姓 名:
艾尔肯·阿不都瓦衣提 性 别:
男
职 务:
职 称:
研究员(自然科学)
通讯地址:
乌鲁木齐市北京南路40号附1号
邮政编码:
830011 电子邮件:
erkin@ms.xjb.ac.cn

简历：
　　艾尔肯·阿不都瓦衣提，男，维吾尔族，1972年11月生，中国科学院新疆理化技术研究所固体辐射物理实验室研究员。1997年毕业于北京大学技术物理系原子核物理专业获学士学位；2002年在中国科学院新疆理化技术研究所微电子专业获得硕士学位；2005年赴芬兰攻读博士，2008年在芬兰Aalto大学微纳米系光电子专业获得博士学位。2009至2014年，在芬兰Aalto大学微纳米系做博士后研究员。在芬兰学习和工作期间一直从事MOCVD生长III-V族光电半导体材料的研究工作。2014年3月入选中组部“****”新疆项目，受聘于中国科学院新疆理化技术研究所。

主要研究领域：

III-V族化合物光电半导体材料的生长、表征和应用；MOCVD和MBE生长技术；新型光伏材料和器件；光电材料及器件辐射效应和辐射机理；光电材料及器件辐射加固技术。

代表性文章:

　　1. A. Olsson, A. Aierken, H. Jussila, J. Bauer, J. Oksanen, O. Breitenstein, H. Lipsanen, J. Tulkki, “Yield and leakage currents of large area lattice matched InP/InGaAs heterostructures”, Journal of Applied Physics, 2014, 116:083105

　　2. P. Mattila, M. Bosund, H. Jussila, A. Aierken, J. Riikonen, T. Huhtio, H. Lipsanen, M.Sopanen, “Properties of atomic-layer-deposited ultra-thin AlN films on GaAs surfaces”, Applied Surface Science, 2014, 314:570-574

　　3. A. Olsson, A. Aierken, J. Oksanen, S. Suihkonen, H. Lipsanen, J. Tulkki, “Temperature dependence of droop onset in optically pumped intrinsic InGaAs/InP heterostructures”, Applied Physics Letters, 2013, 102:081123

　　4. A. Aierken, Q. Guo, T. Huhtio, M. Sopanen, Ch. F. He, Y. D. Li, L. Wen, D. Y. Ren, “Optical properties of electron beam andgamma-ray irradiated InGaAs/GaAs quantum well and quantum dot structures”, Radiation Physics and Chemistry, 2012, 83:42-47

　　5. S. Nagarajan, M. Ali, H. Jussila, P. Mattila, A. Aierken, M. Sopanen, H. Lipsanen, “Characterization of InGaAs/GaNAsstrain-compensated quantum dot solar cells”，Physica Status Solidi (c), 2012, 9:972-974

　　6. S. Nagarajan, A. Aierken, H. Jussila, K. Banerjee, M. Sopanen, H. Lipsanen, “Enhanced 1.3 μm luminescence from InGaAs self-assembled quantum dots with a GaAsN strain-compensating layer”, Semiconductor Science and Technology, 2011, 26:085029

　　7. M. Bosund, P. Mattila, A. Aierken, T. Hakkarainen, H. Koskenvaara, M. Sopanen, V-M. Airaksinen, H. Lipsanen, “GaAs surface passivation by plasma enhanced atomiclayer deposited aluminum nitrides”, Applied Surface Science, 2010, 256:7434-7437

　　8. A. Aierken, T. Hakkarainen, J. Riikonen, M. Sopanen, “InAs island-to-ring transformation by a partial capping layer”, Journal of Crystal Growth, 2008, 310:5077

　　9. A. Aierken, T. Hakkarainen, J. Riikonen, M. Sopanen, “Transformation of InAs islands to quantum ring structures by metalorganic vapor phase epitaxy”, Nanotechnology, 2008, 19:245304

　　10. A. Aierken, T. Hakkarainen, M. Sopanen, J. Riikonen, J. Sormunen, M. Mattila, H. Lipsanen, “Self-assembled InAs island formation on GaAs (110) by metalorganic vapor phase epitaxy”, Applied Surface Science, 2008, 254:2072

　　11. M. Bosund, A. Aierken, J. Tiilikainen, T. Hakkarainen, H. Lipsanen, “Passivation of GaAs surface by atomic-layer-deposited titanium nitride”, Applied Surface Science, 2008, 254:5385

　　12. A. Aierken, T. Hakkarainen, J. Tiilikainen, M. Mattila, J. Riikonen, M. Sopanen, H. Lipsanen, “Growth and surface passivation of near-surface InGaAs quantum wells on GaAs (110)”, Journal of Crystal Growth, 2007, 309:18

　　13. A. Aierken, J. Riikonen, M. Mattila, T. Hakkarainen, M. Sopanen, H. Lipsanen, “GaAs surface passivation by ultra-thin epitaxial GaP layer and surface As-P exchange”, Applied Surface Science, 2007, 253:6232

　　14. J. Riikonen, J. Sormunen, H. Koskenvaara, M. Mattila, A. Aierken, T. Hakkarainen, M. Sopanen, and H. Lipsanen, “Effect of surface states on carrier dynamics in InGaAsP/InP stressor quantum dots”, Nanotechnology, 2006, 17:2181

　　15. A. Aierken, J. Riikonen, J. Sormunen, M. Sopanen, and H. Lipsanen, “Comparison of epitaxial thin layer GaN and InP passivations on InGaAs/GaAs near-surface quantum wells”, Applied Physics Letter, 2006, 88:221112

研究领域：
　　新型光电材料与器件，辐射物理
社会任职：

获奖及荣誉：

代表论著：

承担科研项目情况：

代表论著：