姓 名:
郭旗 性 别:
男
职 务:
职 称:
研究员(自然科学)
通讯地址:
乌鲁木齐市北京南路40号附1号
邮政编码:
830011 电子邮件:


简历：
郭旗，男，汉族，1964年生于新疆。中国科学院新疆理化技术研究所研究员，硕士生导师。中国电子学会及中国核学会核电子学与核探测技术分会委员。
长期从事电子元器件辐射效应、辐射损伤机理、模拟试验技术和空间辐射环境在轨测量技术研究；先后主持863等国家级科研项目十余项；获新疆维吾尔自治区科技进步二等奖2项，中国科学院和新疆维吾尔自治区科技进步三等奖各1 项；获国家发明专利授权一项；在国内外期刊发表论文数十篇。

主要研究领域：
半导体器件和集成电路总剂量辐射效应机理、模拟试验方法、空间辐射环境在轨测量技术等研究。
1. 新型半导体器件和集成电路总剂量辐射效应机理研究
研究光电器件、大规模集成电路等的总剂量辐射效应规律和辐射损伤物理机制，为新型器件和集成电路的空间辐射效应模拟试验和抗辐射加固技术提供理论依据和支撑。
2. 新型电子元器件总剂量辐射效应模拟试验方法
光电成像器件、大规模集成电路辐射效应测试技术研究、损伤失效模式、辐射损伤表征方法、模拟试验技术和评估方法研究。
3. 空间辐射环境在轨测量技术研究
利用半导体器件、材料和电离辐射效应研制开发适用于空间环境在轨测量的辐射剂量监测技术和设备。

代表性文章 REPRESENTATIVE PUBLICATIONS
1. SiGe HBT与Si BJT的60Coγ射线总剂量辐照效应比较，牛振红，郭旗，任迪远，刘刚，高嵩, 固体电子学研究与进展， 2007（27）3。
2. 多结太阳电池辐射损伤的电致发光研究，牛振红，郭旗，任迪远，高嵩，刘刚，戴康，固体电子学研究与进展，2008（28）1。
3. 一种国产GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子辐照特性，牛振红，郭旗，任迪远，刘刚，高嵩，徐寿岩，孙彦铮，肖志斌，核技术，2007（30）1。
4. SiGe HBT 60Coγ射线辐照效应及退火特性，牛振红，郭旗，任迪远，刘刚，高嵩, 半导体学报，2006（27）9。
5. 大规模存贮器电离辐射试验方法，匡治兵，郭旗，吾勤之，任迪远，陆妩, 微电子学，2005（35）5。
6. 80C31单片机电路总剂量效应研究，匡治兵，郭旗，任迪远，李爱武，汪东，微电子学， 2005（35）6。
7. 剂量率对PMOS剂量计辐射响应的影响，孙静，郭旗，张军，任迪远，陆妩，余学锋，文林，王改丽，郑玉展，微电子学，2009（39）1。

研究领域：
物理学
社会任职：

获奖及荣誉：

代表论著：

承担科研项目情况：

代表论著：