西安交通大学电子与信息工程学院导师教师师资介绍简介-王领航

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本站小编 Free考研考试/2021-06-26

中文 - 王领航基本信息

王领航　博士
Dr.Linghang Wang

副教授　博导
Associate Professor

电子与信息工程学部
Faculty of Electronic and Information Engineering

电子科学与工程学院
School of Electronic Science and Engineering
Address：

Electronic Materials Research Laboratory, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China
Tel：+86-
Fax：+86-
Email：lhwang@xjtu.edu.cn

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简况

※主要研究方向
1.　铁电/压电晶体材料与器件Piezo/Ferroelectric Crystals and Devices
2.　半导体材料与器件Semiconductor Materials and Devices
3.　电子陶瓷与器件Electronic Ceramics and Devices
4.　集成电路自动化设备设计Design of IC's Automation Equipments
5.　光电信息功能材料与器件Photovoltaic Information Materials and Devices
　　主要主持及参加的科研项目有国家自然科学基金、中国博士后科学基金、中国教育部重点实验室骨干培埴项目、陕西省重点研发计划、陕西省自然科学基金等及973计划、863计划、XXX重点预研项目等。欢迎物理专业、化学专业、电子及微电子专业、材料科学与工程专业、机械工程等以及相关专业的学生加入我们的团队攻读硕士、博士学位！
报考院系名称：
　　西安交通大学电子与信息工程学院电子科学与技术系
硕士招生方向（080903　微电子学与固体电子学; 080901 物理电子学）：
　　功能晶体材料与器件；电子陶瓷材料与器件；新型半导体材料及光电探测器
博士招生方向（080900　电子科学与技术）：
　　铁电材料与器件；电子陶瓷材料与器件；宽禁带半导体材料与应用

联系方式
西安交通大学电信学部电子学院电子材料研究所
陕西省西安市咸宁西路28号
邮编：710049

站点收藏
类别/站点
电子陶瓷与器件教育部重点实验室
国际电介质中心
西安交通大学

English - 王领航Basic Information

Dr.Linghang Wang
Associate Professor
School of Electronic Science and Engineering
Faculty of Electronic and Information Engineering
Contact Information
Address：
Electronic Materials Research Laboratory,
Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China
Tel：+86-
Fax：+86-

Email：lhwang@xjtu.edu.cn

Office：
West Building 6 in qujiang campus of XJTU

website counts

Introduction
Name in Full: Linghang Wang
Title: Associate Professor
Affiliation: School of Electronic and Information Engineering, Xi’an Jiaotong University
Office: West Building 6 in Qujiang Campus of XJTU
TEL : +86-, FAX : +86-
E-mail : lhwang@xjtu.edu.cn
※Research interests
1.　Piezo/Ferroelectric Crystals and Devices
2.　Semiconductor Materials and Devices
3.　Electronic Ceramics and Devices
4.　Electronic Materials and Devices
5.　Photovoltaic Information Materials and Devices
Materials: Oxide composites; Compound semiconductor single crystals; Piezoelectric ceramics; Relaxor ferroelectric single crystals; single crystal growth
Characterization: electrical, optical properties for compound semiconductors; piezoelectric, dielectric, ferroelectric and electrooptical properties for ferroelectrics.
※Experience
From 2010.12, Xi'an Jiaotong University,Associate Professor.
2017.12--2018.3, Pennsylvania State University, Visiting Research Associate.
2014.9--2015.9, University of California, Los Angles, Visiting Research Associate.
2008.7--2010.12,Xi'an Jiaotong University, Postdoctoral Scholar.
2004.9--2008.7,Northwestern Polytechnical University,Ph.D. candidate.

The projects Associate Professor Wang hosts and takes part in include the National Natural Science Foundation of China, the Postdoctoral Science Foundation of China, the Backbone Growing Project of Key Laboratory of Education Ministry of China, 973 Plan, 863 Plan, and XXX Key Pre-research Project.
Welcome all of you (from the majors including Physics, Chemistry, Electronics, Micoeletronics, and Materials science and engineering, Mechanical Engineering as well as the related fields) to join our group!

