姓名
王红军
性别
男
出生年月
1985.08
职称
副教授

最高学历
研究生
最高学位
博士

科研及其获奖情况
长期致力于半导体器件的制备与性能方面的研究，近年来在所从事的研究方向共发表SCI论文30多篇，其中以第一作者和通讯作者发表15篇，授权国家发明专利1项。代表学术论文如下：
（1）Bromine vacancy redistribution and metallic ion migration induced air-stable resistive switching behavior in all-inorganic perovskite CsPbBr₃film-based memory device,Advanced Electronic Materials,2019.
（2）One-step solution deposited all-inorganic perovskite CsPbBr₃film for flexible resistive switching memories,Applied Physics Letters,2019.
（3）Coexistence of bipolar and unipolar resistive switching characteristics of thin TiO₂film grown on Cu foil substrate for flexible nonvolatile memory device,Journal of Alloys and Compounds,2017.
主持国家自然科学基金1项、陕西省自然科学基金1项、陕西科技大学博士启动基金1项；参与国家自然科学基金2项。
获得湖北省第十三届自然科学优秀学术论文二等奖。

在研
项目
（1）国家自然科学基金青年项目，无铅二维钙钛矿阻变存储器的机理及性能调控研究，主持。
（2）陕西省自然科学基础研究计划项目，基于杂化钙钛矿纳米颗粒的多态阻变存储器的研究，主持。
（3）陕西科技大学博士科研启动基金，基于微纳融合技术的半导体薄膜的气体检测技术的研究，主持。

目前研究方向
目前从事凝聚态物理中半导体器件的制备与性能方向的研究，主要为新型材料的合成制备，器件的制备及性能研究，具体内容：
（1）忆阻器及其类突触可塑性的研究
（2）气体传感器的制备与研究

备注
联系电话：**邮箱：wanghongjun@sust.edu.cn