纳米空气沟道器件是真空电子技术与微电子技术优势互补的一种新型器件，具有高速响应、耐高/低温、抗辐射、兼容平面工艺的优点，有望在后摩尔时代实现基础元器件的性能突破。但目前其深层器件机理、设计与制造工艺还有待发展。近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所课题组提出了一种基于湿法腐蚀工艺的平板型纳米空气沟道二极管，理论与实验结合阐述了器件内部电子产生与运输的物理机制，为相关研究奠定了必要的理论基础；并实现接近应用要求的低压（＜2 V）空气环境中稳定的大电流发射（~mA级），以及纳秒级的瞬时响应，器件综合性能优异。该器件制备过程完全兼容现有集成电路工艺，并具有进一步拓展成纳米空气沟道晶体管的潜力，为推进纳米空气沟道器件的规模化制造与集成奠定了良好的技术基础。
相关论文“An Emission Stable Vertical Air Channel Diode by Low-cost and IC Compatible BOE Etching Process”以封面内页形式发表于《Nanoscale》。中科院上海微系统所助理研究员刘梦博士和硕士研究生梁松泰为该论文共同第一作者，中科院上海微系统所微系统技术重点实验室王跃林研究员为该论文通讯作者。相关工作得到上海市科委（20YF1456500）等项目资金支持。
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https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2021/nr/d0nr08997d
