胡小波
相关教师
个人资料
部门: 通信与电子工程学院
性别: 男
专业技术职务: 副教授
毕业院校: University of Tsukuba
学位: 博士
学历: 研究生
联系电话:
电子邮箱: huxiaobo@ee.ecnu.edu.cn
办公地址: 信息楼328,实验A楼549
通讯地址: 上海市东川路500号
邮编: 200241
传真:
教育经历
2011-2015 日本筑波大学 应用物理系 博士
2008-2011 北京师范大学 核科学与技术学院 硕士
2004-2008 北京师范大学 物理系 本科
工作经历
2019至今 华东师范大学 通信与电子工程学院 电子工程系 副教授
2015-2019 华东师范大学 信息科学技术学院 晨晖****
个人简介
胡小波,华东师范大学通信与电子工程学院 电子工程系 副教授。入选上海市浦江人才。 分别于2008年和2011年在北京师范大学获得物理学专业学士学位和凝聚态物理专业硕士学位,2011-2015年获得日本文部省奖学金并在日本筑波大学获得应用物理学博士学位。2015年至今就职于华东师范大学电子工程系。研究领域包括半导体光电器件包括光伏器件、发光器件等制作及表征以及半导体测试系统的开发,发表学术论文20余篇,授权发明专利4项。
社会兼职
研究方向
微电子学与固体电子学,光伏传感器件,通信用半导体激光器
开授课程
电路分析基础及实验
科研项目
项目
1.国家自然科学基金青年基金,**,2017/01-2019/12,18万元,在研,主持;
2.上海市浦江人才计划,2016.7.31-2018.7.31,No.16PJ**,20万,在研,主持;
3.华东师范大学“晨晖****”,2015年,华东师范大学,主持。
4.江苏省重大科技成果转换项目,大尺寸图形化蓝宝石衬底的研发与产业化,2016.2.26-2018.12.31,项目号2016KFR0022,100万,主要参与人。
学术成果
学术论文列表:
2020
(13)Chen, Yuanjing; Wang, Youyang; Wang, Rui; Hu, Xiaobo*; Tao, Jiahua; Weng,
Guo-En; Zhao, Chunhu; Chen*, Shaoqiang; Zhu, Zi-Qiang; Chu, Junhao; Akiyama, Hidefumi ,
Importance of interfacial passivation in Sb2Se3 thin-film solar cells towards high efficiency:
numerical evidence ,
ACS Applied Energy Materials, 2020 Accepted (IF:4.473)
(12) Xiaobo Hu#, Youyang Wang#, Jianyu Hong, Yun Jia, Tengfei Chen, Juanjuan Xue, Yuanjing Chen,
Jiahua Tao, Guoen Weng and Shaoqiang Chen*,Resistive effects on the spatially resolved absolute
electroluminescence of thin-film Cu(In, Ga)Se2 solar cells studied by a distributed two-diode model,
IEEE Access, 2020, 8:112859-66 (二区,IF: 4.098)
(https://ieeexplore.ieee.org/document/**)
2019
(11)Xiaobo Hu, Jiahua Tao, Youyang Wang, Juanjuan Xue, Guoen Weng, ChuanjunZhang*, Shaoqiang Chen*,
Ziqiang Zhu, Junhao Chu,5.91%-efficientSb2Se3solar cell with RF magnetron sputtered CdS buffer layer,
Applied Materials Today, 2019, 16:367-374. (一区,IF: 8.013)
(https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S03336?dgcid=coauthor)
(10)Jiahua Tao#,Xiaobo Hu#(共一),Yixin Guo,Jin Hong, Kanghua Li, Jinchun Jiang, Shaoqiang Chen,
Chengbin Jing, Fangyu Yue, Pingxiong Yang,Chuanjun Zhang*, Zhuangchun Wu*, Jiang Tang,Junhao Chu*,
Solution-processedSnO2interfaciallayerforhighlyefficientSb2Se3thin film solar cells.
Nano energy, 2019,60:802-809. (一区,IF: 15.548)
(https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S03209)
(9)Jiahua Tao#,Xiaobo Hu#(共一),Juanjuan Xue, Youyang Wang, Guoen Weng, Shaoqiang Chen*,
Ziqiang Zhu, Junhao Chu, Investigation of electronic transport mechanisms in Sb2Se3thin-film solar cells,
Solar Energy Materials and Solar Cells,2019,197:1-6.(二区,IF: 6.019)
(https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1801?dgcid=coauthor)
(8)Xiaobo Hu,Tengfei Chen, Jianyu Hong, Shaoqiang Chen*, Guoen Weng, Ziqiang Zhu,
Diagnosis of GaAs solar-cell resistance via absolute electroluminescence imaging and distributed circuit modeling,
Energy, 2019, 174:85-90.(小类一区,IF:5.537)
(https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S3767)
2016-2018
(7)Xiaobo Hu,Jiahua Tao, Shiming Chen, Juanjuan Xue, GuoenWeng, Kaijiang, Zhigao Hu, Jinchun Jiang,
Shaoqiang Chen*, Ziqiang Zhu, Junhao Chu, Improving the e?ciency of Sb2Se3thin-?lm solar cells
by post annealing treatment in vacuum condition,
Solar Energy Materials and Solar Cells, 2018, 187:170–175.(一区,IF:5.018)
(https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S4082)
(6)Xiaobo Hu,Jiahua Tao, GuoenWeng, Jinchun Jiang, Shaoqiang Chen*, Ziqiang Zhu, Junhao Chu,
Investigation of electrically-active defects in Sb2Se3thin-film solar cells with up to 5.91%
efficiency via admittance spectroscopy,
Solar Energy Materials and Solar Cells, 2018,186:324–329.(一区,IF:5.018)
(https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S3660)
(5)XiaoboHu,LiangqingZhu, GuoenWeng, and Shaoqiang Chen*, Accessing externally induced
spatially-resolved strain in GaAs thin-film solar cells by electroluminescence imaging,
Solar Energy Materials and Solar Cells, 2018,179:283–288.
