陈益钢教授，博导，男，1970年9月生，东方学者。

个人简历：
•1998毕业于清华大学材料物理专业获工学博士学位，师承中国科学院院士柳百新教授；
•1998-2000在德国卡尔斯鲁厄研究中心作为洪堡研究员从事研究工作，联系导师是O.Meyer博士和G.Linker博士；
•2000-2006在日本的产业技术综合研究所先后担任日本科技厅STA研究员和JST/CREST研究员从事研究工作，联系导师分别是小林直人博士（现在为早稻田大学教授）和大串秀世博士；
•2006-2009担任产业技术综合研究所（日本）常勤研究员；
•2009-至今在上海大学材料学院任教。目前，领导一个压电薄膜材料与器件研究小组，主要从事耐高温等恶劣环境的压电薄膜材料的制备及新型器件方面的研究开发工作，提出在氮化铝二元系统中通过可控掺入过渡金属元素的方法来大幅增强合金薄膜材料的压电响应特性。在过去的研究中，先后用离子注入的方法合成金属硅化物，在通常不能合金化的二元金属系统中通过多层膜界面控制的方法合成多种非晶态合金和亚稳态合金相，系统研究了器件级同质外延金刚石薄膜的生长、微结构和电学性能并成功制备了多种基本电子器件和深紫外发光器件，系统研究并开发了极低温度下使用的低功耗半导体器件，研制了低温超导探测器并成功应用于飞行时间质谱分析。先后作为研究骨干参加了德国政府研究项目一项、日本JST战略研究项目两项，上海市政府资助项目两项，发表国际学术论文约40篇，获得日本专利一项，申报国内发明专利5项。

获奖和荣誉：

1996年国家教委科技进步三等奖；
1997年第五届“挑战杯”一等奖；
1997年年度SCI论文数全国排名第二（第一作者）；
1998年北京市科技进步一等奖；
1998年德国洪堡研究奖励金
1999年中国国家自然科学三等奖；
2000年日本STA研究奖励金
2002年日本CREST研究奖励金
2009年上海市人才发展基金
2010年上海市自然科学基金项目评审专家

联系方式：

上海市延长路149号上海大学电子信息材料系第32号信箱邮编：200072
电话/传真:+86-21-56331349
E-mail:yigangchen@shu.edu.cn

主要从事的研究领域：

材料物理和电子材料及器件专业、主要从事五个方向的研究工作：
（1）材料的微结构和表面改性的研究；
（2）薄膜电子材料和器件的研究；
（3）超细粉体材料的合成和应用研究；
（4）航空功能材料的研究；
（5）离子束和固体的相互作用。

