陈星弼 邮箱：xbchen@uestc.edu.cn
电话：
系别：微电子与固体电子系
职称：中国科学院院士
教师个人主页：http://faculty.uestc.edu.cn/chenxingbi/zh_CN/index.htm


教师简介
陈星弼(1931.1~ )，男，生于上海，祖籍浙江省浦江县，国际著名微电子学家，被誉为“中国功率器件领路人”。中国科学院院士，九三学社社员，教授、博士生导师。
1952年，陈星弼毕业于国立同济大学电机系，先后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作。1956年开始在电子科技大学任教。1983年任电子科技大学微电子科学与工程系系主任、微电子研究所所长。曾先后在美国俄亥俄州立大学、加州大学伯克利分校作访问****及研究工程师，被聘为加拿大多伦多大学客座教授，英国威尔斯大学天鹅海分校高级客座教授。1999年当选中国科学院院士。曾任电子工业部第十三所专用集成电路国家级重点实验室学术委员会主任委员、四川省科学技术顾问团顾问等等。
陈星弼是我国第一批学习及从事半导体科技的人员之一，是电子部“半导体器件与微电子学”专业第一个博士生导师且得到第一个博士点。他是国际半导体界著名的超结结构（Super Junction）的发明人，也是国际上功率器件的结终端理论的集大成者。
陈星弼是第一个在中国制造硅靶摄像管的人。1981年起他开始研究半导体功率器件，在中国首次研制了VDMOST、IGBT、LDMOST、MCT、EST等器件。在国际上第一个提出了各种终端技术的物理解释及解析理论。80年代末他提出了两种新的耐压层结构，并作了唯一的三维电场分析。其中超结结构大大突破了功率器件的硅极限，被称为“功率器件的新里程碑”。其美国发明专利US **已被超过400个美国发明专利引用，中国因此获得78万美元的专利转让费。超结MOS器件已达到约10亿美元的年销售额。他还提出了最佳表面横向变掺杂的理论及横向新结构，无需BCD技术而只用常规IC工艺，就可以最小面积研制出电学性能更好的高低侧功率器件。最近陈院士的其它重要发明包括高K电介质耐压结构、高速IGBT、两种多数载流子导电的器件等，有望做出新的突破。
他申请美国发明专利21项（已批准20项）、中国发明专利20项（已批准17项）及国际发明专利1项，以第一或合作作者在IEEE TED、IEEE EDL、SSE等权威期刊及ISPSD等著名会议上发表了超过130篇学术论文，在固体物理等方面有著作8部，并翻译了包括俄、德语等2部译著及其它文献。获国家技术发明奖及国家科技进步奖2项，省部级奖励13项，完成国家自然科学基金重点项目、军事研究项目、国家“八五”科技攻关项目多项。
陈星弼是中国电子学会会士，美国IEEE终身高级会员，1991年起享受国务院特殊津贴，1997年被电子工业部授予优秀教师奖，1998年被评为全国优秀教师、四川省学术和技术带头人，1999年被评为成都市劳模。2015年因其对高压功率MOSFET理论与设计的卓越贡献获得IEEE ISPSD 2015 Pioneer Award。
科学研究
1.1 Research Areas
The laboratory's research arears currently focus on Power Semiconductor Device Technologies, Smart Power ICs (SPICs) and ESD protection Devices and Circiuts.




Structure of Super Junction CoolMOS by Infineon utilizing
(Invented by Prof. chen, U.S. patent,**,1993) Prof. Chen's SJ patent


1.2 Research Conditions
The New Devices Research Laboratory was founded for more than 30 years by Prof. Chen. It is one of the earliest research laboratories of semiconductor power devices of China. The laboratory is one of research teams of the State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices.This is an energetic research team with more than 20 specialist staffs. The laboratory has several high performance computer workstations, EDA softwares and a variety of high performance equipments. And the laboratory establishes good cooperative relationships with some of semiconductor companies.



