姓 名:
陆妩 性 别:
女
职 务:
职 称:
研究员(自然科学)
通讯地址:
乌鲁木齐市北京南路40号附1号
邮政编码:
830011 电子邮件:
luwu@ms.xjb.ac.cn

简历：
陆妩，女，汉族，1962年生于新疆。九三学社社员，理学硕士，现任中国科学院新疆理化技术研究所研究员，博士生导师。
陆妩同志长期从事微电子器件和线性模拟电路的辐射效应、损伤机理及抗辐射加固技术的研究工作。多年来，作为项目负责人及主要完成人，先后主持并承担了该领域国家863、国家自然科学基金等研究项目二十余项。曾获得中科院科技进步一、三等奖各1项；新疆维吾尔自治区科技进步二、三等奖各1项；“八五”中国科学院“先进集体”奖1项。近期主要从事双极类器件和电路的低剂量率辐射损伤增强效应，以及实验室加速模拟评估方法的研究。目前已培养研究生9人（博士2人、硕士7人），发表论文90余篇。

　　陆妩同志主要的学术兼职有： 新疆大学的兼职教授，国家自然科学基金的评审专家，《Journal of Semiconductors》、《原子能科学技术》、《NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES》等国内核心期刊的论文评审专家。

　　陆妩同志曾获得中国科学院新疆分院、中国科学院新疆物理研究所、中国科学院新疆理化技术研究所的先进女职工、先进工作者、优秀工作者等荣誉称号十余项。2009年获新疆维吾尔自治区直属机关“巾帼建功标兵”称号。

主要研究领域：
1． 模拟电路和器件的总剂量辐射效应及损伤机理研究；
2． 模拟电路和器件的辐射损伤评估方法研究；
3． 模拟电路和器件的抗辐射加固技术研究；





代表性文章 REPRESENTATIVE PUBLICATIONS
1 LU Wu REN Diyuan ZHENG Yuzhan GUO Qi YU Xuefeng ，An Accelerated Simulation Method for ELDRS of Bipolar Operational Amplifiers Using a Dose-Rate Switching Experiment，Journal of Semiconductors, 2008，29（7）：1286.
2 陆妩，任迪远，郭旗，余学峰，艾尔肯，“运算放大器不同剂量率的辐射损伤效应”半导体学报，2005,26（7）：1464.
3 陆妩，任迪远，郭旗，余学峰，艾尔肯，“JFET输入运算放大器不同剂量率的辐照和退火特性”，核技术，2005，28（10）：755。
4 陆妩，余学峰，任迪远，艾尔肯，郭旗，“双极晶体管不同剂量率的辐射效应和退火特性”核技术，2005，28（12）：925。
5 陆妩，余学峰，任迪远，郭旗，郑毓峰，张军，“辐射感生漏电流对CMOS运算放大器特性的影响”，固体电子学研究与进展，2004，24（2）：182。

研究领域：
物理学类其他专业
社会任职：

获奖及荣誉：

代表论著：

承担科研项目情况：

代表论著：