Contact Information
Electronic Materials Research Laboratory, Xi'an Jiaotong University,
No. 28,XianningWest Road, 710049,Xi'an,
People's Republic of China

Publications - 王领航contri.
Papers (parts)1. Linghang Wang, Wanqi Jie, single-crystal growth of mercury indium telluride (MIT) by Vertical Bridgman method, Journal of Crystal Growth, 2006, 290: 203-206.
2.Linghang Wang, Wanqi Jie, Gangqiang Zha, Gang Xu, Growth and characterization of mercury indium telluride single crystals，Materials Science and Engineering B, 2006, 133: 129-131.
3. Linghang Wang, Wanqi Jie, Hg_(3-3x)In_2xTe₃: A Novel Semiconductor Material for Near Infrared Photovoltaic Detectors, Proceeding of 2007 International Workshop on Electron Devices and Semiconductor Technology, IEEE, Beijing, Jun 3-4, 2007: 133-136.
4.Linghang Wang, Yangchun Dong, Wanqi Jie, Growth and electrical properties of mercury indium telluride single crystals，Materials Research Bulletin, 2007, 42 (11): 1949-1954
5. Linghang Wang, Yangchun Dong, Wanqi Jie, Growth, structure and electrical properties of mercury indium telluride single crystals, Journal of Physics D: Applied Physics, 2007, 40: 3921-3924.
6.Linghang Wang, Wanqi Jie, Yang Yang, Study on the growth and thermal characteristics of mercury indium telluride crystals, Materials Science and Engineering B, 2008, 150 (1): 2-5.
7.Linghang Wang, Wanqi Jie, Yang Yang, Li Fu, High temperature x-ray diffraction study on phase transformation and lattice thermal expansion of mercury indium telluride crystals, Journal of Physics D: Applied Physics, 2008, 41: 085411.
8. Linghang Wang, Wanqi Jie, Yang Yang, Gang Xu, Li Fu, Etch pits observation and In distribution in mercury indium telluride single crsytals, Semiconductor Science and Technology, 2008, 23: 055015 (5pp)
9.Linghang Wang, Wanqi Jie, Yang Yang, Gang Xu, Li Fu, Defect characterization and composition distributions of mercury indium telluride single crystals, Journal of Crystal Growth, 2008, 310 (11): 2810-2814.
10.Linghang Wang, Wanqi Jie, Study of the thermal expansion of mercury indium telluride crystals, Transactions of Nonferrous Metals Society of China, 2009, 19: 776-779
11. Linghang Wang, Wanqi Jie, Yang Yang, Preparation and properties of a novel near infrared photovoltaic detectors single-crystal material, Journal of Physics: Conference Series, 2009, 152: 012010. MRS International Materials Research Conference (IMRC2008), Chongqing, Jun 9-12, 2008
12. Linghang Wang, Zhuo Xu, Zhenrong Li, Fei Li, Bridgman growth and thermal analysis of relaxor-based Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-PbTiO₃ single crystals, Materials Science and Engineering B, 2010, 170: 113-116.
13. Linghang Wang, Zhuo Xu, Zhenrong Li, Fei Li, Investigation on the thermal stability of relaxor-based Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-PbTiO₃ single crystals, Ferroelectrics, 2010, 402: 187-192.
14. Linghang Wang, Effects of vacancies on the thermal expansion of mercury indium telluride crystals, Materials Science Forum, 2011, 663-665: 1008-1011
15. Linghang Wang, Zhuo Xu, Zhenrong Li, Yuhui Wan, Junjie Gao, Fei Li, Variation of di-piezoelectric properties of PIN-PMN-PT crystals near morphotropic phase boundary along the growth direction, Joint Conference on IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics (ISAF/PFM)/ International Symposium on Piezoresponse Force Microscopy and Nanoscale Phenomena in Polar Materials, Vancouver, CANADA, JUL 24-27, 2011：1-4
16. Linghang Wang, Wanqi Jie, Bridgman Growth and Defect Characterization of Large Diameter Mercury Indium Telluride Crystals for NIR Detectors, Journal of crystal growth, 2013, 362: 327–329
17. LinghangWang, Zhuo Xu, Zhenrong Li, Yuhui Wan, Junjie Gao，Fei Li, Growth, Crystalline quality and Transition Variation of Ternary Pb(In_1/2Nb_1/2)O₃- Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-PbTiO₃ Ferroelectric Crystals，Journal of advanced dielectric, 2013, 3(1): 135003.
18.Linghang Wang, Shan Zhao, Li Jin, Fei Li, and Zhuo Xu, Effects of InNbO4 fabrication on perovskite PIN-PMN-PT, Journal of American Ceramic Society, 2014, 97(10): 3110-3115.
19. Fei Li, Linghang Wang, Li Jin, Zhuo Xu, Shujun Zhang, Achieving single domain relaxor-PT crystals by high temperature poling, CrystEngComm, 2014, 16 (14): 2892-7.
20.Fei Li, Linghang Wang, Li Jin, Dabin Lin, Leijing Li, Zhengrong Li, Zhuo Xu, and Shujun Zhang, Piezoelectric Activity in Perovskite Ferroelectric Crystals, IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequency Control, 2015, 62 (1): 18-32
21. Peng Lv,Linghang Wang, Christopher S. Lynch, A phenomenological thermodynamic energy function for PIN-PMN-PT relaxor ferroelectric single crystals,Acta Materialia, 137 (2017) 93-102,DOI:10.1016/j.actamat.2017.07.031

