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北京航空航天大学导师教师信息介绍简介-彭守仲

本站小编 Free考研考试/2020-04-24

个人简历

彭守仲,北京航空航天大学微电子学院教师。2013年获北京航空航天大学电子信息工程专业学士学位,2015年在美国加州大学洛杉矶分校联合培养,2018年获北京航空航天大学微电子学与固体电子学专业博士学位,被评为北航优秀博士毕业生,同年入职北京航空航天大学微电子学院教师岗。
长期从事自旋电子学、新型非易失存储器、磁性材料与薄膜、微纳器件制备与测试等方面的理论和实验研究。在Nature Communications、Advanced Electronic Materials、Applied Physics Letters等高水平期刊发表SCI论文16篇,被引400余次;其中一作SCI论文6篇,被引170余次,单篇最高被引90余次,一篇论文入选Wiley半月精选论文,一篇论文入选Appl. Phys. Lett. Top Articles in Magnetics and Spintronics;申请中国发明专利6项,获授权2项,申请国际发明专利3项;参与编写工信部“十二五”规划教材1部。在微电子器件顶级会议IEDM发表一作论文1篇,该会议具有60多年历史,被誉为“微电子器件领域的奥林匹克盛会”,这是北航历史上首次在该会议发表论文,也是中国大陆首次在该会议发表磁随机存储器(MRAM)相关论文。多次参加国际磁学年会(INTERMAG)、国际磁学与磁性材料大会(MMM)等重要学术会议并做报告,参加国际自旋存储与逻辑研讨会(SML)并获最佳海报奖。主持了北航合肥创新研究院科研项目子课题1项,参与了核高基国家科技重大专项子课题、国家自然科学基金面上项目、科技部国家科技合作专项等科研项目。已指导硕士研究生4人、本科毕设4人,协助指导博士研究生2人,担任本科生班主任及学业导师。每年招收研究生2-4人、本科毕设及本科生2-4人。
近五年代表性论文:
[1] Peng S, Lu J, Li W, et al.. Field-free switching of perpendicular magnetization through voltage-gated spin-orbit torque. IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). 2019, 28.6.1-28.6.4.
[2] Peng S, Zhu D, Zhou J, et al.. Modulation of heavy metal/ferromagnetic metal interface for high-performance spintronic devices. Advanced Electronic Materials. 2019, ** :1-30.
[3] Peng S, Wang L, Li X, et al..Enhancement of perpendicular magnetic anisotropy through Fe insertion at the CoFe/W interface. IEEE Transactions on Magnetics. 2018, 54 (11):**.
[4] Peng S, Zhao W, Qiao J, et al..Giant interfacial perpendicular magnetic anisotropy in MgO/CoFe/capping layer structures. Applied Physics Letters. 2017,110 (7):072403.
[5] Peng S, Li S, Kang W, et al..Large voltage-controlled magnetic anisotropy in the SrTiO3/Fe/Cu structure. Applied Physics Letters. 2017,111 (15):152403.
[6] Peng S, Kang W, Wang M, et al..Interfacial perpendicular magnetic anisotropy in sub-20 nm tunnel junctions for large-capacity spin-transfer torque magnetic random-access memory. IEEE Magnetics Letters. 2017,8 :**.
[7] Peng S, Wang M, Yang H, et al..Origin of interfacial perpendicular magnetic anisotropy in MgO/CoFe/metallic capping layer structures. Scientific reports. 2015,5 :18173.

教育经历

[1] 2015.11-2016.11
美国加州大学洛杉矶分校 | 微电子学与固体电子学
[2] 2013.9-2018.6
北京航空航天大学 | 微电子学与固体电子学 | 博士学位 | 博士研究生毕业
[3] 2009.9-2013.6
北京航空航天大学 | 电子信息工程 | 学士学位 | 大学本科毕业

工作经历

[1] 2018.7-至今
北京航空航天大学 |微电子学院 |教师


研究方向

[1] 自旋电子学

[2] 磁随机存储器

[3] 磁性材料及薄膜

[4] 微纳器件制备及测试

[5] 第一性原理与微磁学仿真



研究领域

当前位置: 中文主页 >> 研究领域

自旋电子学
磁随机存储器
磁性材料及薄膜
微纳器件制备及测试
第一性原理与微磁学仿真


科研项目

当前位置: 中文主页 >> 科研项目

[1] 新型自旋电子存储器件研究, 北航合肥创新研究院自主立项子课题项目, 2020/01/01-2022/12/31, 在研
[2] 磁隧道结的界面磁各向异性研究, 北航博士研究生卓越学术基金, 2017/05/01-2018/05/31, 已结题
[3] 垂直磁隧道结隧穿性能研究, 北航优秀博士研究生培育基金, 2014/06/01-2015/05/31, 已结题
[4] 自旋电子非易失存储芯片关键技术研究, 科技部国合专项, 2015/04/01-2018/03/31, 已结题
[5] 基于自旋电子器件随机性的神经网络认知系统, 国家自然科学基金, 2015/01/01-2018/12/31, 已结题
[6] CoFeB/MgO磁性多层膜中自旋轨道矩与自旋转移矩耦合效应研究, 国家自然科学基金, 2016/01/01-2019/12/31, 已结题
[7] 自旋电子学1Mb随机存储器研制, 北京市科技计划课题, 2015/01/01-2017/12/31, 已结题

