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浙江大学电气工程学院导师教师师资介绍简介-盛况

本站小编 Free考研考试/2021-04-05

**
shengkuang
summary
Kuang Sheng (盛况)
College of Electrical Engineering
Zhejiang University
Hangzhou310027, China
Tel: (86)-, Email: shengk@zju.edu.cn

盛况,浙江大学求是****,博士生导师。
1995年获浙江大学电力电子技术学士,1999年获英国赫瑞瓦特大学电子及计算机工程博士,1999-2002年任英国剑桥大学博士后,2008年获美国Rugters大学终身教职;2009年至今任浙江大学电气工程学院教授、博导,2017年起至今任浙江大学电气工程学院院长。

长期从事硅基和宽禁带电力电子芯片、封装及应用研究,包括芯片设计与工艺、器件封装与测试以及在智能电网、轨道交通、新能源汽车、工业电机、各类电源等领域中的应用,2009年回国创建浙江大学电力电子器件实验室(Power Electronic Device Lab, PEDL),是国内较早开展碳化硅和氮化镓电力电子器件研发的团队。

团队承担了电力电子器件及应用领域的多个国家级、省部级和横向合作项目,包括国家重大科技专项、国家863主题项目及课题、国家重点研发计划项目及课题、自然科学基金委****基金、自然科学基金委重点项目等十余项,在器件理论、芯片研制、器件封测和应用方面取得了一些成果,包括最早报道了碳化硅(SiC)功率集成芯片、在国内较早自主研制出了系列SiC芯片和模块(600V~6000V\/最高300A,SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET)、提出沟槽型超级结SiC肖特基二极管设计方法并报道了1300V(不包括衬底0.36 mΩ?cm2,品质因子FOM达国际前列)SiC超级结二极管、提出新型垂直型氮化镓晶体管结构并报道了FOM处国际前列的芯片、基于新型单驱动方法的10kV\/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并联模块、首款10kVA基于全碳化硅器件的高压电力电子变压器、合作开发了高压大容量硅基IGBT芯片等。团队也和国内外著名企业开展合作推进成果的产业化,合作企业包括国家电网、中车、中电集团、华为、华润微电子、台达、德国英飞凌、美国福特等公司,实现了碳化硅和硅基电力电子芯片的产业化。相关的成果在国际顶级学术期刊及会议发表论文270余篇,引用次数2700次以上,获授权专利20余项(40余项申请中),2010年获浙江省自然科学二等奖,2019年获国家技术发明二等奖。

主要荣誉:
2009年,获国家教育部****
2012年,获国家****科学基金资助
2013年,获中组部“****”科技创新领军人才
2014年,获中国侨界贡献奖(创新人才)
主要奖项:
2010年,浙江省自然科学二等奖
2019年,国家技术发明二等奖(排二)
主要兼职:
l 国家863主题项目首席专家
l 国家863计划先进能源技术领域新型电力电子技术主题专家组专家(召集人)
l 国家重点研发计划项目负责人
l International Symposium on Power Semiconductor Devices and Ics(ISPSD,国际功率器件及集成电路年会)技术委员会主席,2015
l International Symposium on Power Semiconductor Devices and Ics(ISPSD,国际功率器件及集成电路年会)大会主席,2019
l IEEE高级会员
l Associate Editor, IEEE Transactions on Power Electronics
l Associate Editor, IEEE Transactions on Industrial Applications
l 中国电源学会常务理事、元器件专委会副主任


