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个人简介
斯剑霄，男，1979年7月出生，高级工程师。1997年9月进入浙江师范大学物理系学习，2001年7月获理学学士学位，同年留校工作。2004年9月在浙江大学物理系凝聚态专业攻读博士学位，2009年6月获凝聚态物理专业博士学位。主要从事窄带隙IV-VI族半导体材料热电及光电器件研究工作。




研究方向
IV-VI族半导体光电、热电功能材料



教育经历
2004-9~2009-6
 浙江大学 | 物理学 | 博士学位 | 博士研究生毕业 

1997-9~2001-8
 浙江师范大学 | 物理学 | 学士学位 | 大学本科毕业 



工作经历
2001-9~至今
 数理与信息工程学院 | 浙江师范大学 




社会兼职
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团队成员
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[ 斯剑霄]


高级工程师

性别：男
电子邮箱：
入职时间：2001-08-01
在职信息：在岗
所在单位：物理与电子信息工程学院
学历：博士研究生毕业
学位：博士学位
学科：物理学
毕业院校：浙江大学
办公地点：21-507
联系方式：浙江金华迎宾大道688号浙江师范大学21-507

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科研项目
窄带隙IV-VI 族半导体反常带隙变化研究, 结题
熔体旋甩非热平衡条件对SnSe多尺度成键及热电性能的影响, 在研
PbTe/CdTe 纳米颗粒界面和能带的“人工裁剪”对热电性能影响的研究, 国家自然科学基金青年项目, 结题
著作成果
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专利
热电材料快速感应熔炼装置
熔体旋甩结合感应热压制备碲化铅合金热电材料的方法
一种叠片式非晶电机定子铁芯浸漆固化方法
铁磁性金属丝的拉丝转盘
论文成果MORE
Effect of substrate temperature on structural and thermoelectric properties of RF magnetron sputtered SnSe thin film.Functional Materials Letters,12:**.
Influence of Local Heterojunction on the Thermoelectric Properties of Mo-SnSe Multilayer Films Deposited by Magnetron Sputtering.Journal of Electronic Materials,,48:1153-1158.
Enhanced Thermoelectric Performance of n-Type Polycrystalline SnSe Via MoCl5 Doping..Journal of Electronic Materials(49):621
斯剑霄.热电参数测量实验仪器设计与研制.实验技术与管理.2014(第5期):87-90
Shi Dan Yang.Influence of Sodium Chloride Doping on Thermoelectric Properties of p-type SnSe.Journal of Electronic Materials.2017,Vol.46(No.11):6662-6668
研究领域
研究领域为IV-VI族半导体光电、热电功能材料，在PbTe薄膜及其低维量子结构外延生长、能带结构分析等领域开展了一定的研究工作，近年来，在IV-VI族热电材料制备及其热电性能提高方面开展研究工作，研究PbTe和SnSe材料的结构和热电输运的特性。




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Enhanced thermoelectric performance of SnSe doped with layered MoS₂/graphene.Materials Letters.2017,Vol.193:146-149
Energy band alignment of PbTe/CdTe（111） interface determined by ultraviolet photoelectron spectra using synchrotron radiation.中国物理：英文版.2010,第19卷(第7期):501-505
Molecular Beam Epitaxy Growth and Surface Structural Characteristics of PbTe(111) Thin Film.Acta Physico-Chimica Sinica.2017,Vol.33(No.2):419-425
High thermoelectric properties of n-type Cd-doped PbTe prepared by melt spinning.Scripta Materialia.2016,Vol.122:1-4
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