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ITO前驱物氢氧化铟In(OH)3理论研究

外文标题	Study of indium trihydroxide In(OH)3 for ITO
文献类型	期刊
作者	Zhang, WJ[1];Wang, TM[2]
机构	北京航空航天大学理学院,北京,10083 ↓
通讯作者	Zhang, WJ (reprint author), Beijing Univ Aeronaut & Astronaut, Sch Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
来源信息	年:2004卷:53期:6页码范围:1923-1929
期刊信息	物理学报影响因子和分区ISSN:1000-3290
关键词	纳米粉末,In(OH)3,表面自由能,晶核生长
摘要	分析了铟锡氧化物IT0(Indium Tin Oxide)前驱体氢氧化铟In(OH)3的结构,理论计算了其马德隆常数和晶格能,其值分别为2.9488和-5095.21kJ/mol,并给出了晶核表面自由能近似公式和晶核生长率的近似表达式,进而计算了采用化学沉淀法制备In(OH)3纳米粉末时的晶核形成参数,In(OH)3晶核生长初期的生长率约为0.012nm/s.
收录情况	SCIE(WOS:000221946200057)PKUISTICCSCD
链接地址	http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_wlxb200406057.aspx
DOI	10.3321/j.issn:1000-3290.2004.06.057
学科	物理：综合
被引频次	1
基金	国防预研基金

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影响因子：0.813
中科院分区：

一级学科	一级分区	二级学科	二级分区
物理	4	PHYSICS, MULTIDISCIPLINARY物理：综合	4

JCR分区：

学科	分区
PHYSICS, MULTIDISCIPLINARY	Q4

暂无成果共有人
dc:title:ITO前驱物氢氧化铟In(OH)3理论研究
dc:creator:张维佳;王天民
dc:date: publishDate:2004-06-01
dc:type:期刊
dc:format: Media：物理学报
dc:identifier: LnterrelatedLiterature：物理学报.2004,53(6),1923-1929.
dc:identifier:DOI：10.3321/j.issn:1000-3290.2004.06.057
dc: identifier:ISBN:1000-3290