庄教授主要从分子束外延制备异质结纳米结构材料、基础物性和器件研究三个方面进行了介绍。他着重介绍了在厚层石墨和石墨烯表面InAsSb纳米线的制备及其性能。他指出InAsSb纳米线具有禁带宽度窄、电子迁移率高等有优点，是目前高迁移率器件的研发重点。报告引起了与会者的广泛兴趣，大家与庄教授进行了充分的交流和探讨，对未来Lancaster Univ.物理系与上海微系统所在科研方面进一步合作达成了意向。报告内容详实生动，受到大家一致好评。
庄教授1999年毕业于中国科学院半导体研究所，研究领域为分子束外延制备低维半导体化合物和红外光电子应用。后来，他在新加坡南洋理工大学从事研究工作，主要研究砷化铟/砷化镓量子点光子探测器与激光器。现为英国兰卡斯特大学 ( Lancaster University)物理系教授（Tenured senior lecturer），带领半导体物理学与纳米结构团队从事新型量子材料的分子束外延相关研究。
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