(https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S6670)(一区,IF:5.018)
(4)XiaoBo Hu, Tengfei Chen, Juanjuan Xue, Guoen Weng, and Shaoqiang Chen*, Hidefumi Akiyama,
Ziqiang Zhu, Absolute Electroluminescence Imaging Diagnosis of GaAs Thin-film Solar Cells,
IEEE Photonics Journal, 2017, 9(5):**.(三区,IF:2.627)
(http://xueshu.baidu.com/s?wd=paperuri%3A%289a**e75e7b09a239990dc0352b1%29&filter=sc_long_sign&tn=SE_xueshusource_2kduw22v&sc_vurl=http%3A%2F%2Fieeexplore.ieee.org%2Fdocument%2F**%2F&ie=utf-8&sc_us=7976**4877)
(3)Xiaobo Hu, Juanjuan Xue, Jiao Tian, Guoen Weng, and Shaoqiang Chen*, Influence of Se
beam pressure on deep-level defects in Cu(In,Ga)Se2thin films studied by photocapacitance
and time-resolved photoluminescence measurements,
Applied Optics, 2017, 56(5):1291-1295.(三区,IF:1.791)
(http://apps.webofknowledge.com/full_record.do?product=UA&search_mode=GeneralSearch&qid=4&SID=2ChQM33RlfhiiVJr2n6&page=1&doc=1)
(2)Xiaobo Hu, Juanjuan Xue, Jiao Tian, Guoen Weng, and Shaoqiang Chen*,
Investigation of deep-level defects in CuGaSe2thin-film solar cells using
photocapacitance methods,
Applied Optics, 2017, 56(8):2330-2335.(三区,IF:1.791)
(http://apps.webofknowledge.com/full_record.do?product=UA&search_mode=GeneralSearch&qid=1&SID=3EvMxCox9R1F3HfiU2U&page=1&doc=1)
(1)Xiaobo Hu, Juanjuan Xue, Jiao Tian, Guoen Weng, and Shaoqiang Chen*, Effect of Cu/Ga ratio
on deep-level defects in CuGaSe2thin films studied by photocapacitance measurements with
two-wavelength excitation,
Applied Optics, 2017, 56(14):4090-4094.(三区,IF:1.791)
(http://apps.webofknowledge.com/full_record.do?product=WOS&search_mode=CitingArticles&qid=8&SID=3EvMxCox9R1F3HfiU2U&page=1&doc=1)
2011-2016
1.Xiaobo Hu,Amit Gupta, Takeaki Sakurai, Akimasa Yamada, Shogo Ishizuka, Shigeru Niki, and Katsuhiro Akimoto*. Investigation of deep-level defects in Cu(In,Ga)Se2 thin films by two-wavelength excitation photo-capacitance spectroscopy.
Applied Physics Letters103, 163905 (2013).
2.Xiaobo Hu,Takeaki Sakurai, Akimasa Yamada, Shogo Ishizuka, Shigeru Niki, and Katsuhiro Akimoto*, Investigation of deep-level defects in Cu(In,Ga)Se2thin films by a steady-state photocapacitance method.
Journal of Applied Physics116, 163703 (2014).
3.Xiaobo Hu,Takeaki Sakurai, Akimasa Yamada, Shogo Ishizuka, Shigeru Niki, and Katsuhiro Akimoto*, Investigation of the relative density of deep defects in Cu(In,Ga)Se2thin films dependent on Ga content by transient photocapacitance method.
Japanese Journal of Applied Physics53,068008 (2014).
4.Xiaobo Hu,Takeaki Sakurai, Akimasa Yamada, Shogo Ishizuka, Shigeru Niki, and Katsuhiro Akimoto*, Investigation of the Properties of Deep-level Defect in Cu(In,Ga)Se2Thin Films by Steady-State Photo-Capacitance and Time-Resolved Photoluminescence Methods.
Japanese Journal of Applied Physics54, 04DR02 (2015).
5.X.B. Hu, C.Z. Hu, D.P. Yin, L.Y. Zhang, C.N. Zhang, Y. Chen, G.Q. Zhang, R. Yang, K. Liang, Yu. Musienko, and D.J. Han*. The SiPM with bulk quenching resistor: progress at NDL and applications in Raman spectroscopy.
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A695, 29(2012).
6.G.Q. Zhang,X.B. Hu, C.Z. Hu, D.P. Yin, K. Liang, R. Yang and D.J. Han*. Demonstration of a silicon photomultiplier with bulk integrated quenching resistors on epitaxial silicon.
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A621, 116 (2010).
7.G.Q. Zhang,X.B. Hu, Y. Cheng, C. Zhang, L. Liu, R. Yang, K. Liang, and D.J. Han*, Fast identification of substance by measuring two Raman peaks with dual strip silicon photomultipliers and gated photon counting technique.
Applied Optics50, 4733 (2010).
8.G.Q. Zhang,X.B. Hu, R. Yang, C. Zhang, K. Liang, and D.J. Han*, Fast identification of trace substance by single-photon detection of characteristic Raman scatterings with gated coincidence technique and multipixel photon counters.
Applied Optics49, 2601 (2010).
荣誉及奖励
获奖:2018年度上海市科技进步奖二等奖.
删除或更新信息,请邮件至freekaoyan#163.com(#换成@)
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