研究团队首先通过设计调控导电高分子对阴离子的分子结构来调控对阴离子的位阻,实现了薄膜自抑制法聚合(SIP)新工艺,获得了高性能可应用的PEDOT厚膜材料,使得便捷制备微米级高电导率(> 103 S/cm)PEDOT薄膜成为了可能。在此研究基础上,在自抑制效果下实现了高膜厚无气孔PEDOT:DBSA-Te量子点复合薄膜的同步生成。通过新型Fe(III)氧化剂的自抑制作用,实现了PEDOT基体对均匀分散Te颗粒的紧密包覆,成功抑制了Te纳米颗粒的氧化。进一步地通过调节氧化剂的比例可以控制Te含量和粒径,最小粒径可达到量子点级(<5nm)。最终,通过Te量子点的高效声子散射机制,在较低的Te添加量下(2.1 ~ 5.8 wt%),实现了泽贝克系数和电导率的同时提升,获得了功率因子超过100 μW/mK2的复合薄膜,比纯的PEDOT:DBSA基体提高了50%以上。该项研究为未来有机-无机复合纳米热电材料制备展示了新的方法和思路。下一步,该团队将探索更多基于此方法的PEDOT基复合材料的合成以及相关器件的制作。
相关研究工作得到了973项目、国家自然科学基金、上海市科委等项目的资助。
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自抑制法制备PEDOT厚膜和PEDOT/Te量子点复合薄膜路线图
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不同Te含量的PEDOT/Te复合薄膜的SEM、AFM和HTEM图像
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不同Te含量的PEDOT/Te复合薄膜的电导率、泽贝克系数和热电功率因子