方式构成的.因此,在多片相变存储芯片并联构成的内存系统中,如果多个芯片间的磨损存在较大差异,那么该系统的寿命将会因短板效应而受到影响.模拟实验和数据分析均确认了这一问题在实际系统中的存在.在此基础上,提出了一种混合内存设计,用于延长相变内存的寿命.该方法引入了一种动态识别机制,可以在每次写入时识别遭受最多磨损的相变存储芯片,并将该芯片未来的写入转移到另一个长寿命的存储芯片中.这一措施可以减少对相变存储芯片的总写入量,并缩小相变存储芯片间的写入量差别.实验表明:使用RMB设计的内存系统的寿命最多可达无任何寿命延长方法时的7.9倍,可达使用经典方法PRES的5.14倍.
参考文献
相关文章 7
[1] | 肖仁智, 冯丹, 胡燏翀, 张晓祎, 程良锋. 面向非易失内存的数据一致性研究综述[J]. 计算机研究与发展, 2020, 57(1): 85-101. |
[2] | 张明喆,张法,刘志勇. 基于动态权衡的新型非易失存储器件体系结构研究综述[J]. 计算机研究与发展, 2019, 56(4): 677-691. |
[3] | 陈吉,刘海坤,王孝远,张宇,廖小飞,金海. 一种支持大页的层次化DRAMNVM混合内存系统[J]. 计算机研究与发展, 2018, 55(9): 2050-2065. |
[4] | 高鹏,汪东升,王海霞. 采用流水化伪随机编码算法的相变存储器寿命延长方法[J]. 计算机研究与发展, 2017, 54(6): 1357-1366. |
[5] | 石伟,汪东升. 基于非易失存储器的事务存储系统综述[J]. 计算机研究与发展, 2016, 53(2): 399-415. |
[6] | 吴章玲,金培权,岳丽华,孟小峰. 基于PCM的大数据存储与管理研究综述[J]. 计算机研究与发展, 2015, 52(2): 343-361. |
[7] | 张鸿斌,范 捷,舒继武,胡庆达. 基于相变存储器的存储系统与技术综述[J]. 计算机研究与发展, 2014, 51(8): 1647-1662. |
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