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论文

当前位置: 中文主页 >> 论文

[1] Peng S, Lu J, Li W, et al..Field-free switching of perpendicular magnetization through voltage-gated spin-orbit torque.IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).2019 :28.6.1-28.6.4
[2] Peng S, Zhu D, Zhou J, et al..Modulation of heavy metal/ferromagnetic metal interface for high‐performance spintronic devices.Advanced Electronic Materials.2019,** :1-30
[3] Peng S, Wang L, Li X, et al..Enhancement of perpendicular magnetic anisotropy through Fe insertion at the CoFe/W interface.IEEE Transactions on Magnetics.2018,54 (11):**
[4] Peng S, Zhao W, Qiao J, et al..Giant interfacial perpendicular magnetic anisotropy in MgO/CoFe/capping layer structures.Applied Physics Letters.2017,110 (7):072403
[5] Peng S, Li S, Kang W, et al..Large voltage-controlled magnetic anisotropy in the SrTiO3/Fe/Cu structure.Applied Physics Letters.2017,111 (15):152403
[6] Peng S, Kang W, Wang M, et al..Interfacial perpendicular magnetic anisotropy in sub-20 nm tunnel junctions for large-capacity spin-transfer torque magnetic random-access memory.IEEE Magnetics Letters.2017,8 :**
[7] Peng S, Wang M, Yang H, et al..Origin of interfacial perpendicular magnetic anisotropy in MgO/CoFe/metallic capping layer structures.Scientific reports.2015,5 :18173
[8] Peng S, Zhang Y, Wang M X, et al..Magnetic tunnel junctions for spintronics: principles and applications.Wiley Encyclopedia of Electrical and Electronics Engineering.2014,1936 :1-16
[9] Qiao J, Peng S, Zhang Y, et al..First-principles investigation of magnetocrystalline anisotropy oscillations in Co 2 FeAl/Ta heterostructures.Physical Review B.2018,97 (5):054420
[10] Wang M, Peng S, Zhang Y, et al..A multilevel cell for stt-mram realized by capping layer adjustment.IEEE Transactions on Magnetics.2015,51 (11):**
[11] Zhou J, Zhao W, Peng S, et al..High tunnel magnetoresistance in Mo/CoFe/MgO magnetic tunnel junction: A first-principles study.IEEE Transactions on Magnetics.2017,53 (11):**
[12] 赵巍胜, 王昭昊, 彭守仲, 等.STT-MRAM 存储器的研究进展.中国科学: 物理学, 力学, 天文学.2016,46 (10):107306
[13] Zhou J, Zhao W, Wang Y, Peng S, et al..Large influence of capping layers on tunnel magnetoresistance in magnetic tunnel junctions.Applied Physics Letters.2016,109 (24):242403
[14] Zeng L, Gao T, Zhang D, Peng S, et al..Novel magnetic tunneling junction memory cell with negative capacitance-amplified voltage-controlled magnetic anisotropy effect.IEEE Transactions on Electron Devices.2017,64 (12):4919
[15] Cao A, Zhang X, Koopmans B, Peng S, et al..Tuning the Dzyaloshinskii-Moriya interaction in Pt/Co/MgO heterostructures through MgO thickness.Nanoscale.2018,10 :12062
[16] Zhang D, Zeng L, Cao K, Wang M, Peng S, et al..All spin artificial neural networks based on compound spintronic synapse and neuron.IEEE transactions on biomedical circuits and systems.2016,10 (4):828
[17] Wang M, Cai W, Cao K, Zhou J, Wrona J, Peng S, et al..Current-induced magnetization switching in atom-thick tungsten engineered perpendicular magnetic tunnel junctions with large tunnel magnetoresistance.Nature communications.2018,9 (1):671
[18] Zhao W, Zhao X, Zhang B, Cao K, Wang L, Kang W, Shi Q, Wang M, Zhang Y, Wang Y, Peng S. et al..Failure analysis in magnetic tunnel junction nanopillar with interfacial perpendicular magnetic anisotropy.Materials.2016,9 (1):41

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荣誉及奖励

当前位置: 中文主页 >> 荣誉及奖励
[1]北航青年教师教学业务培训优秀学员
[2]北京航空航天大学优秀博士毕业生
[3]中航工业一等奖学金
[4]国际自旋存储与逻辑研讨会最佳海报奖
[5]博士研究生国家奖学金
[6]光华奖学金
[7]北京航空航天大学优秀本科毕业生
[8]本科生国家奖学金

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