姓名：李志国
职称：教授, 博士生导师


科研项目

ULSI中铜互连线的研究 国家自然科学基金重点项目 2000.1～2002.12

电迁徙中的回流效应及回流加固技术的研究 北京市自然科学基金 1998.8～2000.12

GaAs器件金属-半导体接触可靠性研究 国防科工委 1996.1～1999.12

HBT参数退化及界面热稳定性机理的研究 国防科工委基金 1999.1～2000.12

具有扩散阻挡层的GaAs FET欧姆接触可靠性研究 国防科工委基金 1999.9～2001.8


科研成果

DB01高反压大功率晶体管 1984年获北京市优质产品奖

半导体器件（VLSI）金属化系统可靠性研究 1995年获电子部科技进步二等奖

半导体器件新型金属化系统及其可靠性研究 1996年获北京市科技进步二等奖

半导体器件金属化布线电徙动动力学研究 1999年获北京市科技进步二等奖

代表论文

An Increase of the Electromigration Reliability of Ohmic Contacts by Enhancing Backflow Effect International Reliability Physics Symposium’95，USA 1995
An Automatic Implementation of Dynamic Electromigration Test proc IEEE,CMTS, Japan 1995
Microscopy for Evaluation of SiO2 Passivation Effect on the Morphology of Al-Cu Interconnects IUMAS-1，Australia 1996
GaAs MESFET中肖特基势垒接触退化机理的研究 半导体学报 1996
利用回流效应的新型金属化系统的研究 半导体学报 1996
VLSI金属化布线电徙动动力学温度相关性的研究 半导体学报 1998
Black方程中电流密度因子及精确测量技术的研究 电子学报 1998
Temperature gradient impaction electromigration failure in VLSI metallization 14th Annual IEEE semiconductor thermal measurement and management symposium,.USA,98 1998
Carrier freeze-out strained P-Si1-xGex layer 1998 5th Intern. Conference on Solid-State and IC Technology Proceeding, Beijing, China 1998
Numerical Calculation of Electromigration under Pulse Current with Joule Heating IEEE Transaction on Electron Devices 1999
联系方式

通讯地址： (100022) 北京工业大学电子工程学系