李雪松 邮箱：lxs@uestc.edu.cn
电话：
系别：微电子与固体电子系
职称：教授
教师个人主页：http://faculty.uestc.edu.cn/lixuesong/zh_CN/index.htm


教师简介
教育背景
1996.09－2000.07 清华大学，机械工程专业，学士学位
2000.09－2003.07 清华大学，材料加工工程专业，硕士学位
2003.08－2007.05 美国Rensselaer Polytechnic Institute，材料工程专业，博士学位
工作履历
2007.05－2010.09 美国德州大学奥斯汀分校，博士后
2010.10－2012.01 美国IBM T. J. Watson研究中心，资深博士后
2012.02－2012.06 美国Bluestone Global Tech Ltd.，合伙创始人
2012.07－2014.05 美国Bluestone Global Tech Ltd.，合伙创始人、副总裁
2014.07－2014.12 美国耶鲁大学，副研究员
2014.06－2015.07 美国LasLumin LLC.，创始人、CEO
2015.07至今 电子科技大学，教授
学术兼职
Member of the Graphene Technology Editorial Board
荣誉奖励
2010年美国Semiconductor Research Corporation Inventor Recognition Award
2013年IBM Pat Goldberg Memorial Best Paper Award
2016年四川省专家
2018年四川省学术和技术带头人
科学研究
学术成果
发表包括Science、Nature Nanotechnology、Nature Materials、Nature Photonics、Nano Letters、JACS等在内的SCI英文文章46余篇，他引次数总计15000多次，其中第1作者论文15篇，引用次数8000多次。研究工作多次被Nature、ScienceDaily、Phys.org、AZonano.com等刊物和网站专题评论。发表在2009年Science上关于大面积石墨烯薄膜制备的成果被Science选为当年重大科技突破之一。在2010诺贝尔物理学奖获奖演讲中该工作被重点引述，并被认为是推动石墨烯研究与应用进程的重要因素之一。该工作迄今为止已被引用5000多次。该发明是当前石墨烯薄膜制备的核心技术，在科研和工业生产中均被广泛使用。


一、石墨烯薄膜的制备


通过化学气相沉积的方法，使含碳气体在金属或非金属基底上裂解沉积形成石墨烯薄膜。主要研究各反应条件/参数对石墨烯缺陷、单晶尺寸、层数等的影响，理解石墨烯生长的热/动力学机制和过程，从而实现对石墨烯生长的可控。研究方向包括：
1）大面积石墨烯单晶的快速生长；
2）大面积石墨烯薄膜的连续、低成本制备；
3）多层石墨烯薄膜的可控制备；
4）石墨烯的缺陷控制；
5）石墨烯的低温制备；
6）石墨烯在非金属基底上的直接生长。


二、石墨烯在电子、光电子、传感器等领域的应用


1）石墨烯太赫兹器件；
2）石墨烯红外探测器；
3）石墨烯压力传感器；
4）石墨烯气体传感器。


三、新型二维材料的制备




Selected Publications


1.Shen C.Q., Jia Y., Yan X.Z., Zhang W.L., Li Y.R., Qing F.Z., Li X.S., “Effects of Cu Contamination on System Reliability for Graphene Synthesis by Chemical Vapor Deposition Method”, CARBON, 127, 676-680, (2017)
2.Qing F.Z., Shen C.Q., Jia R.T., Zhan L.L., Li X.S., “Catalytic substrates for graphene growth”MRS Bulletin. 42 (11), 819 (2017)
3.Qing F.Z., Jia R.T., Li B.-W., Liu C.L., Li C.Z., Peng B., Deng L.J., Zhang W.L., Li Y.R., Ruoff R.S., Li X.S., “Graphene growth with 'no' feedstock” 2D Materials 4, 025089 (2017)
4. Zheng B.J., Chen Y.F., Qi F., Wang X.Q., Zhang W.L., Li Y.R., Li X.S. “3D-hierarchical MoSe2 nanoarchitecture as a highly efficient electrocatalyst for hydrogen evolution” 2D Materials, 4 025092 (2017)
5. Lu W.J., Zeng M.Q., Li X.S., Wang J., Tan L.F., Shao M.M., Han J.L., Wang S., Yue S.L., Zhang T., Hu X.B., Mendes R.G., Rümmeli M.H., Peng L.M., Liu Z.F., Fu L., “Controllable Sliding Transfer of Wafer-Size Graphene”, Advanced Science, 3(9), ** (2016)
6.Li X.S.*, Colombo L.*, Ruoff R.S.*, “Synthesis of graphene films on copper foils by chemical vapor deposition”, Advanced Materials, 28, 6264-6252, (2016) (back cover)
7. Li X.S., Deng B.C., Wang X.M., Chen S.Z., Vaisman M., Karato S.-I., Pan G., Lee M.L., Cha J., Wang H., Xia F.N., “Synthesis of thin-film black phosphorous on a flexible substrate”, 2D Materials, 2031002 (2015)
8.Li X.S., Magnuson C.W., Venugopal A., Tromp R.M., Hannon J.B., Vogel E.M., Colombo L. and Ruoff R.S. "Large area graphene single crystals grown by low pressure chemical vapor deposition of methane on copper" Journal of the American Chemical Society 133, 2816-2819 (2011)
9. Li X.S., Magnuson C.W., Venugopal A., An J.H., Suk J.W., Han B.Y., Borysiak M., Cai W.W., Velamakanni A., Zhu Y.W., Fu L.F., Vogel E.M., Voelkl E., Colombo L. and Ruoff R.S. "Graphene films with large domain size by a two-step chemical vapor deposition process" Nano Letters 10 4328-4334 (2010)
10. Li X.S., Zhu Y.W., Cai W.W., Borysiak M., Han B.Y., Chen D., Piner R., Colombo L. and Ruoff R.S. "Transfer of large-area graphene films for high-performance transparent conductive electrodes" Nano Letters 9 4359-4363 (2009)
11. Li X.S., Cai W.W., Colombo L. and Ruoff R.S. "Evolution of graphene growth on Ni and Cu by carbon isotope labeling" Nano Letters 9 4268-4272 (2009)
12. Li X.S., Cai W.W., An J.H., Kim S., Nah J., Yang D.X., Piner R., Velamakanni A., Jung I., Tutuc E., Banerjee S.K., Colombo L. and Ruoff R.S. "Large-area synthesis of high-quality and uniform graphene films on copper foils" Science 324 1312-1314 (2009)


Granted Patents
1.Colombo L., Li X.S. and Ruoff R.S. “Graphene synthesis by chemical vapor deposition” 美国, 专利号: US 8,470,400 B2, 授权公告日: 2013/06/25
2.Li X.S., Lin Y-M., Song C-Y., “Method for synthesizing a thin film”, 美国, 专利号: US 8,728,575, B2，授权公告日: 2014/05/20
3.Zhao X., Li X.S., Lin Y-M. “Graphene hybrid structures for energy storage applications”, 美国，专利号: US 9,053,843, 授权公告日: 2015/06/09




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