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MOCVD法制备一维氧化物阵列材料

外文标题	Array materials of one-dimensional oxides prepared by MOCVD method
文献类型	期刊
作者	张跃[1];袁洪涛[2];程进[3];宋强[4]
机构	[1]北京航空航天大学材料科学与工程学院,北京航空航天大学材料科学与工程学院,北京航空航天大学材料科学与工程学院,北京航空航天大学材料科学与工程学院 北京100083,北京100083,北京100083,北京100083 [2]北京航空航天大学材料科学与工程学院,北京航空航天大学材料科学与工程学院,北京航空航天大学材料科学与工程学院,北京航空航天大学材料科学与工程学院 北京100083,北京100083,北京100083,北京100083 [3]北京航空航天大学材料科学与工程学院,北京航空航天大学材料科学与工程学院,北京航空航天大学材料科学与工程学院,北京航空航天大学材料科学与工程学院 北京100083,北京100083,北京100083,北京100083 [4]北京航空航天大学材料科学与工程学院,北京航空航天大学材料科学与工程学院,北京航空航天大学材料科学与工程学院,北京航空航天大学材料科学与工程学院 北京100083,北京100083,北京100083,北京100083 ↓
来源信息	年:2004卷:30期:10页码范围:939-943
期刊信息	北京航空航天大学学报ISSN:1001-5965
关键词	化学汽相沉积;氧化物;一维材料;阵列材料
摘要	介绍了一种新型的大气开放式金属有机物化学气相沉积(MOCVD)系统的结构及其新特点;以ZnO纳米棒阵列材料的制备为例,说明了大气开放式MOCVD法制备氧化物阵列材料的方法,并对氧化物阵列材料的制备过程进行了论述;扫描电镜研究发现这些取向生长的氧化物一维材料均垂直于基片沿某一方向生长,并且排列非常规整,具有无晶界、晶体缺陷少、体表面积小和具有特殊的尖端等特点;介绍了制备VOx,FeOx,TiO2等一元金属氧化物和ZnAlO,ZnMgO等多元掺杂金属氧化物的一维阵列材料的方法.
收录情况	PKUISTICCSCD
所属部门	材料科学与工程学院
链接地址	http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_bjhkhtdxxb200410006.aspx
DOI	10.3969/j.issn.1001-5965.2004.10.006
基金	国家自然科学基金

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材料物理与化学系张跃

dc:title:MOCVD法制备一维氧化物阵列材料
dc:creator:张跃;袁洪涛;程进,等
dc:date: publishDate:2004-10-30
dc:type:期刊
dc:format: Media：北京航空航天大学学报
dc:identifier: LnterrelatedLiterature：北京航空航天大学学报.2004,30(10),939-943.
dc:identifier:DOI：10.3969/j.issn.1001-5965.2004.10.006
dc: identifier:ISBN:1001-5965