姓名： 孙弘 (教授)
部门： 凝聚态所
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曾从事半导体低维系统电子和光学性质理论研究多年。完成的主要研究工作有：非平整界面量子阱中电子态、极化子态和杂质态能级结构的理论计算，表面超晶格中电子态、磁极化子态和等离子体量子能级及其远红外光吸收的理论研究，以及V型量子线在外电场中电子态的理论计算。自从2000年2月，从事第一性原理材料计算。完成的研究项目有：“c-BC2N结构的第一性原理研究”，“BC3结构和声子谱的第一性原理研究”，“CaB2超导性能的第一性原理计算”。参与的研究项目有：“MgB2超导性能的第一性原理计算”。
主要论文著作：