冀子武
基本信息
姓名
冀子武

职称

教授 博士生导师

Email
jiziwu@sdu.edu.cn

电话
**

地址
山东省 济南市 山大南路27号 山东大学物理学院

其它主页地址

个人简介
冀子武，博士，山东大学物理学院教授、博士生导师。1986年毕业于山东大学物理系，获学士学位；1993年毕业于中国海洋大学物理系，获理学硕士学位；2001 年（日本国立）千葉大学物理系攻读低维（纳米）半导体物理专业博士学位，2006年获得理学博士学位（硕博连读）；2006年4月至2007年11月（日本国立）東京大学固体物理研究所博士后研究员；2007年11月作为山东大学杰出人才受聘回国任物理学院教授，2009年被评为博士生导师。東京大学共同研究员，民政部批准、团中央指导的在海内外有较高影响力和知名度的国家高级别学术组织《中国青年科技工作者协会》会员，日本物理学会会员，在日中国学者材料学会会员。美国《Opt. Express》、《Appl. Phys. Lett.》、《J. Appl. Phys》等多种国际重要学术期刊的评审专家。
主要研究方向
主要研究低维（纳米）半导体的光电特性，包括光/电转换（太阳能电池）、电/光转换（LED）材料和器件等的制备、光电性能及转换效率等，是深受高校、研究所及企业欢迎的热门专业。与美国的佛罗里达国际大学，日本的東京大学、千葉大学、佐贺大学，以及国内其他知名院校和研究所等保持着密切的研究合作。自2008年回国并开始招生以来，已培养硕士毕业生5名，博士毕业生3名，其中有两名学生因成绩突出而获得国家奖励。


研究组成员
在读研究生
王强（11级，博士研究生）
吕海燕（12级，博士研究生）

张凯（12级，硕士研究生）
毛光（12级，硕士研究生）
牟奇（13级，硕士研究生）
李建飞（13级，硕士研究生）
王雪松（13级，硕士研究生）
研究生招生专业
招收微电子学与固体电子学、（纳米）半导体光学、凝聚态物理等专业的硕士、博士研究生

研究项目
自2007年11月受聘回国后主持的国家项目：

1. 国家自然科学基金项目：《ZnSe/BeTe II型量子结构中I 型跃迁、II 型跃迁的物理机制及二者的相互关联》，项目编号：**， 金额：10万元，研究期限：2008.01-2008.12。
项目负责人：冀子武

2. 国家自然科学基金项目：《调制n型掺杂ZnSe/BeTe/ZnSe II型量子阱结构中空间间接发光跃迁的起源》项目编号：**，金额：43万元，研究期限：2009.01-2011.12。
项目负责人：冀子武

3. 教育部留学回国人员启动基金项目：《调制n型掺杂ZnSe/BeTe II 型量子阱的制作及激子复合体的跃迁特性研究》 金额：2.5万元，研究期限：2009.01-2011.12。
项目负责人：冀子武

4. 山东省自然科学基金项目：《ZnSe/BeTe/ZnSe II型量子结构中的光学各向异性和激子复合体跃迁的研究》项目编号：Y2008A10, 金额：5万元，研究期限：2008.12-2011.12。
项目负责人：冀子武

5. 国家自然科学基金：《2009凝聚态与光物理学术研讨会》，项目编号：**，金额：1万元，研究期限：2009.12—2009.12。
项目负责人：冀子武

6. 国家973项目（国家重点基础研究发展计划项目）：《金属/介质纳米异质结构中的局域耦合效应及其在光电转换器件中的应用》，项目编号：2009CB930503，金额：2800余万元，研究期限：2009.01-2013.12。子项目经费金额：91万元。
子项目负责人：冀子武

7.教育部高等学校博士学科点（博导类）专项科研基金项目：《ZnTe基I型和II型量子阱结构的制备和光学特性研究》，项目编号： **006，金额：12万元，研究期限：2013.1-2015.12。
项目负责人：冀子武

8. 山东省科技厅科技发展计划项目：《具有纳米孔（柱）阵列的LED结构的制备及量子效率的研究》，项目编号：2013GGX10221，金额：30万元，研究期限：2013.1-2015.12。
项目负责人：冀子武

9.国家重点实验室项目1项，及教育部重点实验室项目1项。金额合计：18万元，研究期限：2014.01-2015.12。
项目负责人：冀子武

10. 国家自然科学基金重大研究计划项目：《利用纳米孔（柱）阵列同时提高LED内、外量子效率的研究》，项目编号：**，金额：100万元，研究期限：2015.01-2017.12。
项目负责人：冀子武

主要研究成果
近年来，在Applied Physics Letters、Optics Express、Journal of Applied Physics等国际学术期刊上发表论文近50余篇，获得授权国家发明专利3项，申请国家发明专利3项。

