姓名：冯列峰

性别：男
职称：副教授
职务：
出生年月：1980.2
专业：材料物理与化学
单位：物理系
电话：**　
EMAIL：fengliefeng@tju.edu.cn　　　
研究方向1：半导体发光器激光器光电特性
研究方向2：半导体器件物理
研究方向3：
学习与工作简历：
2013.6-2014.6，美国华盛顿大学，留学，青年骨干教师出国研修
2008——至今，天津大学，物理系，工作
2005年－2008年，天津大学，物理系，博士，导师：姜恩永，协助导师：王存达
2002年－2005年，天津大学，物理系，硕士，导师：王存达
1998年－2002年，天津师范大学，物理与电子学院，本科
参加学术团体及职务：　
代表性论文与著作：
代表性论文与著作：
期刊论文(*通讯作者)：
1.L.F.Feng*,Y.Li,D.Li,X.D.Hu,W.Yang,2C.D.Wang,1,2andQ.Y.Xing3l.Preciserelationshipbetweenvoltage
andfrequencyattheappearanceofnegativecapacitanceinInGaNdiodes,Appl.Phys.Lett.101,233506,2012.
2.李杨，冯列峰*，李丁，王存达，邢琼勇，张国义，半导体GsN基蓝光发光二极管的精确电学特性，光电子激光，
2013.
3.DLi,WYang,LFFeng,PeterW.Roth,JHe,WMDu,ZJYang,CDWang,GYZhang,XDHu*,Stimulatedemission
relatedanomalouschangeofelectricalparametersatthresholdinGaN-basedlaserdiodes,APPLIEDPHYSICS
LETTERS102,123501,2013.
4.Y.Li,C.D.Wang,L.F.Feng*,C.Y.Zhu,H.X.Cong,D.Li,G.Y.Zhang,Elucidatingnegativecapacitancein
light-emittingdiodesusinganadvancedsemiconductordevicetheory,J.Appl.Phys.109,124506,2011.
5.FengLieFeng*,LiYang,LiDing,WangCunDa,ZhangGuoYi,YaoDongSheng,LiuWeiFang,XingPeng-Fei,
FrequencyResponseofModulatedElectroluminescenceofLight-EmittingDiodes,CHIN.PHYS.LETT.
Vol.28,No.10(2011)107801.
6.YangLi,DingLi,CunDaWang,LieFengFeng*,ElectricalBehaviorsofLEDspreparedbyWide-band
GaNMaterial,AdvancedMaterialsResearchVols.284-286(2011)pp2202-2206.
7.L.F.Feng*,Y.Li,C.Y.Zhu,H.X.Cong,andC.D.Wang,NegativeTerminalCapacitanceofLightEmittingDiodes
atAlternatingCurrent(AC)Biases,IEEEJ.QuantumElectronics,2010,46(7):1072-1075.
8.L.F.Feng*,C.D.Wang,H.X.Cong,C.Y.Zhu,J.Wang,X.S.Xie,C.Z.Lu,andG.Y.Zhang,SuddenChangeof
ElectricalCharacteristicsatLasingThresholdofaSemiconductorLaser,IEEEJ.QuantumElectronics,
2007,43(6):458-461.
9.L.F.Feng*,D.Li,C.Y.Zhu,C.D.Wang,H.X.Cong,X.S.Xie,C.Z.Lu,SimultaneousSuddenChangesofElectrical
BehaviorattheThresholdinLaserDiodes,J.Appl.Phys.,2007,102:063102.
10.L.F.Feng*,D.Li,C.Y.Zhu,C.D.Wang,H.X.Cong,G.Y.Zhang,W.M.Du,DeepSaturationofJunctionVoltage
atLargeForwardCurrentofLightEmittingDiodes,J.Appl.Phys.,2007,102:094511.
11.FengLie-feng*,ZhuChuan-yun,ChenYong,ZengZhi-bin,andWangCun-da,Mechanismofnegative
capacitanceinLEDs,OptoelectronisLetters,2005,1(2):127-130.
12.FengLie-feng*,WangJun,ZhuChuan-yun,CongHong-xia,ChenYong,andWangCun-da,Experimentalstudy
ofnegativecapacitanceinLEDs,OptoelectronisLetters,2005,1(2):124-126.
13.冯列峰*、李杨、李丁、王存达、张国义，半导体激光阈值处电学性质突变对应的物理图象，光电子激光，
2010，21（11）：1626-1630.
14.冯列峰*、李杨、从红侠、王存达，650nm波长发光器件的电学特性研究，天津师范大学学报，
2010，30（3）：67-69.
15.冯列峰*、李杨、王军、丛红侠、朱传云、王存达、张国义，发光二极管的低频电容特性，光电子激光，
2009,20(12):1565-1568.
16.冯列峰*、朱传云、陈永、曾志斌、王存达，发光二极管中负电容现象的机理，光电子?激光，2006,17(1):5-8.
17.DLi,HZong,WYang,LFFeng,JHe,WMDu,CDWang,YHXie,ZJYang,BShen,GYZhang,andXDHu*,
StimulatedemissioninGaN-basedlaserdiodesfarbelowthethresholdregion,OPTICSEXPRESS2536,2014.
18.WYang,SLZhang,JonathanJ.D.McKendry,JHerrnsdorf,PFTian,ZGong,QBJi,IM.Watson,EDGu,MTD.
