王向展 邮箱：wangxiangzhan@gmai.com
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系别：集成电路与系统系
职称：副教授（副研究员等）
教师个人主页：


教师简介
王向展，男，博士，副教授，1974年4月生，陕西合阳人。



1996年获西安交通大学半导体物理与器件专业学士学位；1999年获电子科技大学微电子学与固体电子学硕士学位，随后留校工作；2010年获电子科技大学微电子学与固体电子学专业博士学位；主讲本科专业课程《集成电路原理与设计》、《综合课程设计》和《微电子集成电路测试与版图提取》。



参加工作以来，主持/主研/完成国家自然科学基金、“973”、“863”、“十五”、“十一五”和“十二五”军事电子预研项目、中央高校博士基金、产学研战略产业专项、重点实验室基金等20余项重大科研项目的工作。



研究领域主要为Si基新型半导体器件（FinFET、TFET）、应变Si/SiGe器件与电路和特种集成电路设计。



已在IEEE Trans. ED、JKPS、ISPSA、ICCCAS、EEIC等国际学术刊物及国际国内学术会议发表论文20余篇，其中SCI、EI收录10余篇。已申请中国发明专利30余件，获得授权美国发明专利1件，授权中国发明专利10件。

科学研究
发明专利


1. 王向展，王微，秦桂霞，曾庆平. 一种具有高Ge组分的应变SiGe层的制备方法，国家发明专利，申请号：2.2
2. 王向展，秦桂霞，罗谦，王微，李竞春. 一种MOS晶体管局部应力的引入技术，国家发明专利，申请号：4.5
3. 王向展，于奇，杨洪东，王微. 一种具有高弛豫度SiGe缓冲层的制备方法，国家发明专利，申请号：3.4
4. 王向展，于奇，宁宁，秦桂霞，曾庆平. 一种应变动态随机存储器存储单元结构及制作方法，申请号：7.2
5. 王向展，秦桂霞，宁宁，李竞春. 一种记忆浅槽隔离局部应力的MOS器件栅的形成方法，国家发明专利，申请号：1.5
6. 王向展，罗谦，秦桂霞，曾庆平. 一种应力稳定的MOS晶体管的栅的制造方法，国家发明专利，申请号：0.3
7. 王向展，于奇，杨洪东，李竞春，应贤炜. 一种应力放大的CMOS晶体管结构. 国家发明专利，申请号：3.9
8. 王向展，杜江锋，杨洪东，李竞春，于奇，全冯溪. 一种具有复合应变沟道的CMOS器件. 国家发明专利，申请号：7.5






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