其中，SCI收录的研究论文如下：

2015年：
1.Influences of excitation power and temperature on photoluminescence in phase-separated InGaN quantum wells
Wang Qiang,Ji Zi-Wu,Wang Fan,Mu Qi,Zheng Yu-Jun,Xu Xian-Gang,Lu Yuan-Jie,and Feng Zhi-Hong
Chin. Phys. B 24,024219-5 (2015)
2.Exciton valley dynamics probed by Kerr rotation in WSe2monolayers
C.R.Zhu,K.Zhang,M.Glazov,B.Urbaszek,T.Amand,Z.W.Ji,B.L.Liu,and X.Marie
Phys.Rev.B 90,161302(R)(2014)

2014年：
1. Influence of injection current and temperature on electroluminescence in InGaN/GaN multiple quantum wells
Huining Wang, Ziwu Ji, Hongdi Xiao, Mengqi Wang, Shuang Qu, Yan Shen, and Xiangang Xu
Physica E 59, 56–59 (2014)
2. Internal quantum efficiency of InGaN/GaN multiple quantum well
Wang Xue-Song, Ji Zi-Wu, Wang Hui-Ning, Xu Ming-Sheng, Xu Xian-Gang, Lü Yuan-Jie, and Feng Zhi-Hong
Acta Phys. Sin. 63, 127801–7 (2014)
3. Photoluminescence of Nanoporous GaN Films Prepared by Electrochemical Etching
Wang Qiang, Ji Zi-Wu, Xiao Hong-Di, Lv Hai-Yan, Li Jian-Fei, Xu Xian-Gang, Lv Yuan-Jie, Feng Zhi-Hong
Chin. Phys. Lett. 31, 088103-4 (2014)

2013年：
1. Transfer and recombination mechanism of carriers in phase-separated InGaN quantum wells
Hu Sun, Ziwu Ji, Huining Wang, Hongdi Xiao, Shuang Qu, Xiangang Xu, Aizi Jin, and Haifang Yang
J. Appl. Phys. 114, 093508–5 (2013)
2. Green and blue emissions in phase-separated InGaN quantum wells
Fan Wang, Ziwu Ji, Qiang Wang, Xuesong Wang, Shuang Qu, Xiangang Xu, Yuanjie Lv, and Zhihong Feng
J. Appl. Phys. 114, 163525–4 (2013)
3. Effect of reactor pressure upon photoluminescence properties of ZnTe homoepitaxial layer
Shulai Huang, Ziwu Ji, Lei Zhang, Mingsheng Xu, Shuang Qu, Xiangang Xu, Qixin Guo
Optoelectron. Adv. Mater. – Rapid Commun. 7, 730–733 (2013)
4. Effect of substrate temperature on optical properties and strain distribution of ZnTe epilayer on (100) GaAs substrates
Lei Zhang, Ziwu Ji, Shulai Huang, Huining Wang, Hongdi Xiao, Yujun Zheng, Xiangang Xu, Yun Lu, Qixin Guo
Thin Solid Films 536, 240–243 (2013)
5. Morphology and growth mechanism of gallium nitride nanotowers synthesized by metal–organic chemical vapor deposition
Jishi Cui, Hongdi Xiao, Jianqiang Liu, Caina Luan, Ziwu Ji, Haiyan Pei
J. Alloy Compd. 563, 72–76 (2013)
6. Light transmission enhancement from hybrid ZnO micro-mesh and nanorod arrays with application to GaN-based light-emitting diodes
Zhengmao Yin, Xiaoyan Liu, Huining Wang, Yongzhong Wu, Xiaopeng Hao, Ziwu Ji, and Xiangang Xu
Opt. Express 21, 28531–28542 (2013)

