姓名： 陈达
性别： 男
职称： 讲师
电子邮箱： chenda@nbu.edu.cn
研究方向： 高迁移率半导体材料
办公电话：
通讯地址：
职务：


学术型
院系名称 招生级别 一级学科名称 二级学科/方向
物理科学与技术学院 硕士 物理学 固体电子物理


个人简介
教育背景： 2010/09-2015/06，兰州大学，物理科学与技术学院，博士，导师：刘肃
2006/09-2010/06，兰州大学，物理科学与技术学院，学士

工作经历： 2015/07-至今， 宁波大学，物理科学与技术学院，讲师
目前从事的主要研究工作： 新型功能材料制备及器件研究


目前承担的主要科研项目
项目名称 项目来源 项目编号 项目起止时间
面向超薄SOI材料的新型层转移技术及其机理研究
国家自然科学基金/青年项目
**
2017-01;2019-12

面向GOI材料的氢吸附剥离行为及物理机制研究
宁波市自然科学基金项目
2017A610104
2016-01;2017-12


主持完成的主要科研项目
项目名称 项目来源 项目起止时间 项目编号 结题日期
石墨烯调制铪基高k/锗界面性质研究
物理学重中之重开放课题项目
2016-07;2017-07

2017-12


代表性学术论文
题目 发表刊物名称 本人署名情况 发表时间 收录情况
Exceptional cracking behavior in H-implanted Si/B-doped Si0.70Ge0.30/Si heterostructures
Applied Physics Express
第一作者及通讯作者
2018-11
SCI三区

Controllable cracking behavior in Si/Si0.70Ge0.30/Si heterostructure by tuning the H1 implantation energy
APPLIED PHYSICS LETTERS
第一作者及通讯作者
2017-08
SCI二区

Investigation of low-fluence hydrogen implantation-induced cracking in B doped Si0.70Ge0.30
Journal of Vacuum Science & Technology B
第一作者及通讯作者
2017-06
SCI三区