导师简介

姓名：彭春雨
性别：男
出生年月：1987年12月


导师类别：硕导
专业技术职称：副教授

招生专业代码及名称：080902电路与系统、085404集成电路工程

研究方向：高速低功耗静态随机存储器及其可靠性设计、存算一体化芯片设计

个人简介
安徽大学电子信息工程学院，讲师；2013年，获安徽大学电路与系统专业硕士学位。
主要从事超大规模集成电路设计、高性能低功耗高密度存储器设计；近年来主持国家自然科学基金青年项目“基于阻变存储器的NVSRAM存储系统研究”一项，以核心成员参与国家核高基重大专项项目子课题“低功耗高密度SRAM单元建库及编译器设计”和“嵌入式CPU SRAM 编译器设计关键技术研究”两项、国家重点研发计划子课题“基于超陡亚阈摆幅器件的 SRAM 存储电路设计”一项、国家自然科学基金委联合基金重点项目“基于DRAM的存算一体化芯片架构研究与电路设计”一项，国家高技术研究发展计划(863计划)项目子课题“高效的闪存转换层FTL算法研究”一项、国家自然科学基金项目5项。
在IEEE VLSI等期刊上发表SCI/EI收录论文20余篇，获得发明专利授权6项；同时担任《IEEE Transaction on VLSI system》、《IEEE ACCESS》、《IEEE Journal on Emerging and Selected Topics in Circuits and System》、《IET Circuits, Devices & Systems》、《Microelectronics Journal》、《IEEE Solid-State Circuits Letters》、《电子学报》等相关领域SCI期刊审稿人。

科研成果
[1] Chunyu Peng, et.al. Radiation-Hardened 14T SRAM Bitcell With Speed and Power Optimized for Space Application. IEEE Trans.VLSIS, Vol.27(2), pp:407-415, 2019
[2] Chunyu Peng, et.al., Average 7T1R Nonvolatile SRAM With R/W Margin Enhanced for Low-Power Application. IEEE Trans.VLSIS,, Vol.26(3), pp:584-588, 2018
[3] Chunyu Peng, et.al., Offset voltage suppressed sense amplifier with self adaptive distribution transformation technique. IEICE Electronics Express, Vol.15(10), pp: **, 2018
[4] Chunyu Peng, et.al., A radiation harden enhanced Quatro (RHEQ) SRAM cell. IEICE Electronics Express, Vol.14(18), pp: **, 2017
[5] Chunyu Peng, et.al., Read/write margin enhanced 10T SRAM for low voltage application. IEICE Electronics Express, Vol.13(12), pp:** , 2016
[6] Chunyu Peng, et.al., Additive-Calibration Scheme for Leakage Compensation of Low Voltage SRAM. IEICE Electronics Express, Vol.13(18),pp:**, 2016
[7] Chunyu Peng, et.al., A novel cascade control replica-bitline delay technique for reducing timing process-variation of SRAM sense amplifier. IEICE Electronics Express, Vol.12(5), pp:**, 2015
[8]彭春雨，李正平，谭守标，陶有武，卢文娟，闫锦龙，周永亮，陈军宁，一种串行双端复制位线电路,授权日2017.06.16,中国，ZL8.1，发明专利
[9]彭春雨，陶有武，卢文娟，闫锦龙，陈军宁，李正平，谭守标，吴秀龙， 一种双端流水线型复制位线电路,授权日2017.06.09,中国，ZL9.4发明专利
[10]彭春雨，卢文娟，黎轩，肖松松，倪吉祥，蔺智挺，李正平，谭守标，吴秀龙，陈军宁，平均7T1R的非易失性静态随机存储单元，授权日2020.06.09，中国，ZL2.1，发明专利

在研项目
[1]国家自然基金青年项目“基于阻变存储器的NVSRAM存储系统研究”，主持；
[2]国家重点研发计划子课题“基于超陡亚阈摆幅器件的SRAM存储电路设计”，排名第二；
[3]国家自然科学基金区域创新发展联合基金“基于DRAM的存算一体化芯片架构研究与电路设计”，排名第二。

获奖情况
无