李小进 通信与电子工程学院副教授
















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学术成果
荣誉及奖励



个人资料
部门： 通信与电子工程学院
性别： 男
专业技术职务： 副教授
毕业院校： 华东师范大学
学位： 理学博士
学历： 博士
联系电话：
电子邮箱： xjli@ee.ecnu.edu.cn
办公地址： 信息楼251
通讯地址： 上海闵行东川路500号信息楼251
邮编：
传真：


教育经历
2006-9至2009-6, 华东师范大学, 微电子学与固体电子学, 博士, 导师: 赖宗声
2001-9至2004-6, 华东师范大学, 微电子学与固体电子学, 硕士, 导师: 赖宗声
1997-9至2001-6, 华东师范大学, 微电子学与固体电子学, 学士
2008年9-10月，台湾国立清华大学



工作经历
2019-7至现在, 华东师范大学, 通信与电子工程学院, 副教授
2011-12至2019-6, 华东师范大学, 信息科学技术学院, 副教授
2007-1至2011-12, 华东师范大学, 信息科学技术学院, 讲师
2004-7至2006-12, 华东师范大学, 信息科学技术学院, 助教




个人简介
聚焦国家重大战略需求领域中的VLSI核心技术，专注于FPGA应用系统、集成电路设计及核心器件模型研究。近年来一直与上海集成电路研发中心(ICRD)、华力微电子、上海飞聚微电子、美国ICMD等企业合作，开展产业技术进步急需的科学技术研究。主持及参与多项国家重大科技专项、国家自然科学基金和上海市科委等各类科研项目。近两年来，关注以深度学习算法为驱动的人工智能技术，跟踪算法、FPGA硬件加速技术发展。在数字集成电路设计领域积累了丰富的经验。设计芯片（已流片）近10款，发表论文共60余篇，其中SCI论文20余篇。申请发明专利28项，其中已授权14项。


社会兼职
美国IRON CITY MICRO DISPLAY Inc., 公司R&D技术顾问
IEEE TED, IEEE TDMR, IEEE Access, IEEE TCADII等期刊评阅人




研究领域
VLSI集成电路设计
集成电路可靠性建模及可靠性设计



开授课程
本科生：
数字集成电路设计；数字集成电路综合设计实践。
中国MOOC大学《数字集成电路设计》https://www.icourse163.org/course/ECNU-
研究生：
VLSI设计与分析；混合信号集成电路设计




科研项目
1.门电路复合应力模式下NBTI的退化机制及建模，**，国家青年自然科学基金，主持
2.40纳米GP工艺期间的可靠性模型研发，企业合作项目，主持
3.GFSK调制信号的MLSE同步与解调算法优化，企业合作项目，主持
4.NFC标签芯片技术开发合作，**，企业合作项目，主持
5.3D DLP Display研发设计，**，企业合作项目，主持
6.符合DVB-T/DTMB标准低功耗、低复杂度同步关键模块技术研究，07SA07，上海市科委
7.低功耗Viterbi译码器的FPGA设计，AM0508，上海市科委，主持
8.22nm FDSOI互连模型，2016ZX**，国家重大科技专项，主要研究人
9.深纳米三维FinFET结构栅围寄生电容模型及其波动性分布研究，**，国家自然科学基金，主要研究人
10.45nm成套产品工艺和IP-1，2009ZX02023-002-1，国家重大科技专项，主要研究人


项目经历：
fF级阵列小电容测试结构及电路设计
兼容DVB-T/DMBT关键模块(OFDM时频域估计与同步，FFT处理器)设计及FPGA验证
负责设计双层加密防伪RFID芯片设计
负责设计双接口NFC-Tag芯片，系统验证
负责40纳米NBTI退化效应监测电路设计及流片测试
负责AMD2B/AMD2B2，芯片调试（FIB，EMI），改版，流片测试
负责MEMS微镜显示驱动芯片(1920x1080)设计
CMOS器件可靠性NBTI理论发展，模型提取新方法，复合应力模式长时退化新模型
22纳米CMOS工艺后道互连线模型，提参及建模





