硅压阻式传感器的温度特性及其补偿
| 文献类型 | 会议 |
| 作者 | 樊尚春[1];彭春荣[2] |
| 机构 | [1]北京航空航天大学自动化学院,北京,100083 [2]北京航空航天大学自动化学院,北京,100083 ↓ |
| 会议论文集 | 中国微米/纳米第六届学术年会论文集 |
| 来源信息 | 年:2003页码范围:484-488 |
| 会议信息 | 中国微米/纳米第六届学术年会ISSN: |
| 关键词 | 压阻式传感器;硅传感器;温度补偿;电路设计;温度特性;压敏电阻 |
| 摘要 | 基于硅压阻式传感器的工艺过程与后续电路设计,讨论了减小其温度影响的措施.文中对在相同的硅基底上,采用诸如扩散、离子注入、薄膜淀积以及溅射等不同加工工艺制作实现的不同的压敏电阻特性,特别是温度特性进行了探讨和比较.针对一种具体的硅杯结构的压阻式传感器,设计、选择了加工工艺,给出了压敏电阻的近似温度补偿公式,讨论了传感器补偿电路的实现方案. |
| 所属部门 | 自动化科学与电气工程学院 |
| 全文链接 | http://d.g.wanfangdata.com.cn/Conference_7030397.aspx |
| 会议地点 | 太原 |
| 会议开始日期 | 2003-08-27 |
全文
影响因子：
dc:title:硅压阻式传感器的温度特性及其补偿
dc:creator:樊尚春;彭春荣
dc:date: publishDate:2003-08-27
dc:type:会议
dc:format: Media：中国微米/纳米第六届学术年会
dc:identifier: LnterrelatedLiterature：中国微米/纳米第六届学术年会.2003,484-488.
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