物理学科学学位硕士生导师
电话：0535-6653397（O）
Email: phyzlc@163.com
教育经历：
· 2010.09 - 2013.06 曲阜师范大学，光学专业，获理学博士学位
· 2004.09 - 2007.07 曲阜师范大学，物理电子学专业，获理学硕士学位
· 2000.09 - 2004.07 曲阜师范大学，电子信息工程专业，获工学学士学位
工作经历：
· 2013.06 - 今 鲁东大学物理与光电工程学院从事教学与科研工作
· 2013.07 - 2016.06 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室、中国科技
大学量子信息与量子科技前沿协同创新中心从事博士后研究工作
· 2007.07 - 2010.08 中国人民解放军海军航空工程学院从事教学、科研工作
目前研究领域：
· 宽禁带半导体薄膜材料生长及光电器件制备
· 低维纳米新能源材料制备及光电器件应用
· 非制冷型红外探测器材料及工艺研究
承担研究课题：
· 国家自然科学基金青年项目，2016.1-2018.12，已结题，负责人
· 山东省自然科学基金，2015.07-2016.12，已结题，负责人
· 山东省高等学校科技计划项目，2015.01-2017.12，负责人
· 中国博士后科学基金面上资助项目（56批），2013.07-2015.05，已结题，负责人
· 国家自然科学基金重大研究计划，2014.01-2016.12，已结题，参加
· 国家自然科学基金专项基金面上项目,2013.01-2016.12，已结题，参加
· 国家自然科学基金专项基金，2012.01-2014.12，已结题，参加
主讲课程：
· 研究生课程：《固体薄膜及光学性质》
· 本科生课程：《光电检测技术》、《太阳能发电技术》、《计算机网络与通信》、《新能源材料与器件概论》
学生培养：
· 研究生，主要招收光学、半导体材料与器件方向研究生。目前在校研究生3人。
· 本科生，主要面向新材料、新工艺、新能源光电器件的应用及开展科普活动。2016年以来指导本科生获省级以上科技竞赛奖励20余项。曾获2017年挑战杯山东省大学生课外学术作品大赛省级二等奖2项，获2018年全国移动互联创新大赛（国赛）一等奖1项，2018年首届全国大学生可再生能源科技竞赛二等奖1项。2018年获山东省优秀学士学位论文1篇。
奖励情况和荣誉称号:
· 2018.12获全国信息化人才职业资格证书（高级）
· 2018.11全国移动互联创新大赛高校组教学成果奖一等奖
· 2017.12鲁东大学2017年度先进工作者荣誉称号
· 2017.06 全国高等学校大学物理实验课程青年教师讲课比赛山东省预赛一等奖
· 2016.12鲁东大学2016年度先进工作者荣誉称号
· 2015.01 中科院半导体所2014年度优秀博士后（一等）
· 2009.07 中国人民解放军海军航空工程学院“优秀共产党员”
· 2007.03 山东团省委、省学联向社会公开举荐的“千名优秀毕业生”
· 2006.12 山东省优秀毕业生称号
· 2003.07 曲阜师范大学“优秀共产党员”
代表性成果：
主持完成国家自然科学基金青年项目、中国博士后基金面上项目、山东省自然科学基金及山东省高校科技计划项目各1项。第一/通讯作者在Optics Letters, Optics Express、Journal of Physics D等国内外学术期刊上发表SCI/EI收录学术论文24篇。获得山东省研究生优秀科技创新成果奖二等奖、三等奖各1项、山东省高等学校优秀科研成果三等奖2项，授权国家发明专利1项。代表性成果如下：
· 学术论文：
[1] Growth and optoelectronic application of CsPbBr3 thin films deposited by pulsed-laser deposition, Optics Letters, 2019, 44(8), 1908. 通讯作者
[2] Enhanced p-CuI/n-ZnO photodetector based on thermal evaporated CuI and pulsed laser deposited ZnO nanowires. Optics Letters,2020, 45(2), 559. 通讯作者
[3] Enhanced photoresponse of n-ZnO/p-GaN heterojunction ultraviolet photodetector with high-quality CsPbBr3 films grown by pulse laser deposition. Journal of Alloys and Compounds, 2019, 802, 70. 通讯作者
[4] One-pot aqueous synthesis of icosahedral Au as bifunctional candidates for enhanced glucose electrooxidation and surface-enhanced Raman scattering, ACS Applied Materials & Interfaces, 2020, 12, 12186. 通讯作者
[5] Self-powered photodetectors based on b-Ga2O3/4H-SiC. heterojunction with ultrahigh current on/off ratio and fast response. Journal of Alloys and Compounds, 2020, 821,153532. 通讯作者
