基本信息
赵妙 女 微电子研究所
电子邮件：zhaomiao@ime.ac.cn
通信地址：北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码：100029
部门/实验室：高频高压中心
研究领域

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学
085208-电子与通信工程

招生方向 射频、微波器件与电路集成技术
半导体器件可靠性
微波功率器件

教育背景 2004-09--2007-06 中国科学院半导体研究所 博士学位

学历
学位

工作经历
工作简历 2011-11--今 中国科学院微电子研究所 副研究员
2007-07--2011-10 中国科学院微电子研究所 助理研究员

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息
专利成果 （1） 一种提高肖特基势垒高度的方法，发明，2009，第1作者，专利号：9.4
（2） 已减薄或划片的氮化镓场效应管的退火处理方法，发明，2009，第1作者，专利号：6.9
（3） 一种测量AlGaN/GaN HEMT器件凹栅槽深度的方法，发明，2009，第1作者，专利号：5.8
（4） 一种检测GaN器件肖特基漏电模式的方法，发明，2010，第1作者，专利号：6.8
（5） 一种通过肖特基测试图形监测GaN基HEMT可靠性的方法，发明，2010，第1作者，专利号：4.8
（6） 确定场效应管老化条件的方法、场效应管老化方法及场效应管筛选方法，发明，2011，第1作者，专利号：0.4
（7） 对GaN基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法，发明，2011，第1作者，专利号：7.6
（8） 一种测量GaN基器件热可靠性的方法，发明，2011，第1作者，专利号：0.4
（9） 确定AlGaN/GaN基异质结沟道载流子寿命的方法，发明，2012，第1作者，专利号：1.1
（10） 一种评价半导体器件肖特基电流输运方式的方法，发明，2012，第1作者，专利号：3.0
（11） 双沟道晶体管及其制备方法，发明，2012，第1作者，专利号：7.9
（12） GaN基器件肖特基接触可靠性的评价方法，发明，2014，第1作者，专利号：0.1
（13） 一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的评价方法，发明，2014，第1作者，专利号：5.9
（14） 一种GaN基HEMT器件的可靠性评估方法，发明，2010，第1作者，专利号：9.6


出版信息
发表论文 （1） Thermal analysis of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors by infrared microscopy，Optics Communications，2013，第1作者
（2） Analysis of the device characteristics of AlGaN/GaN HEMTs over a wide temperature range，Materials science and Engineering B，2013，第1作者
（3） The experierntial fit of the capacitance-voltage characteristics of the AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistors，Acta Physica Sinica，2011，第2作者
（4） The physical process analysis of capacitance-voltage characteristics　for AlGaN-AlN-GaN HEMT，Chinese physics B，2010，第2作者
（5） Thermal storage of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors，IEEE transaction on device and material reliability，2010，第1作者
（6） A revised approach to schottky parameters extraction for GaN HEMT after elevated temperature aging，Chinese Physics B，2010，第2作者
（7） The effect of proton radiation on a superluminescent diode (SLD)，Nuclear Inst.And Method in Physics Research，2007，第1作者
（8） Study of the compact in optical thin film by double electron Beam evaporation technology，Journal of optoelectronics laser，2007，第1作者
（9） Prepareation of Si/SiO2 optical thin film by source electron beam evaporation technology，Chinese of semiconductors，2006，第1作者

发表著作

科研活动
科研项目 （1） xx以下GaN功率器件与MMIC，参与，专项级，2014-01--2016-12
（2） AlGaN/GaN HEMT 低频噪声与器件可靠性相关性的研究，主持，国家级，2012-01--2014-12
（3） 超高频、大功率化合物半导体器件与集成技术基础研究 ，参与，国家级，2010-09--2014-12

参与会议 （1） Optimizing of the material structure in AlGaN/GaN HEMTs through the energy band engineering approach，2012-09，ZhaoMiao
（2） Thermal analysis of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors，2012-07，Zhao Miao
（3） GaN帽层对AlGaN/GaN HEMT 肖特基特性的研究，第十五届全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议，2008-11，赵妙


合作情况
项目协作单位

指导学生