孙钱
单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
地址：江苏省苏州工业园区若水路398号
邮编：215123
电话：
个人主页： http://sourcedb.sinano.cas.cn/zw/zjrck/201205/t**_**.html
实验室介绍：


个人简历 Personal resume


孙钱，现任中科院苏州纳米所研究员、博导，器件部副主任，美国耶鲁大学博士，国家优秀青年自然科学基金获得者，国家技术发明一等奖获得者。 　　2002年提前一年从中国科技大学毕业，获材料物理理学学士和计算机科学与技术工程学士双学位，并荣获郭沫若校长奖。同年以全系第一名的成绩免试推荐到中科院半导体所攻读硕士学位。2005年硕士毕业后到美国耶鲁大学深造，于2009年获得博士学位，并荣获耶鲁大学工学院五个系每年唯一的优秀博士毕业生奖Becton奖。博士毕业后在耶鲁大学电子工程系任Associate Research Scientist。2010年6月加入美国硅谷的普瑞光电公司Bridgelux Inc.，任Epi R&D Scientist，负责8英寸硅衬底GaN基高效LED的外延研发。2012年入选江苏省“双创人才”计划，2015年被评为中国电子学会优秀科技工作者。 　　近5年来主持承担了国家重点研发计划课题、863计划课题、中科院前沿科学重点研究项目、中科院科技服务网络STS计划区域重点项目、江苏省重点研发计划项目等，累计合同经费4500万元。迄今为止，在Nature Photonics、Light: Science & Applications、以及ACS Photonics等国际学术期刊上发表了90余篇被SCI收录的学术论文，总引用1300余次，H-index为23，是30余项美国和中国发明专利的发明人。应邀在国际氮化物半导体学术会议ICNS、ISSLED、Photonics West、ICMOVPE、APWS、CSW、IWUMD、ISPlasma、Semicon Taiwan等国际学术会议和产业论坛上作特邀报告30余次。现兼任SEMI中国功率及化合物半导体委员会委员、中国激光杂志社青年编辑委员会委员、《半导体学报》第12届编辑委员会委员。　　十余年以来一直致力于宽禁带半导体GaN基材料生长及新型高效LED、激光器、GaN基功率电子器件等的研发与产业化。 　　（1）在美国硅谷的普瑞光电公司工作期间，在8英寸硅衬底上实现了160流明/瓦的高光效GaN基LED。普瑞光电公司已将该技术转售给日本东芝公司，获技术转让费逾1亿美元。回国后与晶能光电有限公司进行产学研实质性合作，兼任公司硅衬底GaN基LED研发副总裁，带领团队成功研发出新一代硅衬底GaN基高效LED的外延及芯片工艺技术，并在全球率先成功产业化，2014年晶能光电基于该技术而新增的LED产品销售逾3亿人民币（毛利率逾40%）。硅衬底GaN基高效LED技术与蓝宝石衬底和碳化硅衬底的GaN基LED技术初步形成了“三足鼎立”的局面，荣获国家技术发明一等奖　　（2）2015年实现了国际上第一支硅衬底GaN基蓝紫光激光器（氮化物半导体的另一种重要光电器件）的电注入室温连续激射，有望大幅降低GaN基激光器的制造成本，加速推进我国激光显示与激光照明等战略新兴产业发展，而且还为硅基光电集成提供了一种新的技术路线。部分成果已发表在Nature Photonics 10, 595–599 (2016)，入选2016中国光学重要成果，编入科技部高新技术领域创新进展报告。　 （3）在Si衬底氮化物功率电子材料与器件方面，孙钱研究员的课题组研发出有自主知识产权的硅基GaN功率二极管和基于P型栅的增强型电力电子器件；同时还创新采用超薄AlInGaN势垒层实现了高性能的硅基GaN射频器件，在截止频率和栅极漏电等方面目前处于国际先进水平。


研究方向 Research direction


1、宽禁带半导体光电子材料
2、宽禁带半导体电子器件
3、材料生长与测试表征



招生信息 Enrollment information


优秀学生将可推荐到美国耶鲁大学、密西根大学访问交流或进一步深造，也可以推荐至国内外的一流企业工作。迄今已推荐3名博士去耶鲁作博士后研究或访问****交流，推荐毕业生去华为、武汉光迅科技、武汉新芯、无锡华润微电子等企业工作。　 招生（及招聘）方向：半导体材料与器件、材料物理、物理、光电子、微电子等。


论文专著 The monograph Researcher ID


1)Room-temperature continuous-wave electrically injected InGaN-based laser directly grown on Si - Nature Photonics - 2016年8 - 2016年第10期
2)Room-temperature continuous-wave electrically pumped InGaN/GaN quantum well blue laser diode directly grown on Si - Light: Science & Applications - 2018 - 2018年第七期
3)Room-temperature electrically injected AlGaN-based near ultraviolet laser grown on Si - ACS Photonics - 2018年 - 2018年第五期
4)High fT AlGa(In)N/GaN HEMTs Grown on Si With a Low Gate Leakage and a High ON/OFF Current Ratio - IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS - - 0741-3106
5)p-GaN Gate Enhancement-Mode HEMT Through a High Tolerance Self-Terminated Etching Process - Journal of the Electron Devices Society - 2017年 - 2017年第五期
6)Self-terminated etching of GaN with a high selectivity over AlGaN under inductively coupled Cl2/N2/O2 plasma with a low-energy ion bombardment - Applied Surface Science - 2017年 - 2017年420期
7)Unintentional incorporation of Ga in the nominal AlN spacer of AlInGaN/AlN/GaN Heterostructure - JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS - - 0022-3727
8)High-power AlGaN-based near ultraviolet light emitting diodes grown on Si(111) - Applied Physics Express - 2017年 - 2017年第10期