MOCVD制备定向生长ZnO压电薄膜
| 外文标题 | Preparation of oriented ZnO piezoelectric film by MOCVD |
| 文献类型 | 期刊 |
| 作者 | 林煌[1];袁洪涛[2];童强[3];张阳[4];张跃[5] |
| 机构 | [1]北京航空航天大学,材料科学与工程学院,北京,100083 [2]北京航空航天大学,材料科学与工程学院,北京,100083 [3]北京航空航天大学,材料科学与工程学院,北京,100083 [4]北京航空航天大学,材料科学与工程学院,北京,100083 [5]北京航空航天大学,材料科学与工程学院,北京,100083 ↓ |
| 来源信息 | 年:2004卷:35期:z1页码范围:1358-1360,1363 |
| 期刊信息 | 功能材料ISSN:1001-9731 |
| 关键词 | ZnO薄膜;MOCVD;定向生长;压电双晶片 |
| 摘要 | 采用大气开放式金属有机化合物化学气相沉积(A-MOCVD)的方法,在普通多晶黄铜基片上制备ZnO薄膜.薄膜的SEM、XRD结果表明ZnO沿C轴取向垂直生长在基片上.综合分析ZnO自身晶体生长习性,提出了ZnO薄膜在普通多晶铜表面的生长模型.并将ZnO薄膜制备成压电双晶片元件,在光学显微镜下能观察到元件尖端产生了很大的位移量,结果表明高定向性ZnO薄膜具有优异的压电特性.该压电器件使得传统的小变形双晶片元件的数学模型失效,有必要建立新型大变形双晶片物理、数学模型. |
| 收录情况 | PKU |
| 所属部门 | 材料科学与工程学院 |
| 链接地址 | http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_gncl2004z1381.aspx |
| DOI | 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.z1.381 |
| 人气指数 | 1 |
| 浏览次数 | 1 |
| 基金 | 国家自然科学基金 |
全文
影响因子：
材料物理与化学系
dc:title:MOCVD制备定向生长ZnO压电薄膜
dc:creator:林煌;袁洪涛;童强,等
dc:date: publishDate:1753-01-01
dc:type:期刊
dc:format: Media：功能材料
dc:identifier: LnterrelatedLiterature：功能材料.2004,35(z1),1358-1360,1363.
dc:identifier:DOI：10.3321/j.issn:1001-9731.2004.z1.381
dc: identifier:ISBN:1001-9731
