2016年07月24日至27日，由中科院上海微系统所主办的第七届铋化物半导体国际研讨会（7th International Workshop on Bismuth-containing Semiconductors: Growth, Properties and Devices）在上海巴黎春天新世界大酒店圆满召开，这是该系列国际会议首次在亚洲举行，来自全球12个国家80多名代表参加了本次研讨会，其中国外代表有30多人。上海微系统所”****”获得者、国际知名化合物半导体专家王庶民研究员担任会议主席，并代表微系统所致欢迎辞。

　　本次会议有幸邀请到了Ke He (Tsinghua University, China), Shane R. Johnson (Arizona State University, USA), Tom Tiedje (Victoria University, Canada), Patricia M. Mooney (Simon Fraser University, Canada), Fumitaro Ishikawa (Ehime University, Japan), Stephan W. Koch (Philips University Marburg, Germany), Stephen J. Sweeney (Surrey University, UK)和 Masahiro Yoshimoto (Kyoto Institute of Technology, Japan)八位著名铋化物领域科学家做大会邀请报告，与会代表们就稀铋和含铋拓扑绝缘体等半导体材料、器件和理论模拟进行了深入广泛的研讨与交流。

　　27日中午研讨会结束，上海微系统所副所长谢晓明研究员代表微系统所致结束辞，祝贺第七届铋化物半导体国际研讨会圆满结束，并代表上海微系统所为Best Student/Young Researcher Paper Award获得者英国Sheffield大学Richards Robert颁发了奖状和奖金。27日下午近50名与会代表参观了中科院上海微系统所化合物半导体材料和器件研究平台，代表们全面了解了上海微系统所在铋化物半导体材料和器件方面的研究进展，并对微系统所在铋化物领域取得的成果表示高度肯定。

　　作为由微系统所牵头的973项目“2.8-4.0微米室温高性能半导体激光器材料和器件制备研究”主要国际学术交流内容之一，通过此次研讨会的成功举办，促进了铋化物半导体材料、器件和理论模拟国际同行的学术交流，有力提升了上海微系统研究所在该领域的国际影响力。

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