姓名： 陈王华
性别： 男
职称： 教授
电子邮箱： chenwanghua@nbu.edu.cn
研究方向： 半导体纳米线和薄膜的制备及器件
办公电话：
通讯地址：
职务：


学术型
院系名称 招生级别 一级学科名称 二级学科/方向
物理科学与技术学院 硕士 物理学 凝聚态物理


个人简介
教育背景： 学位 时间 国家 院校 专业
学士 2002.09 – 2006.06 中国 宁波大学 物理
硕士 2006.10 – 2008.06 法国 鲁昂大学 材料物理
博士 2008.10 – 2011.12 法国 鲁昂大学 材料科学

工作经历： 职务 时间 国家 单位
博士后 2012.01 – 2012.12 法国 鲁昂材料物理研究所
博士后 2013.01 – 2018.09 法国 巴黎综合理工学院
教授 2018.10 – 至今 中国 宁波大学
目前从事的主要研究工作： 陈王华博士对低温等离子体处理、三维原子探针层析、气相沉积系统中半导体纳米线的制备机理和生长控制、半导体纳米线的原子尺度表征、半导体纳米线的输运和光电特性，及其在半导体外延和高性能晶硅太阳能电池钝化做出了一系列原创性研究。其中以第一或通讯作者在 Nature Communications, Progress in Photovoltaics, Solar Energy Materials Solar Cells 等国际一流学术期刊上发表学术论文20 余篇，参加国际会议 20 余次。学术专著（章节）1 本。文章引用次数720余次。获得国际发明专利授权3项。和国内外院校以及研究院建立了良好的合作关系，包括法国巴黎综合理工学院、法国鲁昂大学、美国芝加哥大学、欧洲微电子中心（IMEC）和南京大学等等。


目前承担的主要科研项目
项目名称 项目来源 项目编号 项目起止时间
纳米线
学术带头人科研启动费
028_
2018-10;2022-10


代表性学术论文
题目 发表刊物名称 本人署名情况 发表时间 收录情况
Powder free PECVD epitaxial silicon by plasma pulsing or increasing the growth temperature
Journal of Physics D
第一作者及通讯作者
2018-05
SCI二区

Nanophotonics-based low-temperature PECVD epitaxial crystalline silicon solar cells
Journal of Physics D
第一作者及通讯作者
2016-03
SCI二区

Excellent Surface Passivation and Light Absorption in Crystalline Si via Low-Temperature Si Nanowire Growth
IEEE Journal of Photovoltaics
第一作者及通讯作者
2016-04
SCI二区

Three-dimensional atomic mapping of hydrogenated polymorphous silicon solar cells
Applied Physics Letters
第一作者及通讯作者
2016-06
SCI二区

Insights into gold-catalyzed plasma-assisted CVD growth of silicon nanowires
Applied Physics Letters
第一作者及通讯作者
2016-07
SCI二区

Ultrathin PECVD epitaxial Si solar cells on glass via low‐temperature transfer process
Progress in Photovoltaics
通讯作者
2016-03
SCI一区

Influence of anodic bonding on the surface passivation quality of crystalline silicon
Solar Energy Materials and Solar Cells
第一作者及通讯作者
2016-12
SCI一区

Influence of deposition rate on the structural properties of plasma-enhanced CVD epitaxial silicon
Scientific reports
第一作者及通讯作者
2017-03
SCI三区

Growth of tetragonal Si via plasma-enhanced epitaxy
Crystal Growth & Design
第一作者及通讯作者
2017-06
SCI二区

Rational design of nanowire solar cells: from single nanowire to nanowire arrays
Nanotechnology
第一作者
2019-02
SCI二区

Growth of In-Plane Ge 1-x Sn x Nanowires with 22 at.% Sn Using Solid-Liquid-Solid Mechanism
The Journal of Physical Chemistry C
通讯作者
2018-10
SCI二区

Incorporation and redistribution of impurities into silicon nanowires during metal-particle-assisted growth
Nature Communications
第一作者及通讯作者
2014-06
SCI一区


出版著作和教材情况
著作名称 出版社名称 出版时间 本人排名
Using atom probe tomography in the study of semiconductor nanowires
Elsevier
2015-03
第一名


授权发明专利
专利名称 专利号 授权公告日 本人排名
Opto-electronic device with textured surface and method of manufacturing thereof
WOA1
2016-06-29
第二名

Method of manufacturing porous epitaxy
FR**A1
2019-05-17
第二名

GeSn alloy nanofilament, preparation and uses
WOA1
2019-09-06
第二名