2020年,国科大硕士生导师李慧副研究员和博士生导师陈立东研究员利用功能基元随机共聚策略,将给-受体型构筑单元和联噻吩单元通过Stille偶联反应共聚,获得一系列新型导电高分子,实现了掺杂效率和迁移率的协同优化,为高性能聚合物热电材料的结构设计提供了新方案。相关研究成果以“Synergistically Improved Molecular Doping and Carrie Mobility by Copolymerization of Donor-Acceptor and Donor-Donor Building Blocks for Thermoelectric Application”为题发表在国际著名学术期刊Advanced Functional Materials上(文章链接:https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adfm.202070270),并且被选为当期back cover。
这类新材料的化学结构具有以下特点:(1)利用给-受体单元之间静电相互作用增强聚合物链之间紧密堆积;(2)烷氧基修饰的联噻吩给体单元提高聚合物的掺杂效率;(3)利用随机共聚方法使聚合物主链具有不规整性,有利于提高泽贝克系数。相较于常规的聚噻吩类半导体本征迁移率低、高浓度掺杂容易导致薄膜脆性和给-受体交替型聚合物半导体较难掺杂、并且在高浓度掺杂时迁移率显著下降,通过功能基元共聚策略可以结合不同聚合单元的优势,从而保证聚合物良好结晶性的前提下获得高掺杂效率,使得新型聚合物半导体在较高浓度掺杂时载流子迁移率依然保持在1 cm2 V-1 s-1以上,并且载流子浓度可达到1020~1021 cm-3,最终获得高电导率的柔性薄膜。此外,由于随机共聚可以降低聚合物主链的规整度,使得新型聚合物的泽贝克系数高于全噻吩聚合物,最终功率因子高于110 μW K-2 m-1,证明功能基元的随机共聚是制备新型高性能热电材料的有效策略。

经典的聚噻吩类(上)、给-受体交替型聚合物(中)
以及本工作中设计的新型聚合物(下)化学掺杂特征和热电参数关系

霍尔迁移率和载流子浓度随掺杂浓度的变化趋势以及聚合物热电性能
责任编辑:脱畅