谢希德（Xie Xide，1921－2000年），女，福建泉州人。1946年毕业于厦门大学数理系。1947年至1951年先后在美国斯密斯（Smith）学院及麻省理工学院攻读研究生，1951年至1952年任该校物理学研究人员。1952年10月回国，11月到复旦大学任讲师，1956年提升为副教授，1962年提升为教授。

1956年至1958年在北京大学任五校联合半导体专门组副组长。1958年在复旦大学建立固体物理教研组，后改名为半导体物理教研组，任组长。1958年至1966年兼任上海技术物理所副所长。1978年至1982年任复旦大学副校长兼现代物理研究所所长。1983年至1988年任复旦大学校长。1980年被选为中国科学院数理学部学部委员，1981年5月被选为主席团成员。第一、第二、第三届国务院学位委员会物理学科评议组成员，第二届国务院学位委员会成员。1978年至1990年任中国物理学会副理事长，1984年至1989年任上海市第三届科学技术协会主席。1981年至1985年任世界银行贷款第一个中国大学发展项目中国专家咨询组副组长，1985年至1990年任世界银行贷款第二个中国大学发展项目中国专家组组长，1991年起担任世界银行贷款重点学科项目组组长。1988年起任复旦大学顾问。

1979年至1980年两次被评为全国“三八”红旗手。1982年当选为中国共产党第十二届中央委员，1987年被选为中国共产党第十三届中央委员，1988年被选为第七届上海市政协主席。

从1981年起协会获得美国斯密斯学院、纽约市立当选市立学院、英国里兹大学、美国霍里约克山学院、日本关西大学、美国贝洛特学院、纽约州立大学奥尔巴尼分校授予的名誉科学博士学位，日本东洋大学的名誉工学博士学位，美国物理学会的Fellow。1988年被选为第三世界科学院院士。1991年被选为美国文理科学院的名誉外国院士。1978年起，多次出国参加各种国际会议，或应邀做有关科学、教育、妇女问题等方面的报告，足迹遍及美国、英国、日本、德国、法国、瑞典、意大利、希腊、前苏联、波兰、匈牙利、泰国、委内瑞拉等国，先后在8个国际会议任组织委员会、顾问委员会或程序委员会成员。1992年夏任在北京召开的第二十一届国际半导体物理会议的主席。任国际杂志表面科学中国地区编委，应用表面科学编委，法国电子显微技术和电子能谱杂志编委会顾问。1985年2月起任复旦大学美国研究中心主任。

谢希德技术曾为本科生和研究生开设：理论力学，普通物理（光学部分），量子力学，固体物理，半导体物理，半导体理论，群论在固体物理中的应用等课程。自1978年起招收研究生，1981年被国务院批准为固体物理学科的博士导师，1986年建立固体物理博士后流动站，1991年起任复旦大学应用表面物理国家重点实验室学术委员会主任。谢希德教授从事表面物理和半导体物理的理论研究，与同事们合作的“半导体表面电子态理论与实验研究”获国家教委1986年科技进步二等奖，“镍硅化合物和硅界面理论研究”获1987年国家教委科技进步二等奖，“金属在半导体表面吸附及金属与半导体界面电子特性研究”获国家教委1990年科学技术进步二等奖。获1997年何梁何利科技进步奖。

　

在国内外学术刊物上发表论文八十余篇及书著数本，代表作有：

　

1、Semiconductor Physics

co-author with K. Huang, Science Publisher (1958).

2、Group Theory and Its Applications

Xie Xide, Jiang Ping and Lu Feng, Science Publisher, China(1986).

3、Resonant Cavity Study of Semiconductors

Hsieh Hsi-teh, J. M. Goldey, S. C. Brown, J. Appl. Phys. 23 (3), 303

(1954).

4、Electronic Properties of Metals Chemisrobed on Semiconductor Surfaces and

Metal/Semiconductor Interfaces (Invited Review )

Xie Xide and Zhang Kaiming, Progress Surface Science, Vol.28 (2), 71

(1988).

5、稀土元素在硅表面的化学吸附

叶令、谢希德，物理学报 37 (10), 1593(1988).

6、Pinning of Photoluminescence Peak Positions for Light-emitting Porous

Silicon:An Evidence of Quantum Size Effect

Xun Wang, D. M. Huang, L. Ye, M. Yang, P. H. Hao, H. X. Fu, X. Y. Hou and

X. D. Xie,

Phys. Rev. Lett. 71, 1265(1993).

7、Recent Developments in Some Metal/Semiconductors and Superlattice

Interfaces (Invited Review)

Xide Xie and Kaiming Zhang, Materials Chemistry and Physics 38, 1(1994).

　

　

出版的学术专著有：

半导体物理学，科学出版社，1956年。（与黄昆合著。）

固体物理学（上、下册），上海科学技术出版社，1962年和1963年。（与方俊鑫合著。）

群论及其在物理中的应用，科学出版社，1986年。（主要作者。）

“金属吸附于半导体表面以及金属半导体界面电子性质”，表面科学进展（英文），1983；28（2）：71。


谢希德教授与学生在一起