学术成果
1.Renhua Liu, Xiaojin Li*, Yabin Sun, and Yanling Shi, A Vertical Combo Spacer to Optimize Electrothermal Characteristics of 7-nm Nanosheet Gate-All-Around Transistor, in IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 67, no. 6, pp. 2249-2254, June 2020 (通讯作者)
2.Junya Sun, Xiaojin Li*, Yabin Sun*,and Yanling Shi, Impact of Geometry, Doping, Temperature, and Boundary Conductivity on Thermal Characteristics of 14-nm Bulk and SOI FinFETs, in IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, vol. 20, no. 1, pp. 119-127, March 2020(通讯作者)
3.Xiaojin Li*, Jian Qing, Yabin Sun, Yan Zeng, and Yanling Shi, “Linear and Resolution Adjusted On-Chip Aging Detection of NBTI Degradation,” IEEE Transactions on Device & Material Reliability, vol. 18, No. 3 (2018). (第一作者)
4.Xiaojin Li*, Jian Qing, Yabin Sun, and Yanling Shi, “Analytical Layout Dependent NBTI Degradation Modeling Based on Non-Uniformly Distributed Interface Traps,” IEEE Transactions on Device & Material Reliability, vol. 18, No. 3 (2018). (第一作者)
5.Jian Qing, Yan Zeng, Xiaojin Li*, Yabin Sun, and Yanling Shi, “Analytical Low Frequency NBTI Compact Modeling with H2 Locking and Electron Fast Capture and Emission,” Journal of Electronic Testing:Theory and Applications, vol.34, No. 5, (2018) (通讯作者)
6.Yabin Sun, Ziyu Liu, Xiaojin Li*, Jiaqi Ren , Fanglin Zheng and Yanling Shi, “Analytical Gate Fringe Capacitance Model for Nanoscale MOSFET with Layout Dependent Effect and Process Variations,” Journal of Physics D: Applied Physics, 2018 (通讯作者)
7.Yan Zeng, Xiaojin Li*, Yanling Wang, Yabin Sun,Yanling Shi, Ao Guo, et.al, Analytical long-term NBTI recovery model with slowing diffusivity and locking effect of hydrogen considered, Microelectronics Reliability· June 2017 (通讯作者)
8.Yan Zeng, Xiaojin Li*, Yabin Sun*, Yanling Shi, Ao Guo, Shaojian Hu, Jian Qing, Detailed Study of NBTI Characterization in 40-nm CMOS Process Using Comprehensive Models, Chin. Phys. B Vol.26, No. 10 (2017) 108503 (通讯作者)
9.Yabin Sun, Xiaojin Li^*, Jinzhong Zhang^*and Yanling Shi, Improved high-frequency equivalent circuit model based on distributed effects for SiGe HBTs with CBE layout, Chin. Phys. BVol. 26, No. 9 (2017) 098502
10.Chengsheng Liu, Fanglin Zheng, Yabin Sun*, Xiaojin Li* and Yanling Shi, Highly Flexible SRAM Cells Based on Novel Tri-Independent-Gate FinFET, Superlattices and Microstructures (2017) 1-8 (通讯作者)
11.Chengsheng Liu, Fanglin Zheng, Yabin Sun*, Xiaojin Li*, Yanling Shi, Novel tri-independent-gate FinFET for multi-current modes control, Superlattices and Microstructures Vol.109 (2017) 374-381(通讯作者)
12.Fanglin Zheng, Chengsheng Liu, Jiaqi Ren, Yanling Shi, Yabin Sun, Xiaojin Li*, Analytical capacitance model for 14 nm FinFET considering dual-k spacer, Chin. Phys. B Vol. 26, No. 7 (2017) 077303 (通讯作者)
13.Xiaojin Li*, Jian Qing, Yanling Wang, and Yanling Shi, Prediction of NBTI degradation in dynamic voltage frequency scaling operations, IEEE Transactions on Device & Material Reliability, 2016, vol. 16, No. 1 9-19. (第一作者)
14.Yanling Wang, Xiaojin Li*, Jian Qing, and Yanling Shi, Analytical parameter extraction for NBTI reaction diffusion and trapping/detrapping models, Microelectronics Reliability· June 2016, 66, 10-15. (通讯作者)
15.Xiaojin Li*, Linhui Lai, Ao Lei, Zongsheng Lai, A direct digital frequency synthesizer based on two segment forth-order parabolic approximation, IEEE Transaction on Consumer Electronics, vol.55, No. 2, pp.322-326, May 2009 (第一作者)
16.Xiaojin Li*, Linhui Lai, Ao Lei, Zongsheng Lai, A Memory-Reduced direct digital frequency synthesizer for OFDM receiver systems, IEEE Transaction on Consumer Electronics, vol.54, No. 4, pp.1564-1568, Nov. 2008 (第一作者)
17.Xiaojin Li*, Zongsheng Lai, Jianmin Cui, A low power and small area FFT processor for OFDM demodulator, IEEE Transaction on Consumer Electronics, vol.53, No. 2, pp.322-326, May 2007 (第一作者)
18.Xiaojin Li*, Zongsheng Lai, A low complexity sign ML detector for symbol and frequency synchronization of OFDM systems, IEEE Transaction on Consumer Electronics, vol.52, No. 2, pp.317-320, May 2006 (第一作者)




荣誉及奖励
指导学生获奖（近年）
2019年，第二届华为杯中国研究生创“芯”大赛全国一等奖（优秀指导教师）、全国二等奖
2019年，第三届全国大学生集成电路创新创业大赛华东赛区二等奖
2018年，首届华为杯中国研究生创“芯”大赛全国二等奖
2017年，第十二届华为杯中国研究生电子设计大赛集成电路专业赛全国一等奖