Dawson,LFFeng,CDWang,XDHu*,Size-dependentcapacitancestudyonInGaN-basedmicro-light-emitting
diodes,JOURNALOFAPPLIEDPHYSICS116,044512,2014.
19.Q.Q.Wei,Z.Q.Li,X.Y.Zhou,Y.Tian,L.F.Feng,D.S.Yao*,Dependenceofsoftmagneticpropertiesandhigh
frequencycharacteristicsonfilmthicknessforNi75Fe25-ZnOnano-granularfilms,J.AlloyandCompounds,
513,23-26,2012.
20.C.Y.Zhu*,L.F.Feng,C.D.Wang,H.X.Cong,G.Y.Zhang,Z.J.Yang,Z.Z.Chen,Negativecapacitancein
light-emittingdevices,SolidStateElectronics,2009,53:324-328.
21.C.Y.Zhu*,C.D.Wang.,L.F.Feng,G..Y.Zhang,L.S.Yu,J.Shen,ANovelMethodofElectricalCharacterization
ofaSemiconductorDiodeatForwardBias,SolidStateElectronics,2006,50(5):821-825.
22.丛红侠*、冯列峰、王军、朱传云、王存达、谢雪松、吕长志，激光二极管正向电特性的精确检测，
半导体学报，2006,27(1):105-109.
23.王军*、冯列峰、朱传云、丛红侠、陈永、王存达，发光二极管中负电容现象的实验研究，光电子激光，
2006,17(1):1-4.
24.陈永*、冯列峰、朱传云、王存达,发光二极管中负电容的测试及判定,河北工业大学学报，
2005，4（34）：24-2.
25.Wu S, Buckley S, Schaibley J R, Feng L F, Yan J Q, David G M, Fariba H, Yao W, Jelena V, Arka M, Xu XD, Monolayer
semiconductor nanocavity lasers with ultralow thresholds[J]. Nature, 2015, 520(7545): 69-72.
会议论文：
1.李杨，冯列峰*，先进半导体器件理论中p-n结的电容电导特性，第十八届全国半导体物理学术会议,20/8/2011.
2.D.Li*,W.Yang,C.H.Wan,L.Wang,N.Y.Liu,L.Liu,W.Y.Cao,L.Li,Y.Z.Wang,W.M.Du,L.F.Feng,C.D.Wang,
X.D.Hu,G.Y.Zhang,AnomalousChangesofElectricalParametersinGaNbasedLaser,Asia-Pacific
WorkshoponWidegapSemiconductors,22/5/2011.
3.冯列峰*，李杨，王存达，发光二极管的低频特性，第十七届全国半导体物理学术会议,10/8/2009.
4.DLi,WYang,CHWang,LWang,NYLiu,LLiu,WYCao,YZWang,WMDu,LFFeng,CDWang,ZJYang,
XDHu,GYZhang,HighlyPolarizedLightEmissioninGaNOpto-ElectronicsDevices,9thInternational
ConferenceofNitrideSemiconductors,10/7/2011.
5.C.D.Wang,X.Cong,C.Y.Zhu,L.F.Feng，Suddenchangeofelectricalcharacteristicsatlasingthresholdof
semiconductorlaser，ProceedingsoftheeightChineseoptoelectronicssymposium,25/6/2006,会议邀请报告.
6.王存达、从红侠、朱传云、冯列峰，半导体激光器激射阈值处电特性的突变，凝聚态光学研究进展,第十三届
全国凝聚态物质光学性质学术论文集，4/8/2006，分会邀请报告.
7.冯列峰*、李丁、丛红侠、王存达，对激光器电导数曲线的分析和数值拟合，凝聚态光学研究进展，第十三届
全国凝聚态物质光学性质学术论文集，4/8/2006，分会口头报告.
8.冯列峰*、王军、李丁、王存达、张国义，发光二极管正向电特性的精确检测，凝聚态光学研究进展，第十三
届全国凝聚态物质光学性质学术论文集，4/8/2006，分会口头报告.
　
荣誉和奖励：
　
讲授主要课程：大学物理概论，大学物理实验
正在承担项目：
主持：北洋学青年****——青年骨干教师项目，2014.1-2015.12
　　　国家自然科学基金，利用物理学原理对经典肖克莱半导体二极管理论的修正，2013.1-2015.12，
　　　天津市重点项目，铁磁多铁复合薄膜的磁电耦合，2013-2015，
参与：国家自然科学基金，**，InGaZnO/有机半导体复合沟道双极性TFT的界面行为与CMOS集成器
件研究，2012-2015.
已完成项目：
主持：国家自然科学基金面上项目，半导体发光器件在大电流下的电特性与发光特性，2009.01-2011.12.
参与：国家自然科学青年基金，铁磁性金属-半导体纳米颗粒薄膜的高频软磁特性研究，2010.01-2012.12；
　　　国家自然科学基金，氮化镓基发光器件的电学频率特性，2004.1-2006.12.
指导研究生情况：4人
备注：　担任工程类国际顶级期刊（IEEEPhotonicsTechnologyLetters、IEEETransactionsonElectronDevices），
物理类学术期刊AppliedPhysicsletter，journalappliedphysics和其他刊物（OpticalandQuantumElectronics，
光电子激光）的通讯评审员。