基本信息
赵梅女硕导中国科学院高能物理研究所
电子邮件： zhaomei@ihep.ac.cn
通信地址： 北京市石景山区玉泉路19号乙中科院高能所
邮政编码：
部门/实验室：实验物理中心
研究领域

招生信息
招生专业082703-核技术及应用

招生方向LGAD探测器设计
硅像素探测器


教育背景2008-08--2014-01清华大学博士
2004-08--2008-07清华大学本科/学士

学历
学位

工作经历
工作简历2017-01~现在,中国科学院高能物理研究所,副研究员
2014-04~2016-12,中国科学院高能物理研究所,助理研究员
2008-08~2014-01,清华大学,博士
2004-08~2008-07,清华大学,本科/学士

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息（1） 清华大学光华二等奖学金, 二等奖, 研究所（学校）, 2011
（2） 微电子所Cadence奖学金, 三等奖, 研究所（学校）, 2010
（3） 研究生社会工作三等奖学金, 三等奖, 研究所（学校）, 2009
（4） 清华大学综合优秀三等奖, 三等奖, 研究所（学校）, 2009
（5） 清华大学学业优秀奖学金, 三等奖, 研究所（学校）, 2008
（6） 清华大学学业优秀二等奖, 二等奖, 研究所（学校）, 2007
（7） 清华大学学业优秀三等奖, 三等奖, 研究所（学校）, 2005

专利成果（ 1 ） 一种具有应变沟道的CMOS器件结构及其形成方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CNB
（ 2 ） 一种半导体栅结构及其形成方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: CNB
（ 3 ） 半导体结构及其制造方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: CNB
（ 4 ） 金属源漏结构及其形成方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: CNB
（ 5 ） 一种半导体栅结构及其形成方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: CNB
（ 6 ） 半导体结构及其制造方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: US**B2
（ 7 ） 具有含碳绝缘层的肖特基势垒晶体管及其制备方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CNB
（ 8 ） 具有SiGeSn源漏的MOSFET及其形成方法, 2017, 第 3 作者, 专利号: CNB
（ 9 ） 具有隧穿介质层的栅控肖特基结场效应晶体管及形成方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CNB
（ 10 ） 具有隧穿介质层的栅控肖特基结场效应晶体管及形成方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: US**B2
（ 11 ） 多晶薄膜制备方法、多晶薄膜及由其制备的薄膜晶体管, 2016, 第 3 作者, 专利号: CNB
（ 12 ） GeSn层及其形成方法, 2016, 第 3 作者, 专利号: US**B2
（ 13 ） 多晶薄膜制备方法、多晶薄膜及由其制备的薄膜晶体管, 2014, 第 3 作者, 专利号: US**B2


出版信息
发表论文（1）Novel Sn-assisted nitridation of Ge/HfO2 interface and improved electrical properties of the MOS capacitor,Japanese Journal of Applied Physics,2014,第1作者
（2）Effective interface passivation of a Ge/HfO2 gate stack using ozone pre-gate treatment and ozone ambient annealing,Journal of Semiconductors,2013,第1作者
（3）Improved electrical properties of Ge metal-oxide-semiconductor devices with HfO2 gate dielectrics using an ultrathin GeSnO x film as the surface passivation layer,APPLIED PHYSICS LETTERS,2013,第1作者
（4）Effect of Er ion implantation on the physical and electrical properties of TiN/HfO2 gate stacks on Si substrate,SCIENCE CHINA,Physics, Mechanics & Astronomy,2013,第1作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 基于高压CMOS工艺的像素探测器关键技术研究, 主持,国家级,2016-01--2018-12
（ 2 ） 基于CMOS工艺的SiPM /APD阵列探测器件研制, 主持,市地级,2017-01--2017-12
（ 3 ） CEPC 物理研究和探测器关键技术预研, 参与,市地级,2016-01--2018-12
（ 4 ） 用于顶点探测器的高分辨低功耗SOI像素芯片的若干关键问题的研究, 参与,国家级,2016-01--2018-12
（ 5 ） 低温极低噪声读出芯片及相关技术, 参与,国家级,2017-01--2019-12
（ 6 ） 探测器关键技术预研, 参与,国家级,2016-06--2020-12
（ 7 ） 高时间分辨率的低增益雪崩二极管研制, 主持,市地级,2019-01--2019-12

参与会议（1）MCP-PMT BASE电路初步研究结果光电倍增管研制第十四次合作组会2014-09-25
（2）Enhanced Hole Mobility of Ge/GeSn pMOSFETs with a GeSnO Interface Layer and a NiGe Schottky Source/Drain2014-09-22
（3）Researches on underwater changeable scheme for Electronics part JUNO合作组会2014-07-29
（4）Effects of Sulfur Passivation on Ge/GeSn MOS Capacitors with HfO2 Gate Dielectric2013-10-27
（5）Improved electrical properties of Ge metal-oxide-semiconductor devices with HfO2 gate dielectrics using an ultrathin GeSnO x film as the surface passivation layer 2013-09-24


合作情况
项目协作单位

指导学生