李志锋 研究员
　　　
　　李志锋，男，1965年11月出生。1985年毕业于南京大学物理系并留校工作。1994年在职研究生毕业，获南京大学理学硕士学位。1995–1996年香港科技大学物理系访问****。2000年于中科院上海技术物理研究所获理学博士学位，并留所工作。2001年5月-7月曾赴德国汉堡大学应用物理研究所与微结构物理研究中心进行合作研究。现任中科院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室研究员，博士生导师。
　　目前主要从事半导体材料与器件的光谱研究、光电材料与器件的特征参数提取、红外光电子器件的建模与优化设计和性能提升等。利用傅里叶变换红外透射谱和反射谱、光致发光光谱、光电流响应谱、超短脉冲激发光电衰退响应谱等实验手段研究半导体材料、器件以及光电子人工结构的能谱特性，探索物理机制和器件应用。主持完成国家自然科学基金项目“HgCdTe的材料芯片技术研究”、“多重光散射提高量子阱红外探测器性能研究”、国家973项目子专题“多色探测列阵芯片设计”、国家重大科学研究计划项目子课题“光子晶体与量子受限结构的耦合调控研究”（共同负责）等，目前承担国家重点基础研究发展计划（973计划）项目“光子带隙调控、新效应及其应用”中的子课题“光子晶体能带调控及新效应研究”的相关研究，国家自然科学基金项目“等离激元耦合腔量子阱红外探测器的偏振耦合增强研究”以及中科院支撑计划项目。
　　作为主要完成人之一获得2007年上海市自然科学一等奖、2010年上海市技术发明一等奖和2014年国家自然科学奖二等奖。
欢迎有志于从事半导体光谱物理、光电子物理与器件研究、具有较好理论基础和实验技能的学生加入我们的研究小组。
　　所在单位:中国科学院上海技术物理研究所
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