2013年9月10日，基金委重大项目《辐射探测技术中的量子效应及机理研究》课题进展检查与学术交流会在上海顺利召开。基金委数理学部汲培文常务副主任、数理一处张守著处长和倪培根项目主任应邀到会指导，项目首席陆卫研究员、项目组全体成员以及特邀单位代表近三十人参加了会议。项目首席陆卫研究员和红外物理国家重点实验室主任陈效双研究员分别主持了会议。

　　会议开始，首先由戴宁副所长代表项目依托单位中科院上海技物所致欢迎辞，他热忱欢迎和感谢基金委领导百忙中莅临指导重大项目的进展检查。接着，汲主任和张处长就基金委和项目组的关系、重大项目的定位等做了重要讲话和指示。他们指出，基金委根据专家拟定的重大项目指南进行立项招标，项目立项后，基金委和项目组的关系为督办关系。“辐射探测技术中的量子效应及机理研究”这个重大项目的显示度主要应体现在新现象、新效应、新机理和新器件“四个新”上。项目的整体进展应由项目首席全面把关，并应对项目的下一步发展和走向进行顶层设计。

　　在课题进展汇报阶段，四个课题负责人陆卫研究员、曾和平教授、张宝顺研究员和林春研究员分别从课题整体完成情况、主要研究成果和亮点、实现的预期目标和存在问题等方面，对“红外单光子探测新方法与应用”、“紫外-红外双色探测材料和器件新原理研究”、“基于量子效应的探测光电信号放大机理研究”和“大失配Si 基异质外延碲镉汞红外焦平面材料的量子结构研究”四个课题进行了汇报。本重大项目今年年底结题，目前各课题基本完成了相关研究内容，达到了技术指标，实现了预期目标。

　　在下午的学术交流中，共有7个精彩的学术报告，分别为华中科技大学陈长青教授的“AlGaN/GaN基多量子阱ISBT红外探测器研究进展”报告；北京大学王新强研究员的“Photoconductive Response in AlGaN/GaN Multiple Quantum Wells”报告；中科院半导体所赵德刚研究员的“AlN材料的MOCVD生长模型及p-GaN欧姆接触工艺技术”报告；中科院半导体所刘峰奇研究员的“量子级联红外探测器研究”报告；中科院微系统所龚谦研究员的“量子点材料的生长研究”报告；华东师大武愕副教授的“红外单光子频率上转换探测及成像研究”报告；中科院上海技物所胡伟达副研究员的“HgCdTe红外探测器的暗电流研究”报告。