李连碧 教授 博士后

个人简历：2004年西安理工大学本科毕业，2011年获微电子学博士学位。同年，入职西安工程大学理学院，2013年遴选为硕士生导师，2018年赴美国明尼苏达大学电子工程系访学一年。全国半导体材料与器件专家委员会理事，中国电源学会、陕西省物理学会会员。ACS Applied Materials & Interfaces, RSC advances, Journal of Applied Physics等国际刊物审稿人。
研究领域：新型微电子材料与器件，涉及石墨烯、硅烯、锗烯等新材料的制备，低维材料的三维结构化，光电子、大功率等新型异质结器件的设计等。在新能源、超级电容、新型交通工具、航空航天领域有良好的应用前景。
科学研究：主持国家自然科学基金、陕西省重点研发计划项目、陕西省自然科学基础研究计划项目、中国博士后科学研究基金等多项科研项目。先后在Nano letters, Nanotechnology, CrystEngComm, Mater. Lett., J. Appl. Phys.等国内外学术刊物发表高水平科研论文30余篇，其中第一作者或通讯作者SCI二区及以上论文10篇。出版中英文专著各一部。申请并授权国家发明专利2项。获陕西省高校科技进步奖二等奖、三等奖各一次。
获奖情况：近年来，荣获陕西省高等学校科学技术奖二等奖、三等奖各一次、“桑麻”奖教金、西安市激光红外学会优秀学术论文奖、2015年西安工程大学教学成果奖、优秀毕业设计指导教师、2017年青年学术骨干等多个奖项和荣誉。
联系电话： Email: xpu_lilianbi@163.com
1. 近期主持的主要科研项目：
[1] 2015.01-2017.12，SiC基高速、高红外响应度SiC/Ge异质结光电二极管的研究，国家自然科学基金，** ，主持人
[2] 2020.01-2021.12，三维石墨烯微纳结构的应力自组装及表面等离激元光电器件研究，陕西省重点研发计划项目，2020KW-011，主持人
[3] 2015.01-2016.12，近红外、高响应度SiC/Ge异质结光电二极管研究，陕西省自然科学基础研究计划项目，2015JM6282，主持人
[4] 2013.07-2015.06，碳化硅衬底上硅薄膜的择优取向生长，中国博士后科学基金，2013M532072，主持人
[5] 2014.07-2015.12，硅/碳化硅异质结界面微结构研究，陕西省教育厅科研计划项目，14JK1302 ，主持人
2. 近五年发表的部分高水平论文如下：
[1] C.H. Dai,L.B. Li,D. Wratkowski,andJ.H. Cho. Electron Irradiation Driven Nanohands for Sequential Origami. Nano Lett.2020. https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.0c01075. (SCI一区TOP，影响因子11.238)
[2] L.B. Li*, Y. Zang, S.H. Lin, et al. Fabrication and characterization of SiC/Ge/graphene heterojunction with Ge micro-nano structures. Nanotechnology 2020, 31:145202. (SCI二区TOP，影响因子3.414)
[3] Q. Chu, L. B. Li*, C.J. Zhu, et al.. Preparation of SiC/Ge/graphene heterostructure on 4H-SiC(0001), Mater. Lett., 2018, 211:133. (SCI二区，影响因子3.204)
[4] Y. Zang, L. B. Li*, Q. Chu, et al.. Graphene as transparent electrode in Si solar cells: A dry transfer method, AIP Advances, 2018, 8, 065206.
[5] L. B. Li*, Y. Zang, J. C. Hu, et al.. Photoelectric properties of Si doping superlattice structure on 6H-SiC(0001), Materials, 2017, 10, 583. (SCI二区，影响因子3.057)
[6] Y. Zang, L. B. Li*, Q. Chu, et al.. Growth of graphene/Ge/Si heterostructure on Si(001) substrate, Mater. Lett., 2017, 205, 162. (SCI二区，影响因子3.204)
[7] Y. Zang, L. B. Li*, J. An, et al.. Si/SiC heterojunction prepared by Metal Induced Crystallization of amorphous silicon, Mater. Lett., 2017, 188, 409. (SCI二区，影响因子3.204)
[8] L. B. Li*, Z. M. Chen, Y. Zang. Epitaxial growth of Si/SiC heterostructures with different preferred orientations on 6H-SiC(0001)by LPCVD. CrystEngComm, 18:5681, 2016. (SCI二区，影响因子3.117)
[9] L. B. Li*, Z. M. Chen, Y. Zang, et al.. Atomic-scale characterization of Si(110)/6H-SiC(0001) heterostructure by HRTEM. Mater. Lett., 163:47, 2016. (SCI二区，影响因子3.204)
[10] L. B. Li*, Z. M. Chen, Y. Zang. Interface-structure of the Si/SiC heterojunction grown on 6H-SiC. J. Appl. Phys., 117:013104, 2015. （SCI三区，影响因子2.286）
3. 专利
[1] 李连碧，臧源，宋立勋等，一种碳化硅/晶体-锗/石墨烯异质结光电器件及其制造方法, 2017.9.4, 中国, 20**（发明专利）.
[2] 李连碧，臧源，冯松等，PIN结构近红外光电二极管及制造方法, 2018.3.23, 中国, ZL 2.2（发明专利）.
[3] 李连碧，臧源等，一种新型CVD石墨烯干法转移方法, 2018.4.2, 中国, 20**（发明专利）.
[4] 李连碧，臧源，陈鸿等，柔性石墨烯基硅纳米线异质结的制备与转移方法, 2010.6.15, 中国, 66（发明专利）.
4. 专著
[1] 李连碧，冯松，臧源，硅锗半导体材料的异质结光电应用，2019年5月，吉林大学出版社，16万字
[2] Lianbi Li. HETEROJUNCTIONS AND NANOSTRUCTURES（CHAPTER TITLE: Growth mode and characterization of Si/SiC heterostructure），2018年3月，IntechOpen，合著，3万字