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Na Ren （任娜）
College of Electrical Engineering
Zhejiang University
Hangzhou310027, China
Tel: (86)-, Email: ren_na@zju.edu.cn
任娜，浙江大学电气工程学院特聘副研究员，博士生导师。
2010~2015年期间博士就读于浙江大学电气工程学院，2016~2019年期间在美国加州大学洛杉矶分校做博士后。十年期间一直致力于碳化硅（SiC）电力电子器件的相关研究，其中包括SiC二极管和MOSFET器件的物理机制、结构设计、工艺技术、芯片研制、器件测试与失效分析、性能与可靠性优化等方向，并取得了一系列研究成果。在器件领域国际知名期刊与会议上共发表40篇论文，其中SCI论文23篇，获得了3项美国专利，正在申请10多项美国专利和10多项中国专利，并获得2017届电力电子领域最权威的国际学术会议（APEC）的杰出报告奖，担任2018年ECCE国际学术会议的分会场主席。2020年3月双聘至浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院，并入选2020年浙江大学杭州国际科创中心青年人才卓越计划。
在SiC电力电子器件领域已取得的研究成果包括：
1）提出了一种SiC沟槽型结势垒肖特基（TJBS）二极管的新型器件结构，并提出了一种具有优化设计方案的混合PiN结肖特基（MPS）二极管，完成了器件的仿真设计、理论建模、芯片研制、可靠性评估等工作，显著提高了SiC二极管的电学性能和浪涌、雪崩可靠性，所提出的器件技术直接应用于产品开发和系统应用，展现了优异的器件性能和系统级的应用优势。
2）成功研制出一种SiC夹断型势垒二极管（PBR）新型器件，该器件结构是一种没有肖特基接触而依靠相邻PN结势垒夹断效应形成新型势垒的二极管，有效地缓解了现有SiC肖特基二极管和PN结二极管开启电压大的问题，所开发的器件技术正在应用于产品开发，有望突破现有技术的瓶颈。
3）提出了等离子体扩散层结构设计，完成了作用机理的仿真验证与完整器件的实验研制，实验结果表明该结构可以显著提高SiC二极管和MOSFET器件的可靠性，从而实现器件性能与可靠性之间的优化权衡。
4）研究了SiC MOSFET器件结构参数包括JFET宽度、P well掺杂浓度、沟道长度、沟槽型结构中沟槽宽度和屏蔽结构对器件性能与可靠性的影响，基于对器件工作机理的理解，完成了优化结构设计与实验研制，成功研制出了280mΩ~80mΩ 1200V SiC MOSFET芯片，并针对SiC MOSFET器件的雪崩、浪涌、短路等系列可靠性问题进行了深入研究，对各种电流冲击模式下的失效机制、重复脉冲电流应力下的退化机制进行了深入研究，提出了器件结构优化方法，显著提高器件的电学性能和可靠性，所提出的器件技术直接应用于产品开发和系统应用，展现了优异的器件性能和系统级的应用优势。
5）提出了适用于高压SiC晶闸管器件的新型终端结构：Single-Mask Implantation-Free Technique Based on Aperture Density Modulation for Termination in High-Voltage SiC Thyristors，通过实验研制实现了接近10kV的阻断电压，并实现了SiC GTO芯片的仿真设计、工艺技术开发与实验研制。
学术兼职：
在2018年电力电子领域顶级国际学术会议IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE)担任技术分会的会场主席(Technical Session Chair)
在2020年APS第六届国际汽车动力系统峰会暨电驱总成与匹配技术高峰论坛，担任电驱关键技术专场主持人。
担任IEEE Transactions on Electron Devices，IEEE Transactions on Power Electronics，IEEE Transactions on Industrial Electronics，IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics，IET Journals，Chinese Physics B等国际著名学术期刊审稿人。
研究生招生与培养：
实验室每年招收踏实肯干、积极努力的硕士生和博士生2~3名。欢迎对电力电子器件感兴趣的同学加入，有意者请将个人简历发至ren_na@zju.edu.cn
