SEMINAR
The State Key Lab of
High Performance Ceramics and Superfine Microstructure
Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences
中 国 科 学 院 上 海 硅 酸 盐 研 究 所 高 性 能 陶 瓷 和 超 微 结 构 国 家 重 点 实 验 室

　　2016年度国家重点实验室特邀学术报告

　　基于磁电耦合效应的新型信息存储器件

　　尚大山

　　中国科学院物理研究所

　　时间：2016年12月16日（星期五）上午9: 00

　　地点： 2号楼607会议室（国家重点实验室）

　　欢迎广大科研人员和研究生参与讨论！

　　联系人：陈立东（4804）

　　报告摘要：

　　电阻、电容和电感是人们熟知的三种基本电路元件，分别由四个基本电路变量（电压、电流、电荷、磁通）之间的线性关系来定义。1971年，Chua提出应该存在由电荷和磁通之间的关系来定义的电路元件—忆阻器（Memristor），并把它当作第四种基本电路元件。在随后近40年中，忆阻器的概念并没有引起人们太多的注意。2008年，Williams等人宣称找到了缺失多年的忆阻器。这一发现激发了研究者对忆阻器的关注，掀起了忆阻器及其相关器件（如突触记忆、神经计算和布尔逻辑操作等等）的研究热潮。在忆阻器发现的启发下，忆容器（Memcapacitor）和忆感器（Meminductor）也随即被提出。虽然忆阻器具有重要的应用前景，但是，把忆阻器作为第四种基本电路元件，一直受到物理学家的质疑。通过理论分析，我们基于磁电耦合效应中电荷?磁通关系建立了第四种基本电路元件—电耦（Transtance）以及其相应的记忆电路元件—忆耦（Memtranstance）的理论模型，并且预测了电耦和忆耦的特征响应曲线。在此基础上，我们采用具有室温下非线性磁电耦合效应的多铁异质结材料，在真实器件中成功实现了忆耦的性能，并且利用忆耦的记忆特性，实现了一种全新的非易失性存储器件。这些研究结果证明了忆耦器理论模型的正确性，为忆耦在真实电路中的应用提供了可能。同时，也从基本电路元件的角度重新看待研究已久的磁电耦合效应，为磁电耦合效应的器件化应用开辟了新的空间。

　　个人简介：

　　尚大山，现为中国科学院物理研究所副研究员。2007年7月博士毕业于中国科学院上海硅酸盐研究所（陈立东课题组），2007-2009年中科院物理所博士后，2009年开始任中科院物理所副研究员，期间于2011-2012年任职于韩国首尔大学物理与天文系博士后，2012-2014年任职于德国亚琛工业大学洪堡研究员。研究工作主要围绕电致阻变效应（后又被称为忆阻效应）及其在信息存储器件中的应用，在忆阻材料体系探索和性能优化、忆阻物理机制研究、新型忆阻器件开发等方面取得了创新性研究成果，提出了基于磁电耦合效应的新型存储技术。尚大山副研究员在忆阻效应与磁电耦合等领域发表SCI论文四十余篇，他人引用超过六百余次，主持国家自然科学基金两项，主持完成国家自然科学基金青年基金项目一项，参与完成国家自然科学基金重点基金、科技部重大研究计划和北京市自然科学基金重大项目等研究课题。