BSM600D12P3G001通过采用原有内部结构和优化散热设计的新封装，达到600A的额定电流，支持更高功率的应用，如工业设备的大型电源。
此外，与绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块相同的额定电流下，开关损耗降低了64％（芯片温度为150°C），大大提高了节能效果。
另外，伴随着通过高频运转来减小外围部件的尺寸，在高频率下驱动时，降低开关损耗的效果更大，有利于冷却等系统的小型化。例如，从冷却系统中的损耗模拟的初步计算出来，采用SiC模块可以将等效IGBT模块的水冷散热片尺寸降低高达88％。
近年来，由于其优越的节能性能和对产品处理更大电流这一需求的满足，SiC已经在更多的市场（包括汽车和工业部门）中获得了更多的应用。然而，为了最大限度地提高SiC的高速开关特性，特别是在功率模块等大电流额定值的产品中，需要开发一种新的封装，可以抑制开关过程中浪涌电压的影响。
罗姆表示，2012年3月，它首次批量生产完全由碳化硅组成的功率半导体元件的全SiC功率模块。此后，相继开发出已经在各种领域采用的高达1200V / 300A的大功率产品。最新的模块采用新的封装设计，扩展了公司的SiC模块阵容，以覆盖100A至600A的关键电流范围，以满足IGBT市场日益增长的需求。
降低的开关损耗有助于更大的节能
额定电流相同情况下，对比IGBT，基于ROHM SiC肖特基势垒二极管（SBDs）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的全SiC功率模块，使开关损耗降低64％（芯片温度为150℃）。这最大限度地减少了应用中的功率转换损耗，有助于提高节能。
高频驱动器支持更小尺寸的外围组件
5kHz驱动使用PWM逆变器驱动进行的损耗模拟下降了30％，而在20kHz PWM和等效额定IGBT模块下，总损耗更大幅度地降低55％。在20kHz应用情况下，散热器的尺寸可以减少88％。高频驱动器还支持使用更小的被动外设组件。
实现更大电流的技术挑战
1.降低封装电感
增加电源模块的电流额定值也会增加开关过程中的浪涌电压，因此必要使封装内的电感最小化。然而，优化SiC器件的内部布局以及端子配置和图案布局使ROHM能够将内部电感降低23％，而传统产品。与标准封装相比，新的G型封装以相同的损耗将浪涌电压抑制了27％，从而能够开发400A和600A模块。在相同的浪涌电压驱动条件下，这种新封装还可以将开关损耗降低24％。
2.改善封装散热
达到600A的额定电流不仅要降低内部电感，还要减少发热量。通过提高显着有助于模块散热的基板部分的平坦度，ROHM能够将冷却机构和客户基板之间的热阻降低57％。
| 附件下载： |