代表性论文：
1.N.Zen,Y.G.Chen,K.Suzuki,M.Ohkubo,S.MikiandZhenWang,DevelopmentofSuperconductingStripLineDetectors(SSLDs)forTime-of-FlightMassSpectrometers(TOF-MS),IEEETransactionsonAppliedSuperconductivity19,354(2009).
2.Y.G.Chen,T.Itatani,M.Ohkubo,n-channelGaAsMESFETsforcryogenicapplication,PhysicaStatusSolidiC5,2805(2008).
3.T.Makino,H.Kato,M.Ogura,H.Watanabe,S.Ri,Y.G.Chen,S.YamasakiandH.Okushi,Electricalandopticalcharacterizationsof(001)-orientedhomoepitaxialdiamondp–njunction,DiamondandRelatedMaterials15,513-516(2006).
4.T.Makino,H.Kato,S.Ri,Y.G.ChenandH.Okushi,Electricalcharacterizationofhomoepitaxialdiamondp-n+junction,DiamondandRelatedMaterials14(no.11-12),1995(2005).
5.Y.G.Chen,M.Ogura,T.Makino,S.YamasakiandH.Okushi,DiamondSchottkybarrierdiodeswithlowspecificon-resistance,SemiconductorScienceandTechnology20(No.12),1203(2005).
6.Y.G.Chen,M.Ogura,S.YamasakiandH.Okushi,Ohmiccontactsonp-typehomoepitaxialdiamondandtheirthermalstability,SemiconductorScienceandTechnology20,860(2005).
7.Y.G.Chen,M.OguraandH.Okushi,SchottkyjunctionpropertiesonhighqualityB-dopedhomoepitaxialdiamondthinfilms,JournalofVacuumScienceandTechnologyB22(4),2084(2004).
8.Y.G.Chen,M.OguraandH.Okushi,InvestigationofspecificcontactresistanceofohmiccontactstoB-dopedhomoepitaxialdiamondusingtransmissionlinemodel,DiamondandRelatedMaterials13,2121(2004).
9.Y.G.Chen,M.Ogura,M.KondoandH.Okushi,Highperformancediamond/amorphoussiliconp-n+heterojunctions，AppliedPhysicsLetters85(11),2110(2004).
10.Y.G.Chen,M.Ogura,H.OkushiandN.Kobayashi,Characterizationofcapacitance-voltagefeaturesofNi/diamondSchottkydiodesonoxidizedboron-dopedhomoepitaxialdiamondfilm,DiamondandRelatedMaterials12(8),1340(2003).
11.Y.G.Chen,M.Ogura,N.KobayashiandH.Okushi,Temperaturedependenceandeffectofseriesresistanceontheelectricalcharacteristicsofmetal/diamondSchottkydiodesbasedonboron-dopedhomoepitaxialdiamondfilms,AppliedPhysicsLetters82(24),4367(2003).
12.Y.G.Chen,M.Hasegawa,H.Okushi,S.Koizumi,H.Yoshida,T.SakaiandN.Kobayashi,Electricalpropertiesofgraphite/homoepitaxialdiamondcontact,DiamondandRelatedMaterials11,451(2002).
13.Y.G.Chen,M.Hasegawa,S.Yamanaka,H.OkushiandN.Kobayashi,Electricalpropertiesofgraphite/p-typehomoepitaxialdiamondcontact,MaterialsScienceForum389-393,945(2002).
14.Y.G.ChenandB.X.Liu,Interface-drivenalloyingandmetallicglassformationinnano-multilayersinanimmiscibleY-Nbsystem,ActaMaterialia47(4),1389(1999).
15.C.Lin,Y.G.ChenandB.X.Liu,Sequentialdisorderingobservedduringion-inducedamorphizationintheMo-Femultilayeredfilms,Nucl.Instr.Meth.inPhys.Res.B148,946(1999).
16.Y.G.ChenandB.X.Liu,Solid-stateamorphizationinY-NbandAu-Tasystems,ProgressinNaturalScience9(3),223(1999).
17.Y.G.ChenandB.X.Liu,MetastablealloyssynthesizedbyionmixinginimmiscibleTi-NbandTi-Tasystems,MaterialsScienceandEngineeringB52,1(1998).
18.B.X.LiuandY.G.Chen,SynthesisofmetallicglassesinanimmiscibleY-Wsystembysolid-statereactionofmultilayeredfilms,ThinSolidFilms334,201(1998).
19.Y.G.ChenandB.X.Liu,Glass-formingabilityofbinarymetalsystems,ProgressinNaturalScience8(2),129(1998).
20.C.Lin,Y.G.ChenandB.X.Liu,AmorphousCo-Moalloyfilmsobtainedbyalternate-deposition,phys.stat.sol.(a)169,105(1998).
21.Y.G.ChenandB.X.Liu,Amorphousfilmsformedthroughmultilayer-techniqueinanimmiscibleY-Mosystemandtheirelasticproperties,JournalofPhysicsD:AppliedPhysics30,510(1997).
22.Y.G.Chen,B.X.LiuandQ.Zhang,Formationofamorphousalloysthroughmultilayer-methodinanimmiscibleY-Nbsystem,JournalofPhysics:CondensedMatter9,389(1997).
23.Y.G.ChenandB.X.Liu,Observationofion-inducedalloyphaseformationinanimmiscibleY-Tasystem,JournalofNon-CrystallineSolids217,308(1997).
24.Y.G.ChenandB.X.Liu,Formationofamorphousfilmsbysolid-statereactioninanimmiscibleY-Wsystem,AppliedPhysicsA65,73(1997).
25.Y.G.ChenandB.X.Liu,Amorphousalloysformedbyionmixingorsolid-statereactioninimmiscibleY-refractorymetalsystemsandtheirelasticproperties,Nucl.Instr.Meth.inPhys.Res.B127/128,145(1997).
26.Y.G.ChenandB.X.Liu,Irradiation-inducedalloyinginimmiscibleCu-Mosystemthroughmultilayer-technique,JournalofAppliedPhysics82,3815(1997).
27.Y.G.ChenandB.X.Liu,Interface-drivensolid-state-alloyinginanimmiscibleCu-Wsystem,JournalofPhysicsD:AppliedPhysics30,1729(1997).
28.Y.G.ChenandB.X.Liu,AlloyphasesformedinanimmiscibleCu-MoandCu-Wsystembymultilayer-technique,JournalofAlloysandCompounds261,217(1997).
29.Y.G.Chen,Q.ZhangandB.X.Liu,Irradiation-inducedalloyinginanimmiscibleTi-Tasystem,Nucl.Instr.Meth.inPhysics.Res.B124,523(1997).
30.Y.G.ChenandB.X.Liu,DifferentdrivingforceformetallicglassformationinNb-NiandNb-Ysystemsbyionmixingandsolid-statereaction,Mater.Lett.33,167(1997).
31.Y.G.ChenandB.X.Liu,Multilayer-methodtosynthesizemetallicglassesinimmiscibleCu-Mosystem,ChinesePhysicsLetters14,194(1997).
32.B.X.Liu,Y.G.ChenandO.Jin,Progressonformationandtheoreticalmodelingofmetastablealloysstudiedbyionmixingofmultilayeredfilms,ChineseJournalofMaterialsResearch(inEnglish)11,561(1997).
33.F.Pan,Y.G.Chen,Z.J.ZhangandB.X.Liu,RoleofatomicsizeintheamorphousalloyformationintheAu-Tasystem,JournalofNon-CrystallineSolids194,305(1996).
34.Y.G.ChenandB.X.Liu,Amorphousfilmsformedbysolid-statereactioninanimmiscibleY-Mosystemandtheirstructuralrelaxation,AppliedPhysicsLetters68,3096(1996).
35.LiuBaixinandChenYigang,Progressofalloyingtheoreticalresearchinthinfilms,Physics(inChinese)11,641(1996).
36.D.H.Zhu,Y.G.ChenandB.X.Liu,FormationofaCoSi2layerbyCoionimplantationusingametalvaporvacuumarcionsource,Nucl.Instr.Meth.inPhys.Res.B101,394(1995).
37.D.H.Zhu,Y.G.ChenandB.X.Liu,MetalvaporvacuumarcionimplantationtosynthesizeFeSi2layersonSi(100)andSi(111),phys.stat.sol.(a)152,467(1995).
38.D.H.Zhu,Y.G.ChenandB.X.Liu,Anewsilicidationtechniquebymetalvaporvacuumarcionimplantation,Nucl.Instr.Meth.inPhys.Res.B106,1908(1995).
39.F.Pan,Y.G.ChenandB.X.Liu,SpontaneousvitrificationintheAu-Tasystemwithasmallsizedifference,AppliedPhysicsLetters67,780(1995).

---