Patents 1. 靳立，李飞，王领航，魏晓勇，张树君，一种高频段无介电弥散的电子陶瓷材料的处理工艺，中国发明专利，专利号：ZL9.4，授权公告日2015.01.21
2. 王领航，一种三元系弛豫铁电压电晶体及其多温区生长方法，中国发明专利，专利号：ZL 9.6，授权公告日2017.04.26
Prizes1. 2001中国铁道建筑总公司科技进步二等奖。
2. 2006年度西安市科技进步三等奖。
3. 2014年教育部自然科学奖一等奖。
4. 2017年陕西省国防科学技术进步奖一等奖。

桃李满天 - 王领航sta.
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招生信息 - 王领航招生信息
欢迎物理专业、化学专业、电子及微电子专业、材料科学与工程专业、机械工程专业

等以及相关专业的学生加入我们的团队攻读硕士、博士学位！IMPORTANT：2021年可招录计算力学、流体力学或机械工程的本科生或硕士生从事相关研发专题！！！可推荐进入军队研究所工作！欢迎本科生前来实验室进行科研实践训练！！！
　硕士招生信息
1.　电子与信息工程学院2021年接收推荐免试研究生工作实施细则
(学校研究生院网址：　http://yz.xjtu.edu.cn/info/1012/2984.htm)
1、申请报名及面试：
有意申报2021年西安交通大学电子科学与工程学院研究生的应届本科生，请将个人简介等报名材料在面试1周前（面试时间如下）寄送到西安交通大学电信学院研究生部，（地址：西安市咸宁西路28号西安交通大学电信学院研究生招生部，邮编710049，收件人：李俊老师）注：请用EMS或顺丰邮寄；学院将组织专家采取多种方式进行预录取面试。
2、面试结果的公布：
电信学院研究生录取面试将分两批进行，具体时间安排如下。
第一批：面试时间定于9月15日-9月25日，录取结果将于9月25日在电信学院研究生教学网公布（含夏令营期间面试合格者）。获得录取资格的免试生在教育部网上报名系统开通后12小时内通过教育部“推免服务系统”填报志愿，完成报名、接收程序，学院将确保其录取资格。
第二批：面试时间定于教育部推免服务系统开通后（9月28日——10月25日），免试生在推免系统里报名，学院将根据报名情况随时安排面试、并及时公布录取结果。
2.　西安交通大学2018年招收硕士研究生招生简章
(学校研究生院网址：　http://yz.xjtu.edu.cn/info/1012/2925.htm)
三、报名
报名包括网上报名和现场确认两个阶段，按照教育部《2018年全国硕士研究生招生工作管理规定》执行。
（一）网上报名要求
网上报名时间：2017年10月10日—31日每天9:00—22:00（逾期不再补报，也不得再修改报名信息）。网上报名网址：“中国研究生招生信息网”（公网网址：http：//yz.chsi.com.cn ，教育网址：http://yz.chsi.cn）。
考生登录“中国研究生招生信息网”浏览报考须知，按教育部、省级教育招生考试管理机构及我校的网上公告要求报名。凡不按要求报名、网报信息误填、错填或填报虚假信息而造成不能考试或录取的，后果由考生本人承担。
报名期间将对考生学历(学籍)信息进行网上校验，并在考生提交报名信息三天内反馈校验结果。考生可随时上网查看学历(学籍)校验结果。考生也可在报名前或报名期间自行登录“中国高等教育学生信息网”(网址：http://www.chsi.com.cn)查询本人学历(学籍)信息。
未通过网上学历（学籍）校验的考生应及时到学籍学历权威认证机构进行认证，务必在现场确认时提供学历（学籍）认证报告，未按时提供认证报告造成的后果由考生本人自负。
报考“退役大学生士兵”专项硕士研究生招生计划的考生，应为高校学生应征入伍退出现役，且符合硕士研究生报考条件者(“高校学生”指全日制普通本专科(含高职)、研究生、第二学士学位的应(往)届毕业生、在校生和入学新生，以及成人高校招收的普通本专科(高职)应(往)届毕业生、在校生和入学新生，下同)。考生报名时应选择填报退役大学生士兵专项计划，并按要求填报本人入伍前的入学信息以及入伍、退役等相关信息。
单独考试考生网报时按相应专业考试科目填报。国防生和现役军人按照解放军和教育部有关规定执行，国防生须在“备用信息”中注明“国防生”。
具有推荐免试资格的考生，须在国家规定时间内登录“全国推荐优秀应届本科毕业生免试攻读研究生信息公开暨管理服务系统”(网址：http://yz.chsi.com.cn/tm)填报志愿并参加复试。截止规定日期仍未落实接收单位的推免生不再保留推免资格。已被招生单位接收的推免生，不得再报名参加当年硕士研究生考试招生，否则取消其推免录取资格。
西安交通大学报名点（报名点代码6111）按规定接受符合下列要求的考生报名及现场确认：
（1）报考我校的本省高校应届本科毕业生（西北农林科技大学、延安大学、陕西理工大学应届生除外，该校学生应选择其就读学校作为报名点）；
（2）报考我校的户籍在陕西（须出具户口簿或户籍证明）或工作单位在陕西（须出具单位证明、工资条及劳动合同）的往届毕业生；
（3）报考我校的单独考试、艺术（135100）及同等学力(报考MBA、MPA、MEM的同等学力考生除外)考生必须选择我校报名点报考；
（4）报考省外高校的我校应届本科毕业生（含西安交通大学城市学院应届生）。
凡选择我校作为报名点的考生，系统所生成的报名号前4位应为“6111”。
我校为非社会报考点，除以上考生外一律不受理其他考生报名。
外省考生报考我校按当地省级招生单位的规定选择报名点报考。
考生根据国家招生政策和我校招生简章自主报考全日制或非全日制研究生。
录取为非全日制研究生须签订定向就业协议，学习期间不调档，不转户口，不安排学校宿舍，不享受奖助金，收费按协议执行，按照国家有关规定发给相应的、注明学习方式的毕业证书。
（二）现场确认要求：（具体要求须见我校研招网“现场确认须知”）
时间：2017年11月9日-11日。
地点：西安交通大学兴庆校区宪梓堂一楼（交大南门向西100米）。
提交材料：网上报名信息表、本人居民身份证、学历证书（应届本科毕业生持学生证，境外学历提供教育部留学服务中心学历认证报告）等。自学考试和网络教育本科应届生，须凭颁发毕业证书的省级高等教育自学考试办公室或网络教育高校出具的相关证明。报考“退役大学生士兵”专项硕士研究生招生计划的考生还应提交本人《入伍批准书》和《退出现役证》原件及复印件。
同等学力人员还须提供相关支撑材料原件（成绩单、英语水平证明、发表文章等），待招生单位审查后确定考试资格。
未通过网上学历(学籍)校验的考生，在现场确认时应提交学历(学籍)认证报告，以供核验。
考生按规定缴纳报考费，采集本人图像。
考生对本人网上报名信息进行认真核对并确认。报名信息经考生确认后一律不作修改，因考生填写错误引起的一切后果由其自行承担。
未经现场信息确认者，报考无效。
3.　西安交通大学2018年硕士研究生招生目录
(学校研究生院网址：　http://yz.xjtu.edu.cn/info/1012/2924.htm)

