姓名：亢宝位
职称：教授, 博士生导师


简历

1960年毕业于郑州大学物理专业

1973－在北京工业大学电子工程系任教

研究项目

"类NPT-IGBT — 一类具有新耐压层的NPT-IGBT" 国家自然科学基金重点项目 1999.1—2002.12 "

高电流密度GAT研究" 北京市自然科学基金 1997.8—2000.8

"高压功率集成器件制造技术研究" 北京市教委 1997.8—1999.12

"新结构超高速功率双极管研究" 国家自然科学基金 1996.1—1998.12

"新一代超高速功率管研究" 北京市自然科学基金 1996.9—1998.12


论文论著

专著场效应晶体管理论基础 科学出版社 1985

译著场效应晶体管电路设计 人民邮电出版社 1988

参译半导体材料硅 科学出版社 1962

发表论文

论文A New Type of Transistor-CBT IEEE Transactions on Electron Devices 1993.10
论文Determination of the Excess Carrier Lifetime in the Collector Region of Silicon Power Bipolar Transistors IEEE Transactions on Electron Devices 1999
论文Pattern Design Optimizing of GAT Type Power Bipolar Transistors 1998 5thIntern. Conf. on Solid-State and IC Technology Proceeding Beijing ,china p.149 1998
论文Monolithically Integrated Power Devices Consisting of a GAT and a MPS Diode with Increased Switching Speed ISPSD’99（The 11th Intern. Symp. on Power Semiconductor Devices and Ics.）Toronto, Canada p.347 19
论文A Combined Power Transistor Structure for Improved Switching Performances ISPSD’95, Pacifico Yokohama，Japan p.283 1995
论文Ultra-Fast Power Bipolar Transistors Proc. of MIEL’95(1995 20th Intern. Conf. on Microelectronics) NIS，Serbia p.387 1995
论文The Temperature Dependencies of Forward Blocking Voltage and Switching Time for Triple Diffused Bipol????????????????

?ar-Static-Induction Thyristors Proc. of IPEMC’94(1994 1st Intern. Power Electronics and Motion Control Conf.) Beijing, china p.98 1994

论文Theoretical Analysis on The Temperature Dependencies of Current Gain of Normally-off Junction Field-Effect Transistors Solid-State Electronics 1993

获奖情况

氢敏MOSFET: 1993年北京市科技进步二等奖

宽温区硅半导体器件和集成电路制造技术: 1997年国家发明四等奖

全温区晶体管: 1996年电子工业部科技进步二等奖

高频高压双极功率管: 1999年北京市科技进步二等奖

双极晶体管设计穿通判据: 1995年河南省优秀论文三等奖

联系方式

通讯地址： (100022) 北京工业大学电子工程学系