MOCVD法制备一维氧化锌晶须阵列材料
| 文献类型 | 学位 |
| 作者 | 袁洪涛[1] |
| 机构 | 北京航空航天大学 ↓ |
| 授予学位 | 硕士 |
| 年度 | 2004 |
| 学位授予单位 | 北京航空航天大学 |
| 语言 | 中文 |
| 关键词 | ZnO;宽带隙半导体;择优取向;金属有机物化学气相沉积 |
| 摘要 | ZnO材料在光电、压电、气敏、压敏等许多方面具有优异的性能.宽禁带ZnO半导体为直接带隙,室温带隙为3.37V,且束缚激子能高达60meV,是一种具有很大潜在应用价值的紫外半导体光电器件材料.优良的性能和广泛的应用使人们对各种ZnO材料的制备生长和性能研究保持着浓厚的兴趣.随着宽带隙半导体物理的发展,随着人们对亚微米纳米结构认识不断深入和纳米科学技术的带来得材料性能的奇特变化,使一维ZnO材料的制备及其相关研究逐渐成为一个新的方向.在该论文的工作中,自主设计和开发了一套大气开放式金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备,并在这套设备的基础上开展了的一维ZnO阵列材料的制备和研究工作.该设备独特的喷嘴设计,灵活的多气路配合使我们成功的在单晶态的Al<,2>O<,3>(0001)、Si(100)、Si(111)基片,择优取向的轧制态的Al箔、Cu箔和非晶态的玻璃三种类型的基片上沉积了高度定向、规则排列的一维ZnO晶须阵列.通过对氧化锌晶须阵列的扫描显微镜图(SEM)和X射线衍射谱(XRD)的研究发现ZnO晶须排列非常规整,直径100纳米到几微米不等,长度最长可达几十微米.晶体结构为六角晶系纤锌矿结构,沿基片表面垂直生长,沿(0001)方向高度取向.对氧化锌晶须阵列的制备过程进行了研究.除ZnO晶须阵列以外,该论文尝试对其他类型氧化锌材料的进行了研究.最后还对ZnO电子结构计算进行了尝试,建立了以64原子Zn<,32>O<,32>为基础的多个计算模型,计算了Zn<,32>O<,32>模型的能带结构、态密度和光学等性质,对含本征缺陷的ZnO模型的能带结构、态密度以及掺杂体系ZnO的电子结构进行了计算,并对计算结果进行了比较和分析. |
影响因子：
dc:title:MOCVD法制备一维氧化锌晶须阵列材料
dc:creator:袁洪涛
dc:date: publishDate:1753-01-01
dc:type:学位
dc:format: Media：北京航空航天大学
dc:identifier: LnterrelatedLiterature：北京航空航天大学.2004.
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dc: identifier:ISBN:
