胡小波职称：教授所在单位：晶体材料研究所 教师拼音名称：huxiaobo
入职时间：1997-09-01
所在单位：晶体材料研究所
性别：男
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教育经历
[1].1986.9-1989.7
中国科学院| 金属物理| 硕士
[2].1980.9-1984.7
江西大学| 基础物理| 学士
[3].1994.3-1997.3
南京大学| 凝聚态物理| 博士
工作经历
[1].1999.7-2001.8
山东大学晶体材料研究所
[2].1997.8-1999.6
山东大学晶体材料研究所
[3].1989.8-1994.3
南昌航空工业学院
[4].1984.8-1986.8
南昌汽车钢板弹簧厂
研究方向
[1].材料科学类
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论文成果
More>> 谢雪健,徐现刚,陈秀芳,杨祥龙and彭燕.Photoluminescence properties of N–B Co-doped fluorescent SiC.Semicond. Sci. Tech.,2020. 彭燕.Homoepitaxy Growth of Single Crystal Diamond under 300 torr Pressure in the MPCVD System.MATERIALS RESEARCH BULLETION,2020. 徐现刚and彭燕.Surface Morphology of the Interface Junction of CVD Mosaic Single-Crystal Diamond.MATERIALS,2020. 陈秀芳,彭燕,徐现刚and杨祥龙.Basal plane bending of 4H-SiC single crystals grown by sublimation method with different seed attachment methods.CrystEngComm,22,6957,2020. 夏盛清,张健,刘阳,胡小波,王蕾,陈召来,陶绪堂and蒋晓妹.Exploring Organic Metal Halides with Reversible Temperature-Responsive Dual-Emissive Photoluminescence.ChemSusChem,2020.专利
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[1]谢雪健,徐现刚,陈秀芳,杨祥龙and彭燕.Photoluminescence properties of N–B Co-doped fluorescent SiC.Semicond. Sci. Tech., 2020.[2]彭燕.Homoepitaxy Growth of Single Crystal Diamond under 300 torr Pressure in the MPCVD System.MATERIALS RESEARCH BULLETION, 2019.[3]徐现刚and彭燕.Surface Morphology of the Interface Junction of CVD Mosaic Single-Crystal Diamond.MATERIALS, 2019.[4]陈秀芳,彭燕,徐现刚and杨祥龙.Basal plane bending of 4H-SiC single crystals grown by sublimation method with different seed attachment methods.CrystEngComm, 22,6957, 2018.[5]夏盛清,张健,刘阳,胡小波,王蕾,陈召来,陶绪堂and蒋晓妹.Exploring Organic Metal Halides with Reversible Temperature-Responsive Dual-Emissive Photoluminescence.ChemSusChem, 2019.[6]胡小波and徐现刚.Influence of Nitrogen Concentrations on the Lattice Constants and Resistivities of n？Type 4H-SiC Single Crystals.Crystal growth & Design, 15,3131, 2015.[7]胡小波and张承乾.Observation of inhomogeneity in congruent LiTaO3 crystal.Journal of crystal growth, 225,6, 2001.[8]徐化勇,陈秀芳,彭燕and胡小波.Progress in research of GaN-based LEDs fabricated on SiC substrate.Chin. Phys. B, 24,673051, 2015.[9]胡小波.The stress birefringence images of low angle grain boundaries in 6H-SiC single crystals.Crystal Research, 47,603, 2012.[10]胡小波.Basal plane bending of 6H-SiC single crystals observed by synchrotron radiation X-ray topography.Journal of Applied Crystallography, 42,1068, 2009.[11]胡小波,陈秀芳and徐现刚.金刚石微粉对SiC机械抛光的研究影响.《人工晶体学报》, 44,295, 2015.[12]胡小波,陈秀芳and徐现刚.Chemical Mechanical Polishing of 4H-SiC with Strong Oxidizing Slurry.《人工晶体学报》, 44,1741, 2015.[13]胡小波,徐现刚,陈秀芳and彭燕.Physical vapor transport growth of 4H-SiC on {000-1} vicinal surfaces.Materials Science Forum, 2015.[14]胡小波and徐现刚.Infrared transmission and reflectivity measurements of 4H- and 6H-SiC single crystals.Materials Science Forum, 2015.[15]胡小波.Influence of the misorientation of 6H-SiC substrate on the quality of GaN epilayer grown by MOVPE.JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 509,3656, 2011.
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[1]一种基于偏振拉曼光谱对SiC晶体声子各向异性的测试方法[2]一种实现工件不同厚度切割的多线切割机罗拉及其使用方法[3]一种掺锗碳化硅欧姆接触形成方法[4]一种锗氮共掺的碳化硅单晶材料的生长方法[5]有色碳硅石宝石及其制备方法[6]一种对偏向SiC晶体的大边、小边精确定向方法[7]用于半导体单晶生长的高纯碳化硅粉的人工合成方法[8]在大直径6H-SiC碳面上生长石墨烯的方法[9]一种偏轴衬底用SiC晶体的生长及高电学均匀性的N型SiC衬底的制备方法[10]一种大直径尺寸SiC籽晶的制备方法[11]一种掺锗SiC体单晶材料的生长方法[12]一种低应力高纯半绝缘SiC单晶的制备方法[13]利用金刚石线和金刚石砂浆同时切割SiC单晶的方法[14]一种低电耗、快速合成SiC粉料的方法 [15]用于半导体单晶生长的高纯碳化硅粉的人工合成方法
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[1]半导体材料研究进展[2]Silicon Carbide-Materials, Processing and Applications in Electronic Devices[3]Investigation on the spontaneous strain and ferroelastic domain structures in NdP<sub>5</sub>O<sub>14</sub> crystals by high resolution X-ray diffractometry[4]半导体材料研究进展[5]Investigation on the spontaneous strain and ferroelastic domain structures in NdP<sub>5</sub>O<sub>14</sub> crystals by high resolution X-ray diffractometry[6]半导体材料研究进展 [7]Silicon Carbide-Materials, Processing and Applications in Electronic Devices
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[1]宽禁带半导体协同创新中心,2019/09/01,2022/08/30,[2]宽禁带半导体协同创新中心,2019/09/01,2022/08/30,[3]金刚石单晶及深紫外探测器芯片技术研究,2019/01/01,2021/12/31,[4]具有重大应用前景的功能晶体材料,2014/01/01,2016/12/31,[5]海洋传感器生物污损防护技术研究及产业化应用,2016/06/01,2018/06/30,[6]PVT法p型4H-SiC单晶制备及物性研究,2019/04/26,2022/06/30,[7]6-8英寸4H-SiC衬底产业化关键技术研究,2019/01/01,2021/12/31,[8]宽禁带半导体碳化硅晶体中穿透位错的延伸及控制机理研究,2019/04/26,2022/06/30,[9]半导体功能晶体材料,2019/04/26,2022/06/30,[10]金属/介质纳米结构提高功率二极管量子效率的研究,2009/01/01,2010/12/31,[11]碳化硅晶体生长非线性模拟与控制系统,2014/01/01,2017/12/31,[12]半导体单晶加工研究,2010/01/01,2012/12/31,[13]用于半导体照明的SiC衬底的研发及产业化,2008/01/01,2010/12/31,[14]6英寸SiC单晶生长炉的研制,2013/08/15,2017/12/31,[15]SiC单晶衬底制备,2006/12/10,2008/12/30,
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