姓名： 王刚
性别： 男
职称： 副教授
电子邮箱： gangwang@nbu.edu.cn
研究方向： 新型功能材料及光电器件
办公电话： **
通讯地址： 浙江省宁波市江北区风华路818号宁波大学龙赛理科楼406
职务：


学术型
院系名称 招生级别 一级学科名称 二级学科/方向
物理科学与技术学院 硕士 物理学 固体电子物理


个人简介
教育背景： 2007-2011年就读于兰州大学，获得学士学位；
2011-2016年，保研兰州大学，进行硕博连读，获得博士学位；
2011-2016年，中国科学院上海微系统与信息技术研究所联合培养，获得博士学历；
工作经历： 1. 在上海烯望材料科技术有限公司担任技术咨询顾问一职，帮助公司提供技术解决方案；
2. 在浙江省石墨烯制造业创新中心担任石墨烯量子点创新团队负责人，致力于石墨烯量子点的规模化生产。
目前从事的主要研究工作： 主要从事新型碳材料（零维石墨烯量子点、二维石墨烯连续膜和三维石墨烯纳米墙）的制备及其生物应用和光电应用的研究。以第一作者及通讯作者在Nat. Commun., Adv. Energy Maters., Adv. Funct. Mater., (封面文章)，ACS Appl. Mater. Interfaces., Appl. Phys. Lett., 等国际学术刊物发表SCI论文30篇，共同作者发表40余篇，引用1200余次。申请国内发明专利40余件，授权26件。申请国际发明专利2件，授权1件。


目前承担的主要科研项目
项目名称 项目来源 项目编号 项目起止时间
等离子体增强CVD法低温制备锗基单晶石墨烯连续膜
国家自然科学基金/青年科学基金项目
**
2018-01;2020-12

水平、无缝拼接的石墨烯p-n结的制备及其光电应用
学校科研基金(理)/基金项目
XYL18024
2018-01;2019-12

基于离子注入技术构建面内石墨烯p-n结及其光电探测器
国家重点实验室/开放基金
无
2018-01;2019-12

碳基二维半导体材料C3N的可控制备、物性与器件研究
联合参与外单位项目/单位参与国家级科研项目
**
2018-01;2021-12

低温等离子体化学气相沉积法制备锗基石墨烯材料
省教育厅(理)/科研计划
Y
2016-10;2018-12

半导体基石墨烯材料制备技术开发
宁波高科联合生物科技有限公司
HK
2019-04;2020-05


主持完成的主要科研项目
项目名称 项目来源 项目起止时间 项目编号 结题日期
低温等离子体化学气相沉积法制备锗基石墨烯材料
省教育厅(理)/科研计划
2016-10;2018-12
Y
2019-06


代表性学术论文
题目 发表刊物名称 本人署名情况 发表时间 收录情况
μ-Graphene Crosslinked CsPbI3 Quantum Dots for High Efficiency Solar Cells with Much Improved Stability
ADVANCED ENERGY MATERIALS
通讯作者
2018-08
SCI一区

Facile and Highly Effective Synthesis of Controllable Lattice Sulfur-Doped Graphene Quantum Dots via Hydrothermal Treatment of Durian
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES
第一作者及通讯作者
2018-02
SCI一区

Interfacial monolayer graphene growth on arbitrary substrate by nickel-assisted ion implantation
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE
通讯作者
2018-02
SCI三区

Direct integration of polycrystalline graphene on silicon as a photodetector via plasma-assisted chemical vapor deposition
Journal of Materials Chemistry C
通讯作者
2018-09
SCI一区

Insights into the Oxidation Mechanism of sp2?sp3 Hybrid Carbon Materials: Preparation of a Water-Soluble 2D Porous Conductive Network and Detectable Molecule Separation
Langmuir
通讯作者
2017-01
SCI二区

Green, Rapid, and Universal Preparation Approach of Graphene Quantum Dots under Ultraviolet Irradiation
ACS Applied Materials & Interfaces
通讯作者
2017-04
SCI一区

Barrier-assisted ion beam synthesis of transfer-free graphene on an arbitrary substrate
Applied Physics Letters
第一作者及通讯作者
2019-09
SCI二区

Controllable Growth of Vertically-oriented Graphene for High Sensitivity Gas Detection
Journal of Materials Chemistry C
通讯作者
2019-04
SCI一区

Nitrogen-Doped Graphene Quantum Dots for 80% Photoluminescence Quantum Yield for Inorganic γ-CsPbI3 Perovskite Solar Cells with Efficiency beyond 16%
Journal of Materials Chemistry A
通讯作者
2019-02
SCI一区

Seamless lateral graphene p–n junctions formed by selective in situ doping for high-performance photodetectors
Nature Communications
第一作者
2018-12
SCI二区

Promising Fast Energy Transfer System Between Graphene Quantum Dots and the Application in Fluorescent Bio-imaging
Langmuir
第一作者及通讯作者
2018-11
SCI二区

Ambipolar Graphene-Quantum Dot Phototransistors with CMOS Compatibility
Advanced Optical Materials
通讯作者
2018-10
SCI一区

Graphene: Synthesis of Layer-Tunable Graphene: A Combined Kinetic Implantation and Thermal Ejection Approach
Advanced Functional Materials
第一作者
2015-03
SCI一区


授权发明专利
专利名称 专利号 授权公告日 本人排名
一种石墨烯调制的高K金属栅Ge基MOS器件的制作方法
B
2015-08-26
第三名

层数可控石墨烯的生长方法
B
2015-09-30
第二名

锗基石墨烯的抗菌用途
B
2018-04-27
第二名

掺杂石墨烯及石墨烯PN结器件的制备方法
B
2018-07-06
第二名

一种石墨烯的制备方法
A
2014-01-22
第二名