西安交通大学2018年硕士生招生目录
005电子与信息工程学院

【学术学位】
276

拟接收推免生240名，导师、研究方向信息详见学院网站。

080900电子科学与技术

01（全日制）物理电子学

①101思想政治理论
②201英语一
③301数学一
④804材料科学基础或
810电路或
812固体物理或
815信号与系统(含数字信号处理)或
822普通物理学或
849半导体物理与器件
本学位点由电子科学与技术系、微电子学院和信息与通信工程系部分单位共建，电子科学与技术系含01、02、03、04方向，复试科目：电磁场理论或光电子学或电介质物理或半导体物理；微电子学院含02、03方向，复试科目：CMOS集成电路设计，要求初试科目选择849；信息与通信工程系含04方向，复试科目：电磁场与波或通信原理，要求初试科目选择815

02 （全日制）电路与系统

03（全日制）微电子学与固体电子学

04（全日制）电磁场与微波技术

【专业学位】
218

其中，全日制198名，拟招收推免生60名；非全日制20名。

085208电子与通信工程

01（全日制）电子工程
02（全日制）信息与通信工程

①101思想政治理论
②204英语二
③302数学二
④908电子学基础或909信号与系统分析及数字信号处理
本学位点由电子科学与技术系及信息与通信工程系共建，电子科学与技术系复试科目：电磁场理论或光电子学或半导体物理或电介质物理；信息与通信工程系复试科目：电磁场与波或通信原理，要求初试科目选择909。