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电力电子器件和电力电子集成电路领域
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2010-07-06 19:27:17
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盛况,男,教育部****,国家****科学基金获得者,首批****入选者,863首席专家,****,博士生导师。
\r 1995年毕业于浙江大学获电力电子专业学士学位;1999年毕业于英国爱丁堡Heriot-Watt大学获计算机及电气工程博士学位;1999-2002年英国剑桥大学工程学系任博士后;2002-2009在美国Rutgers大学(即新泽西州大学)任教,获终身教职;2009-今为浙江大学电气工程学院****。
\r 主要学术兼职有:Associate Editor, IEEE Transactions on Power Electronics;Associate Editor, IEEE Transactions on Industry Applications;IEEE高级会员;美国国家科学基金(NSF)评审委员会委员;多家国际著名学术刊物审稿人,多次担任国际会议技术、国际委员会成员,ISPSD 2015技术委员会主席。
\r 研究方向为:电力电子器件及应用,主要包括:1)新型碳化硅\/氮化稼电力电子器件及集成电路;2)硅基电力电子器件;3)电力电子功率模块;4)新型器件的应用。
\r

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2021-01-25 07:20:44
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Kuang Sheng (盛况)
College of Electrical Engineering
Zhejiang University
Hangzhou310027, China
Tel: (86)-, Email: shengk@zju.edu.cn

盛况,浙江大学求是****,博士生导师。
1995年获浙江大学电力电子技术学士,1999年获英国赫瑞瓦特大学电子及计算机工程博士,1999-2002年任英国剑桥大学博士后,2008年获美国Rugters大学终身教职;2009年至今任浙江大学电气工程学院教授、博导,2017年起至今任浙江大学电气工程学院院长。

长期从事硅基和宽禁带电力电子芯片、封装及应用研究,包括芯片设计与工艺、器件封装与测试以及在智能电网、轨道交通、新能源汽车、工业电机、各类电源等领域中的应用,2009年回国创建浙江大学电力电子器件实验室(Power Electronic Device Lab, PEDL),是国内较早开展碳化硅和氮化镓电力电子器件研发的团队。

团队承担了电力电子器件及应用领域的多个国家级、省部级和横向合作项目,包括国家重大科技专项、国家863主题项目及课题、国家重点研发计划项目及课题、自然科学基金委****基金、自然科学基金委重点项目等十余项,在器件理论、芯片研制、器件封测和应用方面取得了一些成果,包括最早报道了碳化硅(SiC)功率集成芯片、在国内较早自主研制出了系列SiC芯片和模块(600V~6000V\/最高300A,SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET)、提出沟槽型超级结SiC肖特基二极管设计方法并报道了1300V(不包括衬底0.36 mΩ?cm2,品质因子FOM达国际前列)SiC超级结二极管、提出新型垂直型氮化镓晶体管结构并报道了FOM处国际前列的芯片、基于新型单驱动方法的10kV\/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并联模块、首款10kVA基于全碳化硅器件的高压电力电子变压器、合作开发了高压大容量硅基IGBT芯片等。团队也和国内外著名企业开展合作推进成果的产业化,合作企业包括国家电网、中车、中电集团、华为、华润微电子、台达、德国英飞凌、美国福特等公司,实现了碳化硅和硅基电力电子芯片的产业化。相关的成果在国际顶级学术期刊及会议发表论文270余篇,引用次数2700次以上,获授权专利20余项(40余项申请中),2010年获浙江省自然科学二等奖,2019年获国家技术发明二等奖。

主要荣誉:
2009年,获国家教育部****
2012年,获国家****科学基金资助
2013年,获中组部“****”科技创新领军人才
2014年,获中国侨界贡献奖(创新人才)
主要奖项:
2010年,浙江省自然科学二等奖
2019年,国家技术发明二等奖(排二)
主要兼职:
l 国家863主题项目首席专家
l 国家863计划先进能源技术领域新型电力电子技术主题专家组专家(召集人)
l 国家重点研发计划项目负责人
l International Symposium on Power Semiconductor Devices and Ics(ISPSD,国际功率器件及集成电路年会)技术委员会主席,2015
l International Symposium on Power Semiconductor Devices and Ics(ISPSD,国际功率器件及集成电路年会)大会主席,2019
l IEEE高级会员
l Associate Editor, IEEE Transactions on Power Electronics
l Associate Editor, IEEE Transactions on Industrial Applications
l 中国电源学会常务理事、元器件专委会副主任


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