2012年：
1. Effects of substrate temperature upon optical properties of ZnTe epilayers grown on (100) GaAs substrates by MOVPE
Shulai Huang, Ziwu Ji, Mingwen Zhao, Lei Zhang, Hongyu Guo, Baoli Liu, Xiangang Xu, and Qixin Guo
Phys. Status Solidi A 209, 2041–2044 (2012)
2. Influence of excitation power and temperature on photoluminescence in InGaN/GaN multiple quantum wells
Huining Wang, Ziwu Ji, Shuang Qu, Gang Wang, Yongzhi Jiang, Baoli Liu, Xiangang Xu, and Hirofumi Mino
Opt. Express 20，3932-3940 (2012)
3. Structure and growth mechanism of quasi-aligned GaN layer-built nanotowers
Hongdi Xiao, Jianqiang Liu, Caina Luan, Ziwu Ji, and Jishi Cui
Appl. Phys. Lett. 100, 213101–3 (2012)
4. Investigation of the inhibiting outdiffusion of erbium atoms to a silicon-on- insulator surface afterannealing at high temperature
Qin Xi-Feng, Li Hong-Zhen, Li Shuang, Ji Zi-Wu, Wang Hui-Ning, Wang Feng-Xiang, and Fu Gang
Chin. Phys. B 21, 066105–4 (2012)
5. Formation of a highly Erbium doped silicon-on-insulator layer by introducing SiOx on or into a silicon surface
Xifeng Qin, Ziwu Ji, Ming Chen, Xiuhong Liu, Xuelin Wang, Keming Wang, Qingtai Zhao, Gang Fu
Nucl. Instrum. Meth. B 278, 1–3 (2012)
6. Annealing effect and photoluminescence properties in Tm+-implanted ZnO crystal
Xianbing Ming, Fei Lu, Ziwu Ji, Ming Chen, Jinhua Zhao, Jiaojian Yin, and Yujie Ma
Nucl. Instrum. Meth. B 274, 172–176 (2012)
7. Growth and photoluminescence properties of inclined ZnO and ZnCoO thin _lms on SrTiO3(110) substrates
Bai Hong-Liang, Liu Guo-Lei, He Shu-Min, Yan Shi-Shen, Zhu Da-Peng, Guo Hong-Yu, Ji Zi-Wu, Yang Feng-Fan, Chen Yan-Xue), and Mei Liang-Mo
Chin. Phys. B 21, 057801–5 (2012)
8. Fabrication of Non-Stoichiometric Titanium Dioxide by Spark Plasma Sintering and Its Thermoelectric Properties
Yun Lu, Katsuhiro Sagara, Liang Hao, Ziwu Ji and Hiroyuki Yoshida
Mater. Trans. 53, 1208–1211 (2012)

2011年及以前：
1. Optical properties of exciton and charged exciton in undoped ZnSe/BeTe type- II quantum wells under high magnetic fields
Ziwu Ji, Yujun Zheng, and Xiangang Xu
Acta Phys. Sin. 60, 047805–5 (2011)
2. Interface structure effects on optical property of undoped ZnSe/BeTe type-ΙΙ quantum wells
Ziwu Ji, Yujun Zheng, Xiangang Xu, and Yun Lu
Acta Phys. Sin. 59, 7986–7990 (2010)
3. Electron tunneling effects on radiative recombination in modulation n-doped ZnSe/BeTe type-II quantum wells
Ziwu Ji，Yujun Zheng, and Xiangang Xu
Chin. Phys. B 19, 117303-4 (2010)
4. Type-I interband transition in undoped ZnSe/BeTe type-II quantum wells under high excitation density
Ziwu Ji, H. Mino, K. Oto, K. Muro, and R. Akimoto
Semicond. Sci. Technol. 24, 095016–4 (2009)
5. Photon counting statistics of single molecule in solid matrix
Baiping Han, Ziwu Ji, and Yujun Zheng
J. Chem. Phys. 130, 244502–8 (2009).
6. Spatially direct charged exciton photoluminescence in undoped ZnSe/BeTe type-II quantum wells
Ziwu. Ji, S. Takeyama, H. Mino, K. Oto, K. Muro, and R. Akimoto
Appl. Phys. Lett. 92, 093107-3 (2008)
7. Built-in electric field and a new type of charged excitons observed in modulation-doped ZnSe/BeTe type-ΙΙ quantum well
Ji Zi-Wu, LU Yun, Chen Jin-xiang, Mino Hirofumi, Akimoto Ryoichi and Takeyama Shojiro
Acta Phys. Sin. 57, 1214–06 (2008)
8. Optical property of modulation n-doped ZnSe/BeTe type-ΙΙ quantum wells
Ji Zi-wu, Mino Hirofumi, Kojima Eiji, Akimoto Ryoichi and Takeyama Shojiro
Acta Phys. Sin. 57, 3260–07 (2008)
9. Magnetic field effect of charged excitons in n-doped ZnSe/BeTe type-ΙΙ quantum wells
Ji Zi-Wu, Mino Hirofumi, Oto Kenichi, Muro Kiyofumi, Akimoto Ryoichi and Takeyama Shojiro
Acta Phys. Sin. 57, 6609–05 (2008)
10. Electric- and magnetic- field effects on the radiative recombination in modulation n-doped ZnSe/BeTe type-II quantum wells
Ziwu Ji, H. Mino, K. Oto, R. Akimoto, and S. Takeyam
Semicond. Sci. Technol., 21 (2006) 87-90
11. Spin dependent transitions of charged excitons in type-II quantum wells
Ziwu Ji, H. Yamamoto, H. Mino, R. Akimoto, and S. Takeyama
Physica E, 22 (2004) 632-635
12. Effect of the Voigt magnetic field on the exciton complexes in ZnSe/BeTe type-II sigle quantum wells
H. Yamamoto, Ziwu Ji, H. Mino, R. Akimoto, and S. Takeyama
Int. J. Mod. Phys. B, 18 (2004) 3749-3752
13. Development of A plastic diamond anvil cell for high pressure magneto-photoluminescence in pulsed high magnetic fields
Y. H. Matsuda, K. Uchida, K. Ono, Ziwu. Ji, and S. Takeyama
In.t. J. Mod. Phys. B, 18 (2004) 3843-3846.