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Na Ren （任娜）
College of Electrical Engineering
Zhejiang University
Hangzhou310027, China
Tel: (86)-, Email: ren_na@zju.edu.cn
任娜，浙江大学电气工程学院特聘副研究员，博士生导师。
2010~2015年期间博士就读于浙江大学电气工程学院，2016~2019年期间在美国加州大学洛杉矶分校做博士后。十年期间一直致力于碳化硅（SiC）电力电子器件的相关研究，其中包括SiC二极管和MOSFET器件的物理机制、结构设计、工艺技术、芯片研制、器件测试与失效分析、性能与可靠性优化等方向，并取得了一系列研究成果。在器件领域国际知名期刊与会议上共发表40篇论文，其中SCI论文23篇，获得了3项美国专利，正在申请10多项美国专利和10多项中国专利，并获得2017届电力电子领域最权威的国际学术会议（APEC）的杰出报告奖，担任2018年ECCE国际学术会议的分会场主席。2020年3月双聘至浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院，并入选2020年浙江大学杭州国际科创中心青年人才卓越计划。
在SiC电力电子器件领域已取得的研究成果包括：
1）提出了一种SiC沟槽型结势垒肖特基（TJBS）二极管的新型器件结构，并提出了一种具有优化设计方案的混合PiN结肖特基（MPS）二极管，完成了器件的仿真设计、理论建模、芯片研制、可靠性评估等工作，显著提高了SiC二极管的电学性能和浪涌、雪崩可靠性，所提出的器件技术直接应用于产品开发和系统应用，展现了优异的器件性能和系统级的应用优势。
2）成功研制出一种SiC夹断型势垒二极管（PBR）新型器件，该器件结构是一种没有肖特基接触而依靠相邻PN结势垒夹断效应形成新型势垒的二极管，有效地缓解了现有SiC肖特基二极管和PN结二极管开启电压大的问题，所开发的器件技术正在应用于产品开发，有望突破现有技术的瓶颈。
3）提出了等离子体扩散层结构设计，完成了作用机理的仿真验证与完整器件的实验研制，实验结果表明该结构可以显著提高SiC二极管和MOSFET器件的可靠性，从而实现器件性能与可靠性之间的优化权衡。
4）研究了SiC MOSFET器件结构参数包括JFET宽度、P well掺杂浓度、沟道长度、沟槽型结构中沟槽宽度和屏蔽结构对器件性能与可靠性的影响，基于对器件工作机理的理解，完成了优化结构设计与实验研制，成功研制出了280mΩ~80mΩ 1200V SiC MOSFET芯片，并针对SiC MOSFET器件的雪崩、浪涌、短路等系列可靠性问题进行了深入研究，对各种电流冲击模式下的失效机制、重复脉冲电流应力下的退化机制进行了深入研究，提出了器件结构优化方法，显著提高器件的电学性能和可靠性，所提出的器件技术直接应用于产品开发和系统应用，展现了优异的器件性能和系统级的应用优势。
5）提出了适用于高压SiC晶闸管器件的新型终端结构：Single-Mask Implantation-Free Technique Based on Aperture Density Modulation for Termination in High-Voltage SiC Thyristors，通过实验研制实现了接近10kV的阻断电压，并实现了SiC GTO芯片的仿真设计、工艺技术开发与实验研制。
学术兼职：
在2018年电力电子领域顶级国际学术会议IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE)担任技术分会的会场主席(Technical Session Chair)
在2020年APS第六届国际汽车动力系统峰会暨电驱总成与匹配技术高峰论坛，担任电驱关键技术专场主持人。
担任IEEE Transactions on Electron Devices，IEEE Transactions on Power Electronics，IEEE Transactions on Industrial Electronics，IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics，IET Journals，Chinese Physics B等国际著名学术期刊审稿人。
研究生招生与培养：
实验室每年招收踏实肯干、积极努力的硕士生和博士生2~3名。欢迎对电力电子器件感兴趣的同学加入，有意者请将个人简历发至ren_na@zju.edu.cn
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