OPT-VLD LDMOS Layout of a SPIC utilizing
(Proposed by Prof. Chen) OPT-VLD LDMOS
Granted U.S. Patents:
[1] Xingbi Chen. High speed IGBT[P]. US ** B2, 2013.02.19
[2] Xingbi Chen. Low voltage power supply[P]. US ** B2, 2012.10.23
[3] Xingbi Chen. Lateral Schottky diode[P]. US ** B2, 2012.08.14 ()
[4] Xingbi Chen. Lateral high-voltage semiconductor devices with majorities of both types for conduction[P]. US ** B2, 2012.04.17
[5] Xingbi Chen. Semiconductor device[P]. US ** B2, 2012.03.13
[6] Xingbi Chen. Semiconductor device with a u-shape drift region[P]. US ** B2, 2010.09.14
[7] Xingbi Chen. Method of producing a low -voltage power supply in a power integrated circuit[P]. US ** B2, 2010. 04.20
[8] Xingbi Chen. Lateral high-voltage devices with optimum variation lateral flux by using field plate[P]. US ** B2, 2010.02.09
[9] Xingbi Chen. Voltage sustaining layer with opposite-doped islands for semiconductor power devices[P]. US ** B2, 2007.09.18
[10] Xingbi Chen. Super-junction voltage sustaining layer with alternating semiconductor and high-K dielectric region[P]. US ** B2, 2007.06.12
[11] Xingbi Chen. Semiconductor high-voltage devices[P]. US ** B2, 2007.06.05
[12] Xingbi Chen. Method of manufacturing semiconductor device having composite buffer layer[P]. US ** B2, 2007.03.20 ()
[13] Xingbi Chen. Lateral low-side and high-side high-voltage devices[P]. US ** B2, 2006.02.14
[14] Xingbi Chen. Lateral high-voltage semiconductor devices with surface covered by thin film of dielectric material with high permittivity[P]. US ** B2, 2005.08.30
[15] Xingbi Chen. Semiconductor high-voltage devices[P]. US ** B2, 2005.08.30
[16] Xingbi Chen. Voltage sustaining layer with opposite-doped islands for semiconductor power devices[P]. US ** B1, 2003.10.21
[17] Xingbi Chen. Surface voltage sustaining structure for semiconductor devices having floating voltage terminal[P]. US ** B1, 2001.10.30
[18] Xingbi Chen. Surface voltage sustaining structure for semiconductor devices[P]. US **, 1998.03.10
[19] Xingbi Chen. Semiconductor power devices with alternating conductivity type high-voltage breakdown regions[P]. US **, 1993.06.01


Granted Chinese Patents:
[1] 陈星弼. 用于半导体器件的表面耐压区、半导体器件和电容器[P]. CN A, 2013.07.17
[2] 陈星弼. 半导体器件的含导电颗粒的绝缘体与半导体构成的耐压层[P]. CN A, 2013.06.05
[3] 陈星弼. 一种控制两种载流子的晶闸管[P]. CN A, 2012.08.29
[4] 陈星弼. 低压电源[P]. CN B, 2012.06.06
[5] 陈星弼. 一种半导体横向器件[P]. CN B, 2010.12.01
[6] 陈星弼. 一种半导体横向器件和高压器件[P]. CN B, 2010.08.04
[7] 陈星弼. 一种高速IGBT[P]. CN B, 2010.12.01
[8] 陈星弼. 一种半导体器件[P]. CN , 2010.02.24
[9] 陈星弼. 一种半导体器件及其提供的低压电源的应用[P]. CN , 2009.12.30
[10] 陈星弼. 具有“U”字形漂移区的半导体器件[P]. CN , 2010.02.24
[11] 陈星弼. 利用场板达到最佳表面横向通量的横向高压器件[P]. CN , 2009.09.23
[12] 陈星弼. 横向低侧高压器件及高侧高压器件[P]. CN **, 2007.04.18
[13] 陈星弼. 用高介电系数膜的表面(横向)耐压结构[P]. CN **, 2005.02.16
[14] 陈星弼. 一种制造含有复合缓冲层半导体器件的方法[P]. CN **, 2004.12.08
[15] 陈星弼. 一种半导体器件[P]. CN **, 2004.12.22
[16] 陈星弼. 一种用于有浮动电压端的半导体器件的表面耐压层[P]. CN **, 2003.01.22
[17] 陈星弼. 一种用于半导体器件的表面耐压区[P]. CN **, 1998.11.18
[18] 陈星弼. 一种提供高压器件高耐压的表面区结构公开号：**, 1996.01.31
[19] 陈星弼. 具有异型掺杂岛的半导体器件耐压层[P]. CN **, 1997.06.25
[20] 陈星弼. 半导体功率器件[P]. CN **B, 1993.08.11


Journal and Conference Publication:
[1] Xingbi Chen, Mingmin Huang. A vertical power MOSFET with an interdigitated drift region using high-k insulator[J]. IEEE Tran. Electron Devices, 2012, 59(9): 2430-2437
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