王兴军 研究员
中科院上海技术物理研究所，博士, 研究员。1995年毕业于上海交通大学物理系；2000年在复旦大学物理系获得理学博士学位,2000－2003年任复旦大学物理系讲师；2004－2005年日本东北大金属研究所担任非常任讲师；2006－2010年在瑞典林雪平大学材料物理系从事博士后研究。2010年3月进入上海技术物理研究所，研究员。主持院三期创新项目以及作为骨干参与科技部973重大项目专项课题。2011年获得中科院‘杰出海外归国人员’资助。 至今在Nature Materials，Nature Communications，P.N.A.S，Phys. Rev. B, Appl. Phys. Lett等SCI杂志上发表文章50余篇，论文被SCI刊物他人引用460多次。主要从事半导体磁-光谱和磁共振光谱学方面的研究。最近几年的研究工作主要包括：1) 利用非磁性材料砷化镓(GaAs)中引入的缺陷态实现在室温零磁场条件下对电子自旋的控制。工作发表在Nature Materials (2009) ；2）利用磁共振技术研究ZnO中缺陷问题的文章被 J. Phys.: D 杂志选为 2009年度亮点 (highlight) 文章。3）利用InP材料中的缺陷电子实现对核自旋的快速(<0.1 ms)有效的控制,工作发表在Phys. Rev. B (2012)近期主要发表文章摘选：1. Y. Puttisong, X. J. Wang et al. Nature Communications. 4, 1751 (2013)2. Y. L. Li, X. J. Wang et al. J. Appl. Phys. 112, 123515 (2012)3. X. J. Wang et al. Phys. Rev. B. 86, 205202 (2012)4. X. J. Wang et al. J. Appl. Phys. 111, 043520 (2012)5. X. J. Wang et al. Nature Materials 8, 198 (2009)6. X. J. Wang et al. Appl. Phys. Lett. 95, 241904 (2009)7. X. J. Wang et al. J. Phys.: D. 42, 175411 (2009)8.X. J. Wang et al. J. Appl. Phys. 103, 023712 (2008)9. X. J. Wang et al. Appl. Phys. Lett.89, 151909 (2006)
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