03（非全日制）不分研究方向

　博士招生信息
1.　西安交通大学2018年招收博士研究生招生简章
(学校研究生院网址：　http://yz.xjtu.edu.cn/info/1011/3019.htm)
三、网上报名：
普通招考网上报名时间为2017年12月1日至2017年12月10日；在校硕士研究生（含长学制）转博及直博生的报名时间另见研究生院的通知。
符合报考条件的考生登录西安交通大学研究生招生信息网(http://yz.xjtu.edu.cn)，进入网上报名系统。按网报要求填报本人信息及上传本人电子照片等相关资料，并缴纳报名费，下载确认报名情况登记卡及报名相关表格。
四、资格审查
1.考生须向学院提交以下基本材料（其他材料见学院招生简章）,逾期或所交材料不全者，按放弃处理：
（1）博士生考生报名情况登记卡(网报后双面打印，并经本人签字)；
（2）报考攻读博士学位研究生登记表（在报名网页下载空白表手工填写）；
（3）两名所报考学科专业领域内的教授（或相当专业技术职称的专家）推荐书（报名网页下载手工填写）；
（4）硕士课程学习成绩单（加盖公章或成绩专用章有效）；
（5）学士、硕士学位证书原件及复印件，本科、研究生毕业证书原件及复印件（应届毕业生须在入学前补交学位证书及毕业证书复印件）或证明书。往届硕士生需提供硕士学位认证报告，应届硕士生需提供教育部学籍在线认证报告，境外学位证书报考者需提供“教育部留学生服务中心”的证明原件及复印件（查验原件，收取复印件）；
（6）二级甲等以上医院出具的体检合格证明；
（7）本人身份证复印件，应届生需附学生证复印件及研究生部门开具的应届生证明；
（8）其他材料详见各学院具体要求。
报考工程博士研究生还需提供以下材料：承担国家重大科技项目情况表及一份单位推荐书。
2.按照学院的要求自行登录网上报名系统下载打印准考证。
五、申请考核
今年我校博士选拔全面实施“申请-考核”制，选拔过程主要包括：材料评议、专业考核、综合面试三个环节，选拔工作由学院（部、中心）组织实施，具体要求和时间按照各相关学院公布的“申请-考核”制实施细则执行。
报考工程博士考生的考核工作由研究生院统一组织，具体程序和内容另行通知。
同等学力考生在考核阶段须加试两门由学校组织的硕士阶段专业基础课和自然辨证法。持境外学位考生须参加由学院组织的政治理论考试。不合格者不予录取。
六、报考/录取类别：
全日制博士研究生录取类别均为非定向就业，档案一律调至我校，毕业后自主择业，学校派遣。非全日制博士研究生（部分方向招收）录取类别为定向就业，考生录取后与学校、定向单位签订三方协议。
2.　西安交通大学2018年博士研究生招生目录
(学校研究生院网址：　http://yz.xjtu.edu.cn/info/1011/3040.htm)

005电子与信息工程学院

118

080900电子科学与技术

29铁电材料与器件
王领航

① 1101材料评议
② 2101专业考核
③ 3101综合面试
拟接收50名硕转博考生。”申请考核”具体程序及内容见学院的实施细则。

20宽禁带半导体材料与应用　　　　王领航　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

我的新闻 - 王领航Meeting
2016Aug. 21-25, 2016, 2016 Joint IEEE International Symposium on the Applications of Ferroelectric/European Conference on Application of Polar Dielectrics/Conference Piezoresponse Force Microscopy & Nanoscale Phenomena in Polar Materials (2016 IEEE ISAF/ECAPD/PFM),Darmstadt, Germany20171. May 6-13, 2017, 2017 Joint IEEE International Symposium on the Applications of Ferroelectrics, International Workshop on Acoustic Transduction Materials and Devices, Workshop on Piezoresponse Force Microscopy (IEEE ISAF – IWATMD – PFM), Atlanta, USA
2. Sep. 14-17, 2017, China-Japan Symposium on Ferroelectric Materials and their Applications (CJFMA9), Chengdu, China20181. May 27-Jun. 1, 2018, 2018 ISAF-FMA-AMF-AMEC-PFM Joint Conference (IFAAP 2018), Hiroshima, Japan2. Jul. 22-27, 2018, 18th Chinese Conference on Crystal Growth (CCCG18), Xi'an, China3. Nov. 15-19, 2018, 第十七届全国电介质物理、材料与应用学术会议, Guangzhou, China