[6] Influence of annealing temperature on structure and photoelectrical performance of β-Ga2O3/4H-SiC heterojunction photodetectors. Journal of Alloys and Compounds, 2019, 798, 458. 通讯作者
[7] Hydrothermal growth and their optoelectronic device application of CuInanostructure. Materials ResearchExpress, 2019, 6, 045048.通讯作者
[8] Effect of the AlN interlayer on electroluminescent performance of n-SnO2/p-GaN heterojunction light-emitting diodes. Materials Science in Semiconductor Processing, 2019, 91, 409. 通讯作者
[9] Luminescence Properties and Mechanisms of CuI Thin Films Fabricated by Vapor Iodization of Copper Films. Materials, 2016, 9(12), 990. 通讯作者
[10] Self-catalyzed molecular beam epitaxy growth and their optoelectronic properties of vertical GaAs nanowires on Si(111). Materials Science in Semiconductor Processing, 2016, 52, 68. 第一作者/通讯作者
[11] Optoelectronic Characteristics of UV Photodetector Based on GaN/ZnONanorods p-i-n Heterostructures Electronic Materials Letters, 2015, 11, 4, 682第一作者/通讯作者
[12] Room temperature electroluminescence from n-ZnO:Ga/i-ZnO/p-GaN:Mg heterojunction device grown by PLD. Electronic Materials Letters, 2014, 10(3), 661. 第一作者/通讯作者
[13] Improvement of UV electroluminescence of n-ZnO/p-GaN heterojunction LED by ZnS interlayer. Optics Express, 2013, 21(14), 16578. 第一作者/通讯作者
[14] White electroluminescence from ZnO nanorods/p-GaN heterojunction light-emitting diodes under reverse bias. Journal of Optics, 2013, 15, 025003. 第一作者/通讯作者
[15] Improvement of the electroluminescence performance of ZnO nanorods/p-GaN light emitting diodes with a ZnO films interlayer. Journal of Semiconductors, 2013, 34(11), 114010. 通讯作者
[16] Improved electroluminescence performance from the n-ZnO/Ga2O3/p-GaN heterojunction light-emitting diodes. Chinese Physics B, 2013, 22(12), 128502. 第一作者
[17] Electroluminescence from n-ZnO:Ga/p-GaN heterojunction light-emitting diodes with different interfacial layers. Journal of Physics D: Applied Physics, 2012, 45, 485103. 第一作者
[18] Electroluminescence from ZnO nanorod/unetched GaN LED wafers under forward and reverse biases. Journal of Optics, 2012, 14, 125601. 第一作者
· 发明专利：
[1] 张立春，王国伟，徐应强，倪海桥，牛智川. 一种高电阻温度系数氧化钒薄膜的制备方法，发明专利，2015.05.13，公开号CN104611670A，已授权。
[2] 张立春，杨立新，林国琛，赵风周.一种CuI纳米结构的制备方法，发明专利，2016.10.24，公开号CN107083532A。
[3] 张立春，林国琛，薛晓娥，赵风周，徐满.一种CsPbI3薄膜的制备方法2017.11.23 公开号CN107881472A。
[4] 张立春，黄于，赵风周，张登英，徐满.一种CsPbBr3薄膜的制备方法，2018.08.31，公开号CN109097741A。
· 科研奖励
[1] 2015.09 山东省高等学校优秀科研成果奖三等奖（4/5）
[2] 2014.09 山东省高等学校优秀科研成果奖三等奖（1/5）
[3] 2013.09 山东省研究生优秀科技创新成果奖三等奖（1/5）
