姓 名:
李豫东 性 别:
男
职 务:
职 称:
研究员(自然科学)
通讯地址:
乌鲁木齐市北京南路40号附1号
邮政编码:
830011 电子邮件:


简历：
李豫东，男，汉族，1982年生于新疆伊犁，工学博士，中国科学院新疆理化技术研究所研究员。2004年7月毕业于吉林大学，电气工程及其自动化专业，获工学学士学位，2009年6月于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，光学工程专业，获工学博士学位，2009年7月到中国科学院新疆理化技术研究所参加工作。

主要研究领域：
半导体器件和集成电路的辐射效应与机理、模拟试验方法、试验系统研究。
1. 光电材料与器件的辐射效应与机理研究
研究光电器件、光电材料与光学材料的辐射效应规律和辐射损伤物理机制。
2. 新型电子元器件辐射效应模拟试验方法
光电成像器件、大规模集成电路的辐射效应测试技术、损伤失效模式、辐射损伤表征方法、模拟试验技术和评估方法研究。
3. 新型电子元器件辐射效应试验系统研究
光电成像器件、大规模集成电路的测试方法研究与测试设备的研制。

代表性文章：
1.李豫东，张立国，任建岳，空间光学遥感器中Flash存储器的辐射效应与加固，光学精密工程, 2008,16(10):1858-1863.
2.李豫东，任建岳，金龙旭，张立国，SRAM、ROM的总剂量辐射效应及损伤分析，光学精密工程, 2009,17(4): 787-793.
3.李豫东，郭旗，陆妩等，CCD在不同注量率电子辐照下的辐射效应研究，原子能科学技术，2012,3(46):347-350.
4.李豫东，任建岳，金龙旭，面向对象的嵌入式系统电源管理模型，计算机工程, 2009,35(9): 14-16.
5.张立国，李豫东，刘则洵等，TDI-CCD总剂量辐射效应及测试，光学精密工程, 2009,17(12):2924-2930.
研究领域：
物理学
社会任职：

获奖及荣誉：

代表论著：

承担